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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B655D761591BF&compId=DMC4047LSD-13.pdf?ci_sign=1f9347077d2f3d0a9cdb40930dee8a9575fc7dfa Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13 DMC4050SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B66D2403BB1BF&compId=DMC4050SSD-13.pdf?ci_sign=596ba288ef924e7d8e6978856a638928e3407968 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
96+0.75 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMC4050SSDQ_Web.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.8A
Power dissipation: 2.14W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.56/33.66nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B68A50367F1BF&compId=DMC6040SSD-13.pdf?ci_sign=c8f1a5a24e3acb3971238c531ee2606057400277 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
113+0.64 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMC6040SSDQ.pdf DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC67D8UFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMC67D8UFDBQ.pdf DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13 DIODES INCORPORATED DMG1012TQ.pdf DMG1012T-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3041 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
613+0.12 EUR
831+0.086 EUR
1031+0.069 EUR
2184+0.033 EUR
2305+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 613
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
225+0.31 EUR
347+0.2 EUR
954+0.074 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BB0CD02B24A11C&compId=DMG1012UW-dte.pdf?ci_sign=399be166625f6e6276fd3e6712d9ea042419d58c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
374+0.19 EUR
432+0.17 EUR
662+0.11 EUR
823+0.087 EUR
904+0.079 EUR
980+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
416+0.17 EUR
477+0.15 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.066 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 DMG1013T-7 DIODES INCORPORATED ds31784.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
521+0.14 EUR
658+0.11 EUR
1083+0.066 EUR
1260+0.057 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1013TQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 580pC
Pulsed drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA2CDA91012748&compId=DMG1013UW.pdf?ci_sign=534d758ede991a77be3b17dc34fc68085a8dcd9f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
353+0.2 EUR
491+0.15 EUR
572+0.13 EUR
1286+0.056 EUR
1359+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 DIODES INCORPORATED DMG1013UWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 622.4pC
Pulsed drain current: -3A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
348+0.21 EUR
542+0.13 EUR
655+0.11 EUR
1009+0.071 EUR
1067+0.067 EUR
1500+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
230+0.31 EUR
333+0.22 EUR
392+0.18 EUR
867+0.083 EUR
916+0.078 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
237+0.3 EUR
391+0.18 EUR
468+0.15 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-13 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ.pdf DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA23C040AEA748&compId=DMG1023UV.pdf?ci_sign=7c3c8729cbca278e3619ce67e0bd1c56e01f9e0d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
159+0.45 EUR
177+0.4 EUR
296+0.24 EUR
642+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UVQ.pdf DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
190+0.38 EUR
319+0.22 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
252+0.28 EUR
290+0.25 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 DMG1029SVQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT DMG10N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 15A
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DMG2301L-13 DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf DMG2301L-13 SMD P channel transistors
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DMG2301LK-13 DIODES INCORPORATED DMG2301LK.pdf DMG2301LK-13 SMD P channel transistors
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DMG2301U-7 DIODES INCORPORATED DMG2301U.pdf DMG2301U-7 SMD P channel transistors
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DMG2302UK-13 DMG2302UK-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7
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 		DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
304+0.24 EUR
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573+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7 DMG2302UKQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7 DMG2302UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
699+0.1 EUR
802+0.089 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
3000+0.059 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
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DMG2305UXQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
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DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3150 Stücke:
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179+0.4 EUR
264+0.27 EUR
396+0.18 EUR
467+0.15 EUR
1071+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
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DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
186+0.39 EUR
206+0.35 EUR
313+0.23 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
463+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf DMG302PU-13 SMD P channel transistors
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DMG302PU-7 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf DMG302PU-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSNQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
315+0.23 EUR
374+0.19 EUR
576+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L-13 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
205+0.35 EUR
253+0.28 EUR
338+0.21 EUR
404+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
262+0.27 EUR
406+0.18 EUR
487+0.15 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3407SSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DIODES INCORPORATED DMG3413L.pdf DMG3413L-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.41 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B655D761591BF&compId=DMC4047LSD-13.pdf?ci_sign=1f9347077d2f3d0a9cdb40930dee8a9575fc7dfa
DMC4047LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B66D2403BB1BF&compId=DMC4050SSD-13.pdf?ci_sign=596ba288ef924e7d8e6978856a638928e3407968
DMC4050SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
96+0.75 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ_Web.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.8A
Power dissipation: 2.14W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.56/33.66nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B68A50367F1BF&compId=DMC6040SSD-13.pdf?ci_sign=c8f1a5a24e3acb3971238c531ee2606057400277
DMC6040SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
113+0.64 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13 DMC6040SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC67D8UFDBQ-7 DMC67D8UFDBQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13 DMG1012TQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1012T-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3041 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
613+0.12 EUR
831+0.086 EUR
1031+0.069 EUR
2184+0.033 EUR
2305+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 613
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462
DMG1012TQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
225+0.31 EUR
347+0.2 EUR
954+0.074 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BB0CD02B24A11C&compId=DMG1012UW-dte.pdf?ci_sign=399be166625f6e6276fd3e6712d9ea042419d58c
DMG1012UW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
374+0.19 EUR
432+0.17 EUR
662+0.11 EUR
823+0.087 EUR
904+0.079 EUR
980+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
416+0.17 EUR
477+0.15 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.066 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 ds31784.pdf
DMG1013T-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
521+0.14 EUR
658+0.11 EUR
1083+0.066 EUR
1260+0.057 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ.pdf
DMG1013TQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 580pC
Pulsed drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA2CDA91012748&compId=DMG1013UW.pdf?ci_sign=534d758ede991a77be3b17dc34fc68085a8dcd9f
DMG1013UW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
353+0.2 EUR
491+0.15 EUR
572+0.13 EUR
1286+0.056 EUR
1359+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ.pdf
DMG1013UWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 622.4pC
Pulsed drain current: -3A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584
DMG1013UWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
348+0.21 EUR
542+0.13 EUR
655+0.11 EUR
1009+0.071 EUR
1067+0.067 EUR
1500+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16
DMG1016UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
230+0.31 EUR
333+0.22 EUR
392+0.18 EUR
867+0.083 EUR
916+0.078 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 ds31767.pdf
DMG1016V-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
237+0.3 EUR
391+0.18 EUR
468+0.15 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016VQ-7 DMG1016VQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA23C040AEA748&compId=DMG1023UV.pdf?ci_sign=7c3c8729cbca278e3619ce67e0bd1c56e01f9e0d
DMG1023UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
159+0.45 EUR
177+0.4 EUR
296+0.24 EUR
642+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a
DMG1024UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
190+0.38 EUR
319+0.22 EUR
397+0.18 EUR
538+0.13 EUR
600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UVQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
252+0.28 EUR
290+0.25 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SVQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SVQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG10N60SCT
DMG10N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301L-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301LK-13 DMG2301LK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301LK-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2301U-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-13 DMG2302UK.pdf
DMG2302UK-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7 DMG2302UK.pdf
DMG2302UK-7
+1
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
304+0.24 EUR
472+0.15 EUR
573+0.12 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ.pdf
DMG2302UKQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7 DMG2302UKQ.pdf
DMG2302UKQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7 DMG2302UQ.pdf
DMG2302UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA30F091E90748&compId=DMG2305UX.pdf?ci_sign=b2aee761d96502e454a9031a06ee1790bb085110
DMG2305UX-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
699+0.1 EUR
802+0.089 EUR
1102+0.065 EUR
1166+0.061 EUR
3000+0.059 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
264+0.27 EUR
396+0.18 EUR
467+0.15 EUR
1071+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
DMG2307LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
186+0.39 EUR
206+0.35 EUR
313+0.23 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
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157+0.46 EUR
463+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
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358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG302PU-13 DMG302PU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG302PU-13 SMD P channel transistors
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DMG302PU-7 DMG302PU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG302PU-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
219+0.33 EUR
315+0.23 EUR
374+0.19 EUR
576+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-13 DMG3404L.pdf
DMG3404L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51
DMG3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
205+0.35 EUR
253+0.28 EUR
338+0.21 EUR
404+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
262+0.27 EUR
406+0.18 EUR
487+0.15 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3407SSN-7 DMG3407SSN.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DMG3414U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.41 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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