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DMN2055U-7 DIODES INCORPORATED DMN2055U.pdf DMN2055U-7 SMD N channel transistors
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DMN2056U-13 DIODES INCORPORATED DMN2056U.pdf DMN2056U-13 SMD N channel transistors
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DMN2056U-7 DIODES INCORPORATED DMN2056U.pdf DMN2056U-7 SMD N channel transistors
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DMN2058U-13 DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf DMN2058U-13 SMD N channel transistors
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DMN2058U-7 DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf DMN2058U-7 SMD N channel transistors
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DMN2058UW-13 DIODES INCORPORATED DMN2058UW.pdf DMN2058UW-13 SMD N channel transistors
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DMN2065UW-7 DIODES INCORPORATED DMN2065UW.pdf DMN2065UW-7 SMD N channel transistors
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DMN2065UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2065UWQ.pdf DMN2065UWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2075UDW-7 DIODES INCORPORATED DMN2075UDW.pdf DMN2075UDW-7 SMD N channel transistors
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DMN2080UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2080UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W
Case: X2-WLB0808-4
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2100UDM-7 DMN2100UDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8FF76A99698BF&compId=DMN2100UDM.pdf?ci_sign=368d5582ce496e5058939302b77bde712485617a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 2.5A
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN21D2UFB-7 DIODES INCORPORATED DMN21D2UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN21D2UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN21D2UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED ds31180.pdf DMN2230U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1410 Stücke:
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307+0.23 EUR
476+0.15 EUR
503+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 307
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DMN2230UQ-13 DIODES INCORPORATED DMN2230UQ-13 SMD N channel transistors
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DMN2230UQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2230UQ.pdf DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 966 Stücke:
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155+0.46 EUR
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516+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 155
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DMN2250UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2250UFB.pdf DMN2250UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 DIODES INCORPORATED DMN2300U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2300UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.89nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8FED47B058A18&compId=DMN2300UFB4.pdf?ci_sign=43a9e5fc501fb4b4dadbce7a5a750442f9375a97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Drain current: 0.96A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFD-7 DIODES INCORPORATED DMN2300UFD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1212-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFL4-7 DIODES INCORPORATED DMN2300UFL4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2310U-7 DMN2310U-7 DIODES INCORPORATED DMN2310U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2310UWQ-7 DMN2310UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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DMN2320UFB4-7B DIODES INCORPORATED DMN2320UFB4.pdf DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
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DMN2400UFB-7 DIODES INCORPORATED ds31963.pdf DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UFDQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-13 DIODES INCORPORATED DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED903724C934A18&compId=DMN2400UV.pdf?ci_sign=ec42dd1776e42962aca4f27ac9295cd69fb8cad1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
265+0.27 EUR
360+0.2 EUR
414+0.17 EUR
642+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMN2450UFB4-7B DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
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DMN2450UFB4-7R DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
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DMN2450UFD-7 DIODES INCORPORATED DMN2450UFD.pdf DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
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DMN2451UFB4Q-7B DIODES INCORPORATED DMN2451UFB4Q.pdf DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
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DMN24H11DS-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DS.pdf DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
126+0.57 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
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DMN24H11DSQ-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
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DMN24H3D5L-13 DIODES INCORPORATED DMN24H3D5L.pdf DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7 DIODES INCORPORATED DMN24H3D5L.pdf DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
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DMN2501UFB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2501UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2550UFA.pdf DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN2600UFB-7 DIODES INCORPORATED ds31983.pdf DMN2600UFB-7 SMD N channel transistors
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DMN26D0UFB4-7 DIODES INCORPORATED DMN26D0UFB4.pdf DMN26D0UFB4-7 SMD N channel transistors
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DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED9079072966A18&compId=DMN26D0UT.pdf?ci_sign=18d90f9daedebc14577cd2d97c57545b057eefd2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Case: SOT523
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
250+0.29 EUR
341+0.21 EUR
937+0.076 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-7 DMN2710UT-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
Polarisation: unipolar
Case: SOT523
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJ.pdf DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJQ.pdf DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN2990UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFA.pdf DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN2990UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFB.pdf DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN2990UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFZ.pdf DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
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DMN2991UDA-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UDA.pdf DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
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DMN2991UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2991UDJ.pdf DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
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DMN2991UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
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DMN2991UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFZ.pdf DMN2991UFZ-7B SMD N channel transistors
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMN3008SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3008SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3008SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFGQ.pdf DMN3008SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3009LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2055U-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2056U-13 SMD N channel transistors
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DMN2056U-7 SMD N channel transistors
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DMN2058U-13 SMD N channel transistors
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DMN2058U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2090 Stücke:
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9000+0.097 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN2058UW-13 SMD N channel transistors
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DMN2065UW-7 SMD N channel transistors
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DMN2065UWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2075UDW-7 DMN2075UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2075UDW-7 SMD N channel transistors
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DMN2080UCB4-7 DMN2080UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W
Case: X2-WLB0808-4
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8FF76A99698BF&compId=DMN2100UDM.pdf?ci_sign=368d5582ce496e5058939302b77bde712485617a
DMN2100UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 2.5A
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7 ds31180.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2230U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
307+0.23 EUR
476+0.15 EUR
503+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 307
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DMN2230UQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2230UQ-13 SMD N channel transistors
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
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155+0.46 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
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DMN2250UFB-7B DMN2250UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2250UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN2300U-7 DMN2300U.pdf
DMN2300U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFB-7B DMN2300UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.89nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8FED47B058A18&compId=DMN2300UFB4.pdf?ci_sign=43a9e5fc501fb4b4dadbce7a5a750442f9375a97
DMN2300UFB4-7B
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Drain current: 0.96A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7 DMN2300UFD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1212-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7 DMN2310U.pdf
DMN2310U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7 DMN2310UW.pdf
DMN2310UW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7 DMN2310UWQ.pdf
DMN2310UWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UFDQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED903724C934A18&compId=DMN2400UV.pdf?ci_sign=ec42dd1776e42962aca4f27ac9295cd69fb8cad1
DMN2400UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
265+0.27 EUR
360+0.2 EUR
414+0.17 EUR
642+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7R DMN2450UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4Q-7B DMN2451UFB4Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
126+0.57 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7 DMN24H11DSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-13 DMN24H3D5L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7 DMN24H3D5L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7 DMN2501UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7 ds31983.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2600UFB-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7 DMN26D0UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UFB4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED9079072966A18&compId=DMN26D0UT.pdf?ci_sign=18d90f9daedebc14577cd2d97c57545b057eefd2
DMN26D0UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Case: SOT523
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
250+0.29 EUR
341+0.21 EUR
937+0.076 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-7 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
Polarisation: unipolar
Case: SOT523
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJQ-7 DMN2990UDJQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFA-7B DMN2990UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFB-7B DMN2990UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDA-7B DMN2991UDA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDJ-7 DMN2991UDJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFO-7B
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFZ-7B DMN2991UFZ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UFZ-7B SMD N channel transistors
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS.pdf
DMN3007LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3008SFG-13 DMN3008SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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