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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG1016UDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
451+0.16 EUR
538+0.13 EUR
618+0.12 EUR
676+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-13 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ.pdf DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA23C040AEA748&compId=DMG1023UV.pdf?ci_sign=7c3c8729cbca278e3619ce67e0bd1c56e01f9e0d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
233+0.31 EUR
365+0.2 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UVQ.pdf DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
217+0.33 EUR
336+0.21 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
222+0.32 EUR
307+0.23 EUR
355+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
277+0.26 EUR
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 DIODES INCORPORATED GS114.pdf DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT DMG10N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301L-13 DMG2301L-13 DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301LK-13 DMG2301LK-13 DIODES INCORPORATED DMG2301LK.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INCORPORATED DMG2301U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7
+1
 		DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
309+0.23 EUR
458+0.16 EUR
549+0.13 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UQ.pdf DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
459+0.16 EUR
629+0.11 EUR
718+0.1 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
2500+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
293+0.24 EUR
373+0.19 EUR
418+0.17 EUR
750+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
290+0.25 EUR
463+0.15 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
463+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU-13 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU-7 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSNQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
220+0.33 EUR
269+0.27 EUR
313+0.23 EUR
365+0.2 EUR
631+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L-13 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
213+0.34 EUR
269+0.27 EUR
385+0.19 EUR
412+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
350+0.2 EUR
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933+0.077 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3407SSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DIODES INCORPORATED DMG3413L.pdf DMG3413L-7 SMD P channel transistors
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DMG3414U-7 DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F9708BB0CE8748&compId=DMG3414U.pdf?ci_sign=0e351b6ee6f1a992c46fc5fba48528ad75137ca9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
157+0.46 EUR
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472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
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DMG3415UFY4Q-7 DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
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DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2056 Stücke:
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141+0.51 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-13 SMD N channel transistors
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DMG3418L-7 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-7 SMD N channel transistors
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DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
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345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT DMG3N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 DIODES INCORPORATED DMG4407SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31754.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32137.pdf DMG4466SSS-13 SMD N channel transistors
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DMG4466SSSL-13 DIODES INCORPORATED ds32244.pdf DMG4466SSSL-13 SMD N channel transistors
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DMG4468LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31857.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DIODES INCORPORATED DMG4468LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32048.pdf DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
97+0.74 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31785.pdf DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LK3-13 DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 ds31767.pdf
DMG1016V-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
295+0.24 EUR
451+0.16 EUR
538+0.13 EUR
618+0.12 EUR
676+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-7 DMG1016VQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA23C040AEA748&compId=DMG1023UV.pdf?ci_sign=7c3c8729cbca278e3619ce67e0bd1c56e01f9e0d
DMG1023UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
233+0.31 EUR
365+0.2 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a
DMG1024UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
217+0.33 EUR
336+0.21 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
222+0.32 EUR
307+0.23 EUR
355+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
277+0.26 EUR
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 GS114.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT
DMG10N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
DMG2301L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301LK-13 DMG2301LK.pdf
DMG2301LK-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
DMG2301U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-13 DMG2302UK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7 DMG2302UK.pdf
DMG2302UK-7
+1
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
309+0.23 EUR
458+0.16 EUR
549+0.13 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110
DMG2305UX-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
459+0.16 EUR
629+0.11 EUR
718+0.1 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
2500+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ.pdf
DMG2305UXQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ.pdf
DMG2305UXQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
293+0.24 EUR
373+0.19 EUR
418+0.17 EUR
750+0.096 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
DMG2307LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
290+0.25 EUR
463+0.15 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
463+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU.pdf
DMG302PU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU.pdf
DMG302PU-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
220+0.33 EUR
269+0.27 EUR
313+0.23 EUR
365+0.2 EUR
631+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L.pdf
DMG3404L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51
DMG3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
213+0.34 EUR
269+0.27 EUR
385+0.19 EUR
412+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
350+0.2 EUR
564+0.13 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DMG3407SSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F9708BB0CE8748&compId=DMG3414U.pdf?ci_sign=0e351b6ee6f1a992c46fc5fba48528ad75137ca9
DMG3414U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
157+0.46 EUR
218+0.33 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DMG3418L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-7 DMG3418L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT
DMG3N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS.pdf
DMG4407SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 ds31754.pdf
DMG4413LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4466SSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 ds32244.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4466SSSL-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 ds31857.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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DMG4511SK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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