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DMN62D0LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0LFB.pdf DMN62D0LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN62D0LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN62D0LFB.pdf DMN62D0LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN62D0SFD-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0SFD.pdf DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
118+0.6 EUR
188+0.39 EUR
517+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED925CC86E8CA18&compId=DMN62D0U.pdf?ci_sign=b84092748e037a6441d53ce357a87b3281706301 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
767+0.093 EUR
841+0.085 EUR
1619+0.044 EUR
1713+0.042 EUR
9000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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DMN62D0UDW-13 DIODES INCORPORATED DMN62D0UDW.pdf DMN62D0UDW-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UDW-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0UDW.pdf DMN62D0UDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
807+0.089 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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DMN62D0UDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN62D0UDWQ.pdf DMN62D0UDWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UT-13 DIODES INCORPORATED DMN62D0UT.pdf DMN62D0UT-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UT-7 DMN62D0UT-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260mA; Idm: 1.2A; 340mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.26A
Gate charge: 0.5nC
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN62D0UW-13 DIODES INCORPORATED DMN62D0UW-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UW-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0UW.pdf DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
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DMN62D0UWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf DMN62D0UWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf DMN62D0UWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN62D1LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN62D1LFB.pdf DMN62D1LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN62D1LFD-13 DIODES INCORPORATED DMN62D1LFD.pdf DMN62D1LFD-13 SMD N channel transistors
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DMN62D1LFDQ-7 DIODES INCORPORATED DMN62D1LFDQ.pdf DMN62D1LFDQ-7 SMD N channel transistors
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DMN63D1L-13 DIODES INCORPORATED DMN63D1L.pdf DMN63D1L-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN63D1LDW.pdf DMN63D1LDW-7 Multi channel transistors
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DMN63D1LT-13 DIODES INCORPORATED DMN63D1LT.pdf DMN63D1LT-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LT-7 DIODES INCORPORATED DMN63D1LT-7 SMD N channel transistors
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DMN63D1LV-13 DIODES INCORPORATED DMN63D1LV-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LV-7 DIODES INCORPORATED DMN63D1LV-7 SMD N channel transistors
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DMN63D1LW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D1LW.pdf DMN63D1LW-13 SMD N channel transistors
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DMN63D8L-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8L.pdf DMN63D8L-13 SMD N channel transistors
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DMN63D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8L.pdf DMN63D8L-7 SMD N channel transistors
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DMN63D8LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf DMN63D8LDW-13 Multi channel transistors
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DMN63D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf DMN63D8LDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
227+0.32 EUR
300+0.24 EUR
778+0.092 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF519FACFE38BF&compId=DMN63D8LDW.pdf?ci_sign=54562860a8c4820a8d326ad5a0054fe8d1e71d96 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
491+0.15 EUR
601+0.12 EUR
842+0.085 EUR
1202+0.059 EUR
1244+0.057 EUR
1270+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FDAD26A10D9C745&compId=DMN63D8LV.pdf?ci_sign=dd288f3fd2488c2c7eabedd204bade00f1368026 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
284+0.26 EUR
780+0.092 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 145
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DMN63D8LW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8LW.pdf DMN63D8LW-13 SMD N channel transistors
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DMN63D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LW.pdf DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8L.pdf DMN65D8L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
284+0.26 EUR
550+0.13 EUR
1512+0.047 EUR
9000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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DMN65D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf DMN65D8LDW-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf DMN65D8LDWQ-7 Multi channel transistors
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DMN65D8LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf DMN65D8LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf DMN65D8LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf DMN65D8LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf DMN65D8LQ-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LW.pdf DMN65D8LW-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN66D0LDW.pdf DMN66D0LDW-7 Multi channel transistors
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DMN66D0LT-7 DIODES INCORPORATED ds31530.pdf DMN66D0LT-7 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-13 DIODES INCORPORATED DMN67D7L.pdf DMN67D7L-13 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-7 DIODES INCORPORATED DMN67D7L.pdf DMN67D7L-7 SMD N channel transistors
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DMN67D8L-13 DIODES INCORPORATED DMN67D8L.pdf DMN67D8L-13 SMD N channel transistors
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DMN67D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8L.pdf DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
471+0.15 EUR
1295+0.056 EUR
1563+0.046 EUR
45000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 471
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DMN67D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8LDW.pdf DMN67D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN67D8LW-13 DIODES INCORPORATED DMN67D8LW.pdf DMN67D8LW-13 SMD N channel transistors
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DMN67D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8LW.pdf DMN67D8LW-7 SMD N channel transistors
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DMN80H2D0SCTI DIODES INCORPORATED DMN80H2D0SCTI THT N channel transistors
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DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA4CADCDD798BF&compId=DMN90H8D5HCT.pdf?ci_sign=b0682038557cd54074b736ca1448c3ce2c5ef0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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DMNH10H028SCT DIODES INCORPORATED DMNH10H028SCT.pdf DMNH10H028SCT THT N channel transistors
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DMNH10H028SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3.pdf DMNH10H028SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3Q.pdf DMNH10H028SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPS.pdf DMNH10H028SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPSQ.pdf DMNH10H028SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH3010LK3.pdf DMNH3010LK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH4005SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4005SPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH4006SK3Q.pdf DMNH4006SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4006SPSQ.pdf DMNH4006SPSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN62D0LFB-7B DMN62D0LFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
118+0.6 EUR
188+0.39 EUR
517+0.14 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED925CC86E8CA18&compId=DMN62D0U.pdf?ci_sign=b84092748e037a6441d53ce357a87b3281706301
DMN62D0U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
767+0.093 EUR
841+0.085 EUR
1619+0.044 EUR
1713+0.042 EUR
9000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UDW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UDW-7 DMN62D0UDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
807+0.089 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UDWQ-13 DMN62D0UDWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UDWQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UT-13 DMN62D0UT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UT-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UT-7 DMN62D0UT.pdf
DMN62D0UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260mA; Idm: 1.2A; 340mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.26A
Gate charge: 0.5nC
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN62D0UW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UW-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UW-7 DMN62D0UW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UWQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UWQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D1LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN62D1LFD-13 DMN62D1LFD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D1LFD-13 SMD N channel transistors
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DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN62D1LFDQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D1L-13 DMN63D1L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1L-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1LDW-7 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1LT-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1LT-7 SMD N channel transistors
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DMN63D1LV-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1LV-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D1LW-13 SMD N channel transistors
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DMN63D1LW-7 SMD N channel transistors
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DMN63D8L-13 SMD N channel transistors
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DMN63D8L-7 SMD N channel transistors
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DMN63D8LDW-13 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
227+0.32 EUR
300+0.24 EUR
778+0.092 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 227
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF519FACFE38BF&compId=DMN63D8LDW.pdf?ci_sign=54562860a8c4820a8d326ad5a0054fe8d1e71d96
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
491+0.15 EUR
601+0.12 EUR
842+0.085 EUR
1202+0.059 EUR
1244+0.057 EUR
1270+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FDAD26A10D9C745&compId=DMN63D8LV.pdf?ci_sign=dd288f3fd2488c2c7eabedd204bade00f1368026
DMN63D8LV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.49 EUR
284+0.26 EUR
780+0.092 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LW-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
284+0.26 EUR
550+0.13 EUR
1512+0.047 EUR
9000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8LDW-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LDWQ-7 Multi channel transistors
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DMN65D8LFB-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8LW-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN66D0LDW-7 Multi channel transistors
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DMN66D0LT-7 ds31530.pdf
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DMN66D0LT-7 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-13 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
471+0.15 EUR
1295+0.056 EUR
1563+0.046 EUR
45000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 471
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN67D8LW-13 DMN67D8LW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8LW-13 SMD N channel transistors
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DMN67D8LW-7 SMD N channel transistors
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DMN80H2D0SCTI
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN80H2D0SCTI THT N channel transistors
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DMN90H8D5HCT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA4CADCDD798BF&compId=DMN90H8D5HCT.pdf?ci_sign=b0682038557cd54074b736ca1448c3ce2c5ef0d2
DMN90H8D5HCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SCT DMNH10H028SCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13 DMNH10H028SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SPSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH3010LK3-13 DMNH3010LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH3010LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SPSQ-13 DMNH4005SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3Q-13 DMNH4006SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4006SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4006SPSQ-13 SMD N channel transistors
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