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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN2300UFL4-7 DIODES INCORPORATED DMN2300UFL4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7 DIODES INCORPORATED DMN2310U.pdf DMN2310U-7 SMD N channel transistors
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DMN2310UW-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UW.pdf DMN2310UW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2310UWQ.pdf DMN2310UWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2320UFB4-7B DIODES INCORPORATED DMN2320UFB4.pdf DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
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DMN2400UFB-7 DIODES INCORPORATED ds31963.pdf DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UFDQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-13 DIODES INCORPORATED DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 DIODES INCORPORATED DMN2400UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
265+0.27 EUR
360+0.20 EUR
414+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMN2450UFB4-7B DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
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DMN2450UFB4-7R DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
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DMN2450UFD-7 DIODES INCORPORATED DMN2450UFD.pdf DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
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DMN2451UFB4Q-7B DIODES INCORPORATED DMN2451UFB4Q.pdf DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
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DMN24H11DS-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DS.pdf DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
126+0.57 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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DMN24H11DSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
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DMN24H11DSQ-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
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DMN24H3D5L-13 DIODES INCORPORATED DMN24H3D5L.pdf DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
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DMN24H3D5L-7 DIODES INCORPORATED DMN24H3D5L.pdf DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
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DMN2501UFB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2501UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2550UFA.pdf DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7 DIODES INCORPORATED ds31983.pdf DMN2600UFB-7 SMD N channel transistors
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DMN26D0UFB4-7 DIODES INCORPORATED DMN26D0UFB4.pdf DMN26D0UFB4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED ds31854.pdf DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
341+0.21 EUR
938+0.08 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-7 DMN2710UT-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Case: SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJ.pdf DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJQ.pdf DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFA.pdf DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFB.pdf DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFZ.pdf DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDA-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UDA.pdf DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2991UDJ.pdf DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFZ.pdf DMN2991UFZ-7B SMD N channel transistors
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3008SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3008SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3008SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFGQ.pdf DMN3008SFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVW.pdf DMN3009LFVW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVWQ.pdf DMN3009LFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFGQ.pdf DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf DMN3009SK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
226+0.32 EUR
239+0.30 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SSS.pdf DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31259.pdf DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3013LDG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3013LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3015LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3015LSD.pdf DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LDN-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LDN-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LDV-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LDV-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDF.pdf DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7 DMN2310U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2310U-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7 DMN2310UW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2310UW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7 DMN2310UWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2310UWQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7 ds31963.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFDQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7 DMN2400UV.pdf
DMN2400UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
265+0.27 EUR
360+0.20 EUR
414+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7R DMN2450UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4Q-7B DMN2451UFB4Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
126+0.57 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7 DMN24H11DSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-13 DMN24H3D5L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7 DMN24H3D5L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7 DMN2501UFB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
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DMN2710UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Case: SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
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DMN2991UFO-7B
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DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
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DMN3007LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3007LSSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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DMN3009SK3-13 SMD N channel transistors
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93+0.78 EUR
226+0.32 EUR
239+0.30 EUR
2500+0.29 EUR
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DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-13 DMN3010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3010LK3-13 DMN3010LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3010LSS-13 ds31259.pdf
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DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3013LDG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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DMN3013LFG-7
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DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-13 DMN3016LDV.pdf
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DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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