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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2990UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJ.pdf DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJQ.pdf DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
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DMN2990UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFA.pdf DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN2990UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 620mA; Idm: 1.5A; 920mW
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 410pC
Drain current: 620mA
Power dissipation: 920mW
Pulsed drain current: 1.5A
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2990UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 170mA; Idm: 0.8A; 320mW
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.17A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2991UDA-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UDA.pdf DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
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DMN2991UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2991UDJ.pdf DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
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DMN2991UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
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DMN2991UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMN3008SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3008SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3008SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFGQ.pdf DMN3008SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3009LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3009LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMN3009SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3009SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFGQ.pdf DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
122+0.59 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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DMN3009SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SSS.pdf DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LK3.pdf DMN3010LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3010LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31259.pdf DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3013LDG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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DMN3013LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3015LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3016LDN-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDN-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDF.pdf DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LK3.pdf DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LPS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LPS.pdf DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LSS.pdf DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SSD-13 DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
129+0.55 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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DMN3018SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSS.pdf DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF.pdf DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3023L-13 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf DMN3023L-13 SMD N channel transistors
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DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf DMN3023L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
329+0.21 EUR
355+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LK3.pdf DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
110+0.65 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSS.pdf DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMN3025LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3025LFV-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf DMN3025LFV-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LSS.pdf DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN3026LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 35A; 1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN2990UDJQ-7 DMN2990UDJQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFA-7B DMN2990UFA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFB-7B DMN2990UFB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 620mA; Idm: 1.5A; 920mW
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 410pC
Drain current: 620mA
Power dissipation: 920mW
Pulsed drain current: 1.5A
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 170mA; Idm: 0.8A; 320mW
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.17A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDA-7B DMN2991UDA.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UDJ-7 DMN2991UDJ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFO-7B
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UFZ-7B DMN2991UFZ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN3007LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN3007LSSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
122+0.59 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
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DMN3010LK3-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3013LDG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
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DMN3013LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
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DMN3015LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LDV-7 DMN3016LDV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3016LK3-13 DMN3016LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SFGQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3018SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02
DMN3018SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
129+0.55 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN3020UFDF-13 DMN3020UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3021LFDF-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN3023L-13 DMN3023L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-13 SMD N channel transistors
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DMN3023L-7 DMN3023L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
329+0.21 EUR
355+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN3024LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe
DMN3024LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
110+0.65 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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DMN3024LSS-13 DMN3024LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG.pdf
DMN3024SFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFDF-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFG-13 DMN3025LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFG-7 DMN3025LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFV-13 DMN3025LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFV-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LFV-7 DMN3025LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3025LSS-13 DMN3025LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3026LVT-7 DMN3026LVT.pdf
DMN3026LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 35A; 1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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