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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMT6005LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
66+1.09 EUR
93+0.78 EUR
98+0.73 EUR
500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LCT DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010SCT DIODES INCORPORATED DMT6010SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6011LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6013LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6013LFDF.pdf DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6013LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6015LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT6015LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 127A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6015LPS.pdf DMT6015LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6015LSS.pdf DMT6015LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6016LFDF.pdf DMT6016LFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6016LFDF.pdf DMT6016LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT6016LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6016LPS.pdf DMT6016LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT6016LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf DMT6016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT6017LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6017LFDF.pdf DMT6017LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT6017LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6017LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 29A; Idm: 140A; 2.12W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 29A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6017LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6017LSS.pdf DMT6017LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT6018LDR-13 DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf DMT6018LDR-13 SMD N channel transistors
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DMT6018LDR-7 DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf DMT6018LDR-7 SMD N channel transistors
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DMT6030LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6030LFDF.pdf DMT6030LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT616MLSS-13 DIODES INCORPORATED DMT616MLSS.pdf DMT616MLSS-13 SMD N channel transistors
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DMT64M2LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT64M2LPSW.pdf DMT64M2LPSW-13 SMD N channel transistors
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DMT64M8LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT64M8LCG-13 SMD N channel transistors
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DMT64M8LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT64M8LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT67M8LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT67M8LCG-13 SMD N channel transistors
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DMT67M8LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT67M8LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT67M8LCGQ-7 DIODES INCORPORATED DMT67M8LCGQ-7 SMD N channel transistors
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DMT67M8LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT67M8LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT67M8LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT67M8LPSW.pdf DMT67M8LPSW-13 SMD N channel transistors
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DMT67M8LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT67M8LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT68M8LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT68M8LFV.pdf DMT68M8LFV-7 SMD N channel transistors
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DMT68M8LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT68M8LPS.pdf DMT68M8LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT68M8LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT68M8LSS.pdf DMT68M8LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT69M5LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT69M5LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT69M5LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMT69M5LFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMT6005LPS-13 DMT6005LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LSS-13 DMT6005LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LK3-13 DMT6006LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT6006LSS-13 DMT6006LSS.pdf
DMT6006LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT6006SPS-13 DMT6006SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG.pdf
DMT6007LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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55+1.32 EUR
66+1.09 EUR
93+0.78 EUR
98+0.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-13 DMT6007LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-13 DMT6008LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-7 DMT6008LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LCT DMT6009LCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-7 DMT6010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LPS-13 DMT6010LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS.pdf
DMT6010LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010SCT DMT6010SCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS.pdf
DMT6011LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-13 DMT6012LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-13 DMT6012LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-7 DMT6012LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMT6012LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMT6013LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 127A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6017LFDF-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 29A; Idm: 140A; 2.12W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 29A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6017LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DMT6018LDR.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6018LDR-13 SMD N channel transistors
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DMT6018LDR-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6030LFDF-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT616MLSS-13 DMT616MLSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT616MLSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT64M2LPSW-13 DMT64M2LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT64M2LPSW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT64M8LCG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT64M8LCG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT64M8LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT64M8LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LCG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LCG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LCG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LCG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LCGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LCGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LPSW-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT67M8LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT68M8LFV-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT68M8LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT68M8LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DMT69M5LCG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT69M5LCG-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT69M5LFVWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT69M5LFVWQ-13 SMD N channel transistors
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