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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN1008UFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UFDE.pdf DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN1019USN-13 DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf DMN1019USN-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
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DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
527+0.14 EUR
556+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN1029UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
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DMN1045UFR4-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C874A10696D8BF&compId=DMN1045UFR4.pdf?ci_sign=435e8826b216243eaa0c07f81f596d01617f5df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1054UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN1054UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H099SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3.pdf DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H100SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H100SK3.pdf DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3.pdf DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3Q2.pdf DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVTQ.pdf DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
214+0.33 EUR
254+0.28 EUR
277+0.26 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LE.pdf DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFVW.pdf DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
290+0.25 EUR
358+0.2 EUR
500+0.14 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LVT.pdf DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-13 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-7 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN1150UFB.pdf DMN1150UFB-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFL3-7 DIODES INCORPORATED DMN1150UFL3.pdf DMN1150UFL3-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1250UFEL-7 DIODES INCORPORATED DMN1250UFEL.pdf DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1260UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN1260UFA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-13 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SE-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30937.pdf DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWK-7 DIODES INCORPORATED ds30935.pdf DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 DMN2004K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
205+0.34 EUR
557+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DIODES INCORPORATED ds30936.pdf DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004VK.pdf DMN2004VK-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WK.pdf DMN2004WK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WKQ.pdf DMN2004WKQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30801.pdf DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7 DIODES INCORPORATED ds30734.pdf DMN2005K-7 SMD N channel transistors
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DMN2005LP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30799.pdf DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED ds30836.pdf DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf DMN2005UFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf DMN2005UFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFGQ.pdf DMN2005UFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDFQ-13 DMN1008UFDFQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-13 DMN1019USN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019USN-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-13 DMN1019UVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
527+0.14 EUR
556+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-13 DMN1029UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1054UCB4-7 DMN1054UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN10H099SFG-13 DMN10H099SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SK3Q-13 DMN10H170SK3Q2.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
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DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
214+0.33 EUR
254+0.28 EUR
277+0.26 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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DMN10H220LE-13 DMN10H220LE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
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DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.54 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134
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DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
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DMN10H220LQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
290+0.25 EUR
358+0.2 EUR
500+0.14 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
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DMN1150UFB-7B DMN1150UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1150UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN1150UFL3-7 DMN1150UFL3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1150UFL3-7 Multi channel transistors
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
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DMN1260UFA-7B DMN1260UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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DMN13H750S-13 DMN13H750S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
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DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
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DMN15H310SE-13 DMN15H310SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SK3-13 DMN15H310SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DMK-7 ds30937.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWK-7 ds30935.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWKQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a
DMN2004K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
205+0.34 EUR
557+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 ds30936.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7 DMN2004VK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7 DMN2004WK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004WK-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004WKQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7 ds30801.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7 ds30734.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7 ds30799.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005UFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005UFG-7 SMD N channel transistors
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DMN2005UFGQ-13 DMN2005UFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005UFGQ-13 SMD N channel transistors
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