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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG2305UX-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
459+0.16 EUR
629+0.11 EUR
718+0.10 EUR
1104+0.07 EUR
1166+0.06 EUR
2500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf DMG2307L-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
1071+0.07 EUR
1133+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
165+0.43 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
290+0.25 EUR
368+0.19 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
278+0.26 EUR
336+0.21 EUR
432+0.17 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU-13 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU-7 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSNQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED DMG3402L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
220+0.33 EUR
269+0.27 EUR
313+0.23 EUR
365+0.20 EUR
641+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L-13 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
213+0.34 EUR
269+0.27 EUR
385+0.19 EUR
422+0.17 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.90 EUR
100+0.72 EUR
224+0.31 EUR
614+0.12 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3407SSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DIODES INCORPORATED DMG3413L.pdf DMG3413L-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.41 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UFY4Q-7 DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3415U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
174+0.41 EUR
244+0.29 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-7 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT DMG3N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 DIODES INCORPORATED DMG4407SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31754.pdf DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32137.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 DMG4466SSSL-13 DIODES INCORPORATED ds32244.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31857.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DIODES INCORPORATED DMG4468LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32048.pdf DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED DMG4511SK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
97+0.74 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31785.pdf DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LK3-13 DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
170+0.41 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSD.pdf DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7 DIODES INCORPORATED DMG5802LFX.pdf DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
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DMG6402LDM-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.47 EUR
688+0.10 EUR
727+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
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DMG6898LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
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DMG6898LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED DMG6968UDM.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
146+0.49 EUR
332+0.22 EUR
353+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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DMG6968UQ-7 DMG6968UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-13 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
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DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
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DMG2305UX-7 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
459+0.16 EUR
629+0.11 EUR
718+0.10 EUR
1104+0.07 EUR
1166+0.06 EUR
2500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
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DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
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DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2307L-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
1071+0.07 EUR
1133+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.43 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
290+0.25 EUR
368+0.19 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
DMG301NU-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
278+0.26 EUR
336+0.21 EUR
432+0.17 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU.pdf
DMG302PU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-7 DMG302PU.pdf
DMG302PU-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L.pdf
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
220+0.33 EUR
269+0.27 EUR
313+0.23 EUR
365+0.20 EUR
641+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L.pdf
DMG3404L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 DMG3404L.pdf
DMG3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
213+0.34 EUR
269+0.27 EUR
385+0.19 EUR
422+0.17 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 DMG3406L.pdf
DMG3406L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L.pdf
DMG3406L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.90 EUR
100+0.72 EUR
224+0.31 EUR
614+0.12 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DMG3407SSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DMG3414U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.41 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 DMG3415U.pdf
DMG3415UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
174+0.41 EUR
244+0.29 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DMG3418L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-7 DMG3418L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT
DMG3N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS.pdf
DMG4407SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 ds31754.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 ds32244.pdf
DMG4466SSSL-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 ds31857.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13.pdf
DMG4511SK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
97+0.74 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 ds31785.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LK3-13 ds31959.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
170+0.41 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7 DMG5802LFX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7.pdf
DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.47 EUR
688+0.10 EUR
727+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf
DMG6602SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7 DMG6602SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
DMG6968U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM.pdf
DMG6968UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
146+0.49 EUR
332+0.22 EUR
353+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UQ-7 DMG6968U.pdf
DMG6968UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-13 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
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