Produkte > DIODES INCORPORATED > Alle Produkte des Herstellers DIODES INCORPORATED (78495) > Seite 1191 nach 1309

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1300 1309  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG7401SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7408SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7408SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7430LFG.pdf DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
400+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8822UTS-13 DIODES INCORPORATED ds31798.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.6nC
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 31A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INCORPORATED ds31770.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 DIODES INCORPORATED ds31757.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 DIODES INCORPORATED DMG9933USD.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.15W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMGD7N45SSD-13 DIODES INCORPORATED DMGD7N45SSD.pdf DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHC10H170SFJ.pdf DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
87+0.83 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSDQ_ds.pdf DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSD.pdf DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSDQ.pdf DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC6070LSD.pdf DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT3006LFJ.pdf DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT6016LFJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H1D3SK3-13 DIODES INCORPORATED DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H600SH3 DIODES INCORPORATED DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJT9435-13 DIODES INCORPORATED DMJT9435.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT2907A-7 DMMT2907A-7 DIODES INCORPORATED DMMT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-13-F DMMT3904W-13-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
391+0.18 EUR
428+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904WQ-7-F DMMT3904WQ-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904WQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906-7-F DMMT3906-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906W-7-f DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED DMMT3906W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906WQ-7-F DMMT3906WQ-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3906W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5401.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
286+0.25 EUR
379+0.19 EUR
410+0.17 EUR
575+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
368+0.19 EUR
412+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1001UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN1001UCA10.pdf DMN1001UCA10-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFDF.pdf DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
212+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1006UCA6-7 DIODES INCORPORATED DMN1006UCA6.pdf DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDFQ.pdf DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UFDE.pdf DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-13 DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
260+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DIODES INCORPORATED DMN1045UFR4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1054UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN1054UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3.pdf DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H100SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H100SK3.pdf DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFDE.pdf DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3.pdf DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-7 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7408SFG-7 DMG7408SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DMG7430LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
400+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-13 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-7 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8822UTS-13 ds31798.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.6nC
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 31A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926USD-13 ds31757.pdf
DMG9926USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9933USD-13 DMG9933USD.pdf
DMG9933USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.15W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD.pdf
DMHC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
87+0.83 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13 DMHC3025LSDQ_ds.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13 DMHC4035LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H1D3SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H600SH3
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJT9435-13 DMJT9435.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT2907A-7 DMMT2907A.pdf
DMMT2907A-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-13-F DMMT3904W.pdf
DMMT3904W-13-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W.pdf
DMMT3904W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
391+0.18 EUR
428+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904WQ-7-F DMMT3904WQ.pdf
DMMT3904WQ-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906-7-F DMMT3906.pdf
DMMT3906-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906W-7-f DMMT3906W.pdf
DMMT3906W-7-f
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3906WQ-7-F DMMT3906W.pdf
DMMT3906WQ-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F DMMT5401.pdf
DMMT5401-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
286+0.25 EUR
379+0.19 EUR
410+0.17 EUR
575+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F DMMT5551.pdf
DMMT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
368+0.19 EUR
412+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551S-7-F DMMT5551.pdf
DMMT5551S-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1001UCA10-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-13 DMN1004UFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV.pdf
DMN1004UFV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
212+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1006UCA6-7 DMN1006UCA6.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-13 DMN1008UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1008UFDFQ-13 DMN1008UFDFQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-13 DMN1019USN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-13 DMN1019UVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
260+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-13 DMN1029UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1054UCB4-7 DMN1054UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-13 DMN10H099SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1300 1309  [ Nächste Seite >> ]