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DMNH4026SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4026SSDQ.pdf DMNH4026SSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH45M7SCT DIODES INCORPORATED DMNH45M7SCT THT N channel transistors
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED DMNH6008SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
40+1.83 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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DMNH6008SCTQ DIODES INCORPORATED DMNH6008SCTQ.pdf DMNH6008SCTQ SMD N channel transistors
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DMNH6008SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6008SPS.pdf DMNH6008SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6008SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6008SPSQ.pdf DMNH6008SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6009SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6010SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMNH6010SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 532A
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMNH6011LK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6011LK3.pdf DMNH6011LK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012LK3Q.pdf DMNH6012LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012SPS.pdf DMNH6012SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012SPSQ.pdf DMNH6012SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SK3.pdf DMNH6021SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SK3Q.pdf DMNH6021SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPD-13 Multi channel transistors
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DMNH6021SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDQ.pdf DMNH6021SPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPDW-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDW.pdf DMNH6021SPDW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6022SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6022SSDQ-13 DMNH6022SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6022SSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6042SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SK3.pdf DMNH6042SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SK3Q.pdf DMNH6042SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SPD-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SPDQ.pdf DMNH6042SPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SPS.pdf DMNH6042SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SPSQ.pdf DMNH6042SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SSD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SSD-13 Multi channel transistors
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DMNH6042SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SSDQ.pdf DMNH6042SSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6065SPDW-13 DIODES INCORPORATED DMNH6065SPDW.pdf DMNH6065SPDW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6069SFVW-13 DIODES INCORPORATED DMNH6069SFVW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6069SFVW-7 DIODES INCORPORATED DMNH6069SFVW-7 SMD N channel transistors
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DMP1005UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMP1005UFDF.pdf DMP1005UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1005UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMP1005UFDF.pdf DMP1005UFDF-7 SMD P channel transistors
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DMP1007UCB9-7 DIODES INCORPORATED DMP1007UCB9.pdf DMP1007UCB9-7 SMD P channel transistors
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DMP1009UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMP1009UFDF.pdf DMP1009UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1009UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMP1009UFDF.pdf DMP1009UFDF-7 SMD P channel transistors
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DMP1009UFDFQ-7 DIODES INCORPORATED DMP1009UFDFQ.pdf DMP1009UFDFQ-7 SMD P channel transistors
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DMP1011LFV-13 DIODES INCORPORATED DMP1011LFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMP1011LFV-7 DIODES INCORPORATED DMP1011LFV.pdf DMP1011LFV-7 SMD P channel transistors
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DMP1011UCB9-7 DIODES INCORPORATED DMP1011UCB9.pdf DMP1011UCB9-7 SMD P channel transistors
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DMP1012UCB9-7 DIODES INCORPORATED DMP1012UCB9.pdf DMP1012UCB9-7 SMD P channel transistors
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DMP1012UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMP1012UFDF.pdf DMP1012UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1012UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMP1012UFDF.pdf DMP1012UFDF-7 SMD P channel transistors
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DMP1022UFDEQ-7 DIODES INCORPORATED DMP1022UFDEQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1022UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMP1022UFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMP1022UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMP1022UFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1045U-7 DIODES INCORPORATED DMP1045U.pdf DMP1045U-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 DIODES INCORPORATED DMP1045UFY4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
173+0.41 EUR
204+0.35 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1046UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMP1046UFDB.pdf DMP1046UFDB-13 SMD P channel transistors
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DMP1046UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMP1046UFDB.pdf DMP1046UFDB-7 SMD P channel transistors
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DMP1055UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMP1055UFDB.pdf DMP1055UFDB-7 SMD P channel transistors
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DMP1055USW-13 DIODES INCORPORATED DMP1055USW.pdf DMP1055USW-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1055USW-7 DIODES INCORPORATED DMP1055USW.pdf DMP1055USW-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SE-13 DIODES INCORPORATED DMP10H400SE.pdf DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
89+0.81 EUR
228+0.31 EUR
241+0.30 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SEQ-13 DIODES INCORPORATED DMP10H400SEQ.pdf DMP10H400SEQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 DIODES INCORPORATED DMP10H400SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
155+0.46 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13 DMP10H4D2S-13 DIODES INCORPORATED DMP10H4D2S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.44W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 DIODES INCORPORATED DMP10H4D2S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
421+0.17 EUR
496+0.14 EUR
633+0.11 EUR
782+0.09 EUR
834+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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DMP1100UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMP1100UCB4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
Case: X2-WLB0808-4
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7 DIODES INCORPORATED DMP1200UFR4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4026SSDQ-13 DMNH4026SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4026SSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH45M7SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH45M7SCT THT N channel transistors
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT.pdf
DMNH6008SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
40+1.83 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6008SCTQ DMNH6008SCTQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6008SCTQ SMD N channel transistors
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DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6008SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6008SPSQ-13 DMNH6008SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6008SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6009SPS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6010SCTB-13 DMNH6010SCTB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 532A
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6011LK3-13 DMNH6011LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6011LK3-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012LK3Q-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012SPS-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012SPSQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SK3-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPD-13 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPDW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6022SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6022SSDQ-13 DMNH6022SSDQ.pdf
DMNH6022SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6042SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPD-13
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DMNH6042SPD-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6042SSD-13
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DMNH6042SSD-13 Multi channel transistors
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DMNH6042SSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6065SPDW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6069SFVW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6069SFVW-13 SMD N channel transistors
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DMNH6069SFVW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6069SFVW-7 SMD N channel transistors
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DMP1005UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1005UFDF-7 SMD P channel transistors
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DMP1007UCB9-7 SMD P channel transistors
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DMP1009UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1009UFDFQ-7 SMD P channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1011LFV-7 SMD P channel transistors
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DMP1011UCB9-7 DMP1011UCB9.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1011UCB9-7 SMD P channel transistors
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DMP1012UCB9-7 DMP1012UCB9.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1012UCB9-7 SMD P channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1012UFDF-13 SMD P channel transistors
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DMP1012UFDF-7 SMD P channel transistors
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DMP1022UFDEQ-7 DMP1022UFDEQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMP1022UFDF-13 DMP1022UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMP1022UFDF-7 DMP1022UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP1045U-7 DMP1045U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1045U-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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DMP1045UFY4-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
173+0.41 EUR
204+0.35 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1046UFDB-13 DMP1046UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1046UFDB-13 SMD P channel transistors
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DMP1046UFDB-7 DMP1046UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1046UFDB-7 SMD P channel transistors
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DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1055UFDB-7 SMD P channel transistors
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DMP1055USW-13 DMP1055USW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1055USW-13 SMD P channel transistors
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DMP1055USW-7 DMP1055USW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP1055USW-7 SMD P channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.81 EUR
228+0.31 EUR
241+0.30 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SEQ-13 DMP10H400SEQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMP10H400SEQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3.pdf
DMP10H400SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
155+0.46 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.44W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
421+0.17 EUR
496+0.14 EUR
633+0.11 EUR
782+0.09 EUR
834+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7 DMP1100UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
Case: X2-WLB0808-4
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7 DMP1200UFR4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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