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DMN3009SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3009SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFGQ.pdf DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
120+0.6 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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DMN3009SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SSS.pdf DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3010LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31259.pdf DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3013LDG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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DMN3013LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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DMN3015LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3015LSD.pdf DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDF.pdf DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LK3.pdf DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LPS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LPS.pdf DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LSS.pdf DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSD.pdf DMN3018SSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.66 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 108
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DMN3018SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSS.pdf DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF.pdf DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3023L-13 DMN3023L-13 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 44A; 800mW; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94DB7D02698BF&compId=DMN3023L.pdf?ci_sign=4cecbfc42c6179a99a781b626d4b95877d0c15ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
235+0.3 EUR
323+0.22 EUR
371+0.19 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN3024LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LK3.pdf DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSD.pdf DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
231+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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DMN3024LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSS.pdf DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
180+0.4 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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DMN3025LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFV-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf DMN3025LFV-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LSS.pdf DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3026LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN3026LVT.pdf DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3028LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3029LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3029LFG.pdf DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3030LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3030LSS.pdf DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
127+0.57 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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DMN3032LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-7 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3033LDM-7 DMN3033LDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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DMN3033LSD-13 DIODES INCORPORATED ds31262.pdf DMN3033LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3033LSDQ.pdf DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31116.pdf DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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DMN3033LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3035LWN-7 DIODES INCORPORATED DMN3035LWN.pdf DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
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DMN3042L-13 DIODES INCORPORATED DMN3042L.pdf DMN3042L-13 SMD N channel transistors
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DMN3009SFG-13 DMN3009SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3009SFG-7 DMN3009SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SFGQ-7 DMN3009SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
DMN3009SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
120+0.6 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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DMN3009SSS-13 DMN3009SSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-13 DMN3010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3010LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-7 DMN3010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3010LK3-13 DMN3010LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3010LSS-13 ds31259.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3013LDG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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DMN3013LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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DMN3015LSD-13 DMN3015LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-13 DMN3016LDN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-13 DMN3016LDV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-7 DMN3016LDV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LK3-13 DMN3016LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LSS-13 DMN3016LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SFGQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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DMN3021LFDF-13
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DMN3023L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 44A; 800mW; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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371+0.19 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
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DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
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231+0.31 EUR
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DMN3024SFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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162+0.44 EUR
180+0.4 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
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DMN3025LFDF-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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DMN3032LE-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
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90+0.8 EUR
127+0.57 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDB-7 SMD N channel transistors
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DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
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DMN3033LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSN-7 ds31116.pdf
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DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
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150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
3000+0.19 EUR
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DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3035LWN-7 DMN3035LWN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
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DMN3042L-13 DMN3042L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3042L-13 SMD N channel transistors
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