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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN3018SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSD-13 DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
127+0.56 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSS.pdf DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF.pdf DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3023L-13 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf DMN3023L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
235+0.30 EUR
323+0.22 EUR
371+0.19 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LK3.pdf DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSD.pdf DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
231+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSS.pdf DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf DMN3024SFG-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
207+0.35 EUR
297+0.24 EUR
314+0.23 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFV-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LSS.pdf DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3026LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN3026LVT.pdf DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3027LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3028LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3029LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3029LFG.pdf DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3030LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3030LSS.pdf DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LE-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf DMN3032LE-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
12500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3033LDM-7 DIODES INCORPORATED ds31345.pdf DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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DMN3033LSD-13 DIODES INCORPORATED ds31262.pdf DMN3033LSD-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3033LSDQ.pdf DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31116.pdf DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3035LWN-7 DIODES INCORPORATED DMN3035LWN.pdf DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3042L-13 DIODES INCORPORATED DMN3042L.pdf DMN3042L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3042L-7 DIODES INCORPORATED DMN3042L.pdf DMN3042L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
706+0.10 EUR
746+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN3042LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3042LFDF.pdf DMN3042LFDF-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3042LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3042LFDF.pdf DMN3042LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3051L-7 DIODES INCORPORATED ds31347.pdf DMN3051L-7 SMD N channel transistors
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DMN3051LDM-7 DIODES INCORPORATED ds31523.pdf DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
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DMN3053L-13 DMN3053L-13 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 17.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3053L-7 DMN3053L-7 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
252+0.28 EUR
295+0.24 EUR
374+0.19 EUR
477+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3055LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf DMN3055LFDB-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3055LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf DMN3055LFDB-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3061LCA3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3061SWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf DMN3061SWQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3065LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Power dissipation: 0.77W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
212+0.34 EUR
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
658+0.11 EUR
705+0.10 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3066LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3066LQ.pdf DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-13 DMN3067LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
246+0.29 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
1500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3070SSN-7 DIODES INCORPORATED DMN3070SSN.pdf DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SFGQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSD-13 DMN3018SSD.pdf
DMN3018SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
127+0.56 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSS-13 DMN3018SSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3020UFDF-13 DMN3020UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3021LFDF-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3021LFDF-7 DMN3021LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-13 DMN3023L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 DMN3023L.pdf
DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
235+0.30 EUR
323+0.22 EUR
371+0.19 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
231+0.31 EUR
243+0.29 EUR
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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82+0.87 EUR
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3000+0.17 EUR
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150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
3000+0.19 EUR
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auf Bestellung 1008 Stücke:
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136+0.53 EUR
706+0.10 EUR
746+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
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DMN3053L-13
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 17.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3053L-7
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
252+0.28 EUR
295+0.24 EUR
374+0.19 EUR
477+0.15 EUR
500+0.14 EUR
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 DMN3065LW.pdf
DMN3065LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Power dissipation: 0.77W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
212+0.34 EUR
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
658+0.11 EUR
705+0.10 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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DMN3066LQ-13 DMN3066LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3067LW-13 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
246+0.29 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
1500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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