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DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
241+0.3 EUR
463+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-13 DMG3418L-13 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3418L-7 DMG3418L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7AFE2242978BF&compId=DMG3418L.pdf?ci_sign=727e09d7573f8bb3e8faa8d3adc5a1266c410cb5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3N60SCT DMG3N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 DIODES INCORPORATED DMG4407SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31754.pdf DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32137.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 DMG4466SSSL-13 DIODES INCORPORATED ds32244.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31857.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DIODES INCORPORATED DMG4468LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32048.pdf DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Power dissipation: 1.54W
Drain current: 7.8/-8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 35/-35V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31785.pdf DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LK3-13 DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
114+0.63 EUR
146+0.49 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 6.6A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 1.42W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7 DIODES INCORPORATED DMG5802LFX.pdf DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
180+0.4 EUR
212+0.34 EUR
281+0.25 EUR
451+0.16 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Power dissipation: 0.54W
Drain current: 3/-2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
199+0.36 EUR
244+0.29 EUR
414+0.17 EUR
506+0.14 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B73365E1FF1BF&compId=DMG6602SVT-7.pdf?ci_sign=8d9de6ff764b7875e0745b59ad5ffb31249f903b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
209+0.34 EUR
248+0.29 EUR
400+0.18 EUR
481+0.15 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
360+0.2 EUR
625+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7 DMG6602SVTX-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/9nC
On-state resistance: 100/140mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 30A; 1.28W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 7.1A
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 1.28W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf DMG6968U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
189+0.38 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
30000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
143+0.5 EUR
332+0.22 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf DMG6968UQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-13 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7408SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7408SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DMG7430LFG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
228+0.31 EUR
261+0.27 EUR
321+0.22 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMG8601UFG-7 DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 920mW
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG8822UTS-13 DIODES INCORPORATED ds31798.pdf DMG8822UTS-13 SMD N channel transistors
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INCORPORATED ds31770.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 0.98W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 DIODES INCORPORATED ds31757.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 6.7A
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 DIODES INCORPORATED DMG9933USD.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.15W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DIODES INCORPORATED DMGD7N45SSD.pdf DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
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DMHC10H170SFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHC10H170SFJ.pdf DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
72+1 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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DMHC3025LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSDQ_ds.pdf DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMHC4035LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSD.pdf DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
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DMHC4035LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSDQ.pdf DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
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DMHC6070LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC6070LSD.pdf DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
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DMHT3006LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT3006LFJ.pdf DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
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DMHT6016LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT6016LFJ.pdf DMHT6016LFJ-13 SMD N channel transistors
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DMJ70H1D3SK3-13 DIODES INCORPORATED DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
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DMJ70H600SH3 DIODES INCORPORATED DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
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DMJT9435-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C1ECDFC9E0D3&compId=DMJT9435.pdf?ci_sign=325f636cd34982d94abc96663542daec5b8b7336 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 6A
Frequency: 160MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMMT2907A-7 DIODES INCORPORATED DMMT2907A.pdf DMMT2907A-7 PNP SMD transistors
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DMMT3904W-13-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W-13-F NPN SMD transistors
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DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
285+0.25 EUR
376+0.19 EUR
424+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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DMG3415UQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2
DMG3415UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
241+0.3 EUR
463+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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DMG3418L-13 DMG3418L.pdf
DMG3418L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMG3418L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7AFE2242978BF&compId=DMG3418L.pdf?ci_sign=727e09d7573f8bb3e8faa8d3adc5a1266c410cb5
DMG3418L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 345
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DMG3N60SCT
DMG3N60SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS.pdf
DMG4407SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4413LSS-13 ds31754.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
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DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSSL-13 ds32244.pdf
DMG4466SSSL-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LFG-7 ds31857.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2
DMG4511SK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Power dissipation: 1.54W
Drain current: 7.8/-8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 35/-35V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LFG-7 ds31785.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
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DMG4800LK3-13 ds31959.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b
DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
114+0.63 EUR
146+0.49 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 6.6A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 1.42W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMG5802LFX-7 DMG5802LFX.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
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DMG6301UDW-13 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
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DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
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DMG6302UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
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DMG6402LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
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DMG6402LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
180+0.4 EUR
212+0.34 EUR
281+0.25 EUR
451+0.16 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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DMG6601LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785
DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Power dissipation: 0.54W
Drain current: 3/-2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
199+0.36 EUR
244+0.29 EUR
414+0.17 EUR
506+0.14 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B73365E1FF1BF&compId=DMG6602SVT-7.pdf?ci_sign=8d9de6ff764b7875e0745b59ad5ffb31249f903b
DMG6602SVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
209+0.34 EUR
248+0.29 EUR
400+0.18 EUR
481+0.15 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf
DMG6602SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
360+0.2 EUR
625+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7 DMG6602SVT.pdf
DMG6602SVTX-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/9nC
On-state resistance: 100/140mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD.pdf
DMG6898LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 30A; 1.28W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 7.1A
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 1.28W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.38 EUR
705+0.1 EUR
736+0.097 EUR
30000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b
DMG6968UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
143+0.5 EUR
332+0.22 EUR
353+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UQ-7 DMG6968U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6968UQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-13 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7401SFG-7 DMG7401SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7408SFG-7 DMG7408SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f
DMG7430LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
228+0.31 EUR
261+0.27 EUR
321+0.22 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-13 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFGQ-7 DMG7430LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 920mW
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8822UTS-13 ds31798.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG8822UTS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 0.98W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926USD-13 ds31757.pdf
DMG9926USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 6.7A
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9933USD-13 DMG9933USD.pdf
DMG9933USD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.15W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD.pdf
DMHC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13 DMHC3025LSDQ_ds.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13 DMHC4035LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMHT6016LFJ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H1D3SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJ70H600SH3
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMJT9435-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E2C1ECDFC9E0D3&compId=DMJT9435.pdf?ci_sign=325f636cd34982d94abc96663542daec5b8b7336
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 6A
Frequency: 160MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT2907A-7 DMMT2907A.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT2907A-7 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-13-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT3904W-13-F NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396
DMMT3904W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
285+0.25 EUR
376+0.19 EUR
424+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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