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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf DMG4800LSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
264+0.27 EUR
279+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSD.pdf DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG5802LFX-7 DIODES INCORPORATED DMG5802LFX.pdf DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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DMG6301UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.47 EUR
688+0.1 EUR
727+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DMG6968U-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
146+0.49 EUR
332+0.22 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UQ-7 DMG6968UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-13 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7408SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7408SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DMG7430LFG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
217+0.33 EUR
288+0.25 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8822UTS-13 DIODES INCORPORATED ds31798.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 31A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INCORPORATED ds31770.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT26
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 DIODES INCORPORATED ds31757.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 DIODES INCORPORATED DMG9933USD.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMGD7N45SSD-13 DIODES INCORPORATED DMGD7N45SSD.pdf DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHC10H170SFJ.pdf DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSDQ_ds.pdf DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSD.pdf DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSDQ.pdf DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC6070LSD.pdf DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT3006LFJ.pdf DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT6016LFJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H1D3SK3-13 DIODES INCORPORATED DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H600SH3 DIODES INCORPORATED DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJT9435-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C1ECDFC9E0D3&compId=DMJT9435.pdf?ci_sign=325f636cd34982d94abc96663542daec5b8b7336 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT2907A-7 DMMT2907A-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C46200D6A0D3&compId=DMMT2907A.pdf?ci_sign=2749be3ce5c3dfb4c67829029a9cb840adc4152f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-13-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W-13-F NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 30...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
391+0.18 EUR
428+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904WQ-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W_Rev13-2_Feb2018.pdf DMMT3904WQ-7-F NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906-7-F DMMT3906-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E313826D0400D3&compId=DMMT3906.pdf?ci_sign=f770bd8d40be133fdb07f044ffe18a3a04c290e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906W-7-f DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E321B77DEC00D3&compId=DMMT3906W.pdf?ci_sign=6703cfe3333f3ae1a562653df34346e0c74a201b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT3906WQ-7-F DMMT3906WQ-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E321B77DEC00D3&compId=DMMT3906W.pdf?ci_sign=6703cfe3333f3ae1a562653df34346e0c74a201b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
286+0.25 EUR
379+0.19 EUR
410+0.17 EUR
575+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
368+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMMT5551S-7-F DIODES INCORPORATED ds30436.pdf DMMT5551S-7-F NPN SMD transistors
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DMN1001UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN1001UCA10.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: X2-TSN1820-10
Drain-source voltage: 12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN1004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN1006UCA6-7 DIODES INCORPORATED DMN1006UCA6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN1008UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN1008UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1008UFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
264+0.27 EUR
279+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG5802LFX-7 DMG5802LFX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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DMG6301UDW-13 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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DMG6302UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
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DMG6402LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
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DMG6402LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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DMG6601LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785
DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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DMG6602SVT-7 DMG6602SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.47 EUR
688+0.1 EUR
727+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf
DMG6602SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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DMG6602SVTX-7 DMG6602SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
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DMG6898LSD-13 DMG6898LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
DMG6968U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMG6968UDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b
DMG6968UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
146+0.49 EUR
332+0.22 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UQ-7 DMG6968U.pdf
DMG6968UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG7401SFG-13 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
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DMG7401SFG-7 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
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DMG7408SFG-7 DMG7408SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG7430LFG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f
DMG7430LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
217+0.33 EUR
288+0.25 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMG7430LFGQ-13 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMG7430LFGQ-7 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8822UTS-13 ds31798.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 31A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT26
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926USD-13 ds31757.pdf
DMG9926USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG9933USD-13 DMG9933USD.pdf
DMG9933USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13 DMHC3025LSDQ_ds.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMHC4035LSD-13 DMHC4035LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
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DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
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DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
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DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMJ70H1D3SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
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DMJ70H600SH3
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
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DMJT9435-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C1ECDFC9E0D3&compId=DMJT9435.pdf?ci_sign=325f636cd34982d94abc96663542daec5b8b7336
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT2907A-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C46200D6A0D3&compId=DMMT2907A.pdf?ci_sign=2749be3ce5c3dfb4c67829029a9cb840adc4152f
DMMT2907A-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT3904W-13-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT3904W-13-F NPN SMD transistors
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DMMT3904W-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396
DMMT3904W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 30...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
391+0.18 EUR
428+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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DMMT3904WQ-7-F DMMT3904W_Rev13-2_Feb2018.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT3904WQ-7-F NPN SMD transistors
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DMMT3906-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E313826D0400D3&compId=DMMT3906.pdf?ci_sign=f770bd8d40be133fdb07f044ffe18a3a04c290e9
DMMT3906-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT3906W-7-f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E321B77DEC00D3&compId=DMMT3906W.pdf?ci_sign=6703cfe3333f3ae1a562653df34346e0c74a201b
DMMT3906W-7-f
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906WQ-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E321B77DEC00D3&compId=DMMT3906W.pdf?ci_sign=6703cfe3333f3ae1a562653df34346e0c74a201b
DMMT3906WQ-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f
DMMT5401-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
286+0.25 EUR
379+0.19 EUR
410+0.17 EUR
575+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2
DMMT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
368+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551S-7-F ds30436.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT5551S-7-F NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: X2-TSN1820-10
Drain-source voltage: 12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-13 DMN1004UFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1
DMN1004UFV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1006UCA6-7 DMN1006UCA6.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-13 DMN1008UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDFQ-13 DMN1008UFDFQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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