Produkte > DIODES INCORPORATED > Alle Produkte des Herstellers DIODES INCORPORATED (78495) > Seite 1192 nach 1309

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1300 1309  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN10H170SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3Q2.pdf DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVTQ.pdf DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
293+0.24 EUR
336+0.21 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
167+0.43 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
183+0.39 EUR
237+0.30 EUR
397+0.18 EUR
662+0.11 EUR
700+0.10 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
Pulsed drain current: 6.6A
Power dissipation: 1.07W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-13 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-7 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN1150UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFL3-7 DIODES INCORPORATED DMN1150UFL3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1250UFEL-7 DIODES INCORPORATED DMN1250UFEL.pdf DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1260UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN1260UFA.pdf DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-13 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SE-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf DMN15H310SE-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SK3.pdf DMN15H310SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30937.pdf DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWK-7 DIODES INCORPORATED ds30935.pdf DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 DIODES INCORPORATED DMN2004K.pdf DMN2004K-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
169+0.42 EUR
770+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DIODES INCORPORATED ds30936.pdf DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004VK-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30801.pdf DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7 DIODES INCORPORATED ds30734.pdf DMN2005K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30799.pdf DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED ds30836.pdf DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UPS.pdf DMN2005UPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-13 DIODES INCORPORATED DMN2008LFU.pdf DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-7 DIODES INCORPORATED DMN2008LFU.pdf DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN2009LSS.pdf DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DIODES INCORPORATED DMN2009USS.pdf DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDE.pdf DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFX-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFX.pdf DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2013UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2013UFDE.pdf DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2014LHAB-7 DIODES INCORPORATED DMN2014LHAB.pdf DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2015UFDE.pdf DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2015UFDF.pdf DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016LFG-7 DIODES INCORPORATED ds32053.pdf DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016LHAB-7 DIODES INCORPORATED DMN2016LHAB.pdf DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 DIODES INCORPORATED ds31995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DIODES INCORPORATED DMN2019UTS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31946.pdf DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020UFCL-7 DIODES INCORPORATED DMN2020UFCL.pdf DMN2020UFCL-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2022UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2022UFDF.pdf DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2023UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2023UCB4.pdf DMN2023UCB4-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SK3Q-13 DMN10H170SK3Q2.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-13 DMN10H170SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
293+0.24 EUR
336+0.21 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LE-13 DMN10H220LE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
DMN10H220LK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
167+0.43 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7.pdf
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
183+0.39 EUR
237+0.30 EUR
397+0.18 EUR
662+0.11 EUR
700+0.10 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT.pdf
DMN10H220LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
Pulsed drain current: 6.6A
Power dissipation: 1.07W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1150UFL3-7 DMN1150UFL3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1260UFA-7B DMN1260UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-13 DMN13H750S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN15H310SE-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SK3-13 DMN15H310SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN15H310SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DMK-7 ds30937.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWK-7 ds30935.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DWKQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 DMN2004K.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
169+0.42 EUR
770+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 ds30936.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7 DMN2004WK.pdf
DMN2004WK-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ.pdf
DMN2004WKQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7 ds30801.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7 ds30734.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7 ds30799.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13 DMN2005UFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005UPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-13 DMN2008LFU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009LSS-13 DMN2009LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DMN2009USS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDE-7 DMN2011UFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDF-13 DMN2011UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2011UFX-7 DMN2011UFX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016LFG-7 ds32053.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016LHAB-7 DMN2016LHAB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 ds31946.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020UFCL-7 DMN2020UFCL.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2020UFCL-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2023UCB4-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1300 1309  [ Nächste Seite >> ]