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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG1023UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UVQ.pdf DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
190+0.38 EUR
319+0.22 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.7/4Ω
Drain current: 0.4/-0.28A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Power dissipation: 0.66W
Kind of transistor: complementary pair
Version: ESD
Case: SOT563
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
252+0.28 EUR
290+0.25 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 DMG1029SVQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.7/4Ω
Drain current: 0.4/-0.28A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Power dissipation: 0.66W
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
Version: ESD
Case: SOT563
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT DMG10N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301L-13 DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf DMG2301L-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301LK-13 DIODES INCORPORATED DMG2301LK.pdf DMG2301LK-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301U-7 DIODES INCORPORATED DMG2301U.pdf DMG2301U-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
1036+0.069 EUR
1097+0.065 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UQ.pdf DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
699+0.1 EUR
802+0.089 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
3000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
200+0.36 EUR
252+0.29 EUR
692+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
290+0.25 EUR
463+0.15 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
463+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU-13 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU-7 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSNQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
315+0.23 EUR
374+0.19 EUR
581+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L-13 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
205+0.35 EUR
253+0.28 EUR
338+0.21 EUR
404+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
262+0.27 EUR
406+0.18 EUR
487+0.15 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3407SSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DIODES INCORPORATED DMG3413L.pdf DMG3413L-7 SMD P channel transistors
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DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf DMG3414U-7 SMD N channel transistors
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177+0.41 EUR
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DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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DMG3414UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
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DMG3415UFY4Q-7 DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
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143+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 117
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DMG3418L-13 DMG3418L-13 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMG3418L-7 DMG3418L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7AFE2242978BF&compId=DMG3418L.pdf?ci_sign=727e09d7573f8bb3e8faa8d3adc5a1266c410cb5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
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345+0.21 EUR
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715+0.1 EUR
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DMG3N60SCT DMG3N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 DIODES INCORPORATED DMG4407SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31754.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMG4466SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32137.pdf DMG4466SSS-13 SMD N channel transistors
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DMG4466SSSL-13 DIODES INCORPORATED ds32244.pdf DMG4466SSSL-13 SMD N channel transistors
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DMG4468LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31857.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMG4468LK3-13 DIODES INCORPORATED DMG4468LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG4496SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32048.pdf DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Power dissipation: 1.54W
Drain current: 7.8/-8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 35/-35V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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DMG4800LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31785.pdf DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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DMG4800LK3-13 DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
132+0.54 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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DMG4800LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG4822SSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSD.pdf DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
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DMG4822SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG5802LFX-7 DIODES INCORPORATED DMG5802LFX.pdf DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
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DMG1024UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a
DMG1024UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
190+0.38 EUR
319+0.22 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DMG1029SV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.7/4Ω
Drain current: 0.4/-0.28A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Power dissipation: 0.66W
Kind of transistor: complementary pair
Version: ESD
Case: SOT563
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
252+0.28 EUR
290+0.25 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SVQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.7/4Ω
Drain current: 0.4/-0.28A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Power dissipation: 0.66W
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
Version: ESD
Case: SOT563
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT
DMG10N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301L-13 SMD P channel transistors
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DMG2301LK-13 DMG2301LK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301LK-13 SMD P channel transistors
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DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301U-7 SMD P channel transistors
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DMG2302UK-13 DMG2302UK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
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DMG2302UK-7 DMG2302UK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
1036+0.069 EUR
1097+0.065 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
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DMG2302UKQ-7 DMG2302UKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
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DMG2302UQ-7 DMG2302UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
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DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMG2305UX-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110
DMG2305UX-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
699+0.1 EUR
802+0.089 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
3000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ.pdf
DMG2305UXQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ.pdf
DMG2305UXQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG2307L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
DMG2307LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2026 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU.pdf
DMG302PU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU.pdf
DMG302PU-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
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Anzahl Preis
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
315+0.23 EUR
374+0.19 EUR
581+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L.pdf
DMG3404L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51
DMG3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
205+0.35 EUR
253+0.28 EUR
338+0.21 EUR
404+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
262+0.27 EUR
406+0.18 EUR
487+0.15 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DMG3407SSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DMG3414U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.41 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2
DMG3415UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
241+0.3 EUR
463+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DMG3418L.pdf
DMG3418L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7AFE2242978BF&compId=DMG3418L.pdf?ci_sign=727e09d7573f8bb3e8faa8d3adc5a1266c410cb5
DMG3418L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT
DMG3N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS.pdf
DMG4407SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 ds31754.pdf
DMG4413LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4466SSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 ds32244.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4466SSSL-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 ds31857.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2
DMG4511SK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Power dissipation: 1.54W
Drain current: 7.8/-8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 35/-35V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 ds31785.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LK3-13 ds31959.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b
DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG5802LFX-7 DMG5802LFX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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