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DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3028LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3029LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3029LFG.pdf DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3030LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3030LSS.pdf DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LE-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf DMN3032LE-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
12500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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DMN3032LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3032LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3032LFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3033LDM-7 DMN3033LDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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DMN3033LSD-13 DMN3033LSD-13 DIODES INCORPORATED ds31262.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5.8A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3033LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3033LSDQ.pdf DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31116.pdf DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3035LWN-7 DIODES INCORPORATED DMN3035LWN.pdf DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
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DMN3042L-13 DIODES INCORPORATED DMN3042L.pdf DMN3042L-13 SMD N channel transistors
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DMN3042L-7 DMN3042L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C970B7E97238BF&compId=DMN3042L.pdf?ci_sign=dc29de961bbfa8e5d871beaa03a4027b9ae91cc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
288+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
582+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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DMN3042LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3042LFDF.pdf DMN3042LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3042LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3042LFDF.pdf DMN3042LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3051L-7 DIODES INCORPORATED ds31347.pdf DMN3051L-7 SMD N channel transistors
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DMN3051LDM-7 DIODES INCORPORATED ds31523.pdf DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
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DMN3053L-13 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf DMN3053L-13 SMD N channel transistors
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DMN3053L-7 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf DMN3053L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
149+0.48 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 149
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DMN3055LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.87W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3055LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.87W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3060LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
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DMN3060LWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3061LCA3.pdf DMN3061LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3061SWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf DMN3061SWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED90BB128E54A18&compId=DMN3065LW.pdf?ci_sign=64395f49275f7994814ea379c2493f36ffcd24f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
202+0.35 EUR
283+0.25 EUR
329+0.22 EUR
562+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3066LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3066LQ.pdf DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3067LW-13 DMN3067LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 98mΩ
Power dissipation: 1.1W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
325+0.22 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3070SSN-7 DIODES INCORPORATED DMN3070SSN.pdf DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3071LFR4-7 DIODES INCORPORATED DMN3071LFR4.pdf DMN3071LFR4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN30H14DLY-13 DIODES INCORPORATED DMN30H14DLY.pdf DMN30H14DLY-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN30H4D0L-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf DMN30H4D0L-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0L-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf DMN30H4D0LFDE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf DMN30H4D0LFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN30H4D1S-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors
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DMN3110S-7 DIODES INCORPORATED DMN3110S.pdf DMN3110S-7 SMD N channel transistors
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DMN3115UDMQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3115UDMQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3135LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN3135LVT.pdf DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3135LVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3135LVTQ.pdf DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
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DMN313DLT-7 DIODES INCORPORATED DMN313DLT.pdf DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
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DMN3150L-7 DIODES INCORPORATED ds31126.pdf DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
590+0.12 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3150LW-7 DIODES INCORPORATED ds31514.pdf DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3190LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
404+0.18 EUR
468+0.15 EUR
553+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3190LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3190LDWQ.pdf DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5L-7 DIODES INCORPORATED DMN31D5L.pdf DMN31D5L-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN31D5UDJ.pdf DMN31D5UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN31D5UFO.pdf DMN31D5UFO-7B SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-13 DMN3027LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3027LFG-7 DMN3027LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN3029LFG-7 DMN3029LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3030LSS-13 DMN3030LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LE-13 DMN3032LE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3032LE-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
12500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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DMN3032LFDB-13 DMN3032LFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDB-7 DMN3032LFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDBQ-13 DMN3032LFDBQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDBQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126
DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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DMN3033LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5.8A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
245+0.29 EUR
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DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
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DMN3042L-13 SMD N channel transistors
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DMN3042L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
288+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
582+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3042LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3042LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3051L-7 SMD N channel transistors
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DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
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DMN3053L-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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149+0.48 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 149
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.87W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.87W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3061LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3061SWQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED90BB128E54A18&compId=DMN3065LW.pdf?ci_sign=64395f49275f7994814ea379c2493f36ffcd24f2
DMN3065LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
202+0.35 EUR
283+0.25 EUR
329+0.22 EUR
562+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3067LW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 98mΩ
Power dissipation: 1.1W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
325+0.22 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3071LFR4-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H14DLY-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0L-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3110S-7 SMD N channel transistors
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DMN3115UDMQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3115UDMQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3135LVT-7 DMN3135LVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3135LVTQ-7 DMN3135LVTQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
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DMN313DLT-7 DMN313DLT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
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DMN3150L-7 ds31126.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
590+0.12 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN3150LW-7 ds31514.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-13 DMN3190LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW.pdf
DMN3190LDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
404+0.18 EUR
468+0.15 EUR
553+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3190LDWQ-7 DMN3190LDWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5L-7 DMN31D5L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN31D5L-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UDJ-7 DMN31D5UDJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN31D5UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UFO-7B DMN31D5UFO.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN31D5UFO-7B SMD N channel transistors
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