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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
DMT2004UFV-7	DIODES INCORPORATED	DMT2004UFV-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2005UDV-13	DIODES INCORPORATED	DMT2005UDV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFGQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3004LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W Drain-source voltage: 30V Drain current: 17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 43.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 180A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.8A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.8A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFVQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LPB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LDT-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: V-DFN3030-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009UFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.6W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LDV-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.7A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LSDQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020UFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.2A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 8.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT30M9LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 160.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT31M6LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT31M6LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-7	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT34M1LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT34M1LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 14.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT35M4LFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M7LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT36M1LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4002LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 116.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4003SCT	DIODES INCORPORATED	DMT4003SCT THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4004LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT4004LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4005SCT	DIODES INCORPORATED	DMT4005SCT THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4008LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.7A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4011LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4011LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2LDV-7	DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 14.8W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 14.8W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2LDVQ-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2SFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2SFVWQ-13	DIODES INCORPORATED	DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2SFVWQ-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2SFVWQ-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT5015LFDF-13	DIODES INCORPORATED	DMT5015LFDF-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT5015LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6002LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 130.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6004LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 78.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6004SCT	DIODES INCORPORATED	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 180A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6004SPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6005LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Gate charge: 48.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6005LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Gate charge: 48.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT2004UFV-7