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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN6017SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN6017SK3.pdf DMN6017SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN601DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30657.pdf DMN601DMK-7 SMD N channel transistors
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DMN601DWK-7 DIODES INCORPORATED DMN601DWK.pdf DMN601DWK-7 SMD N channel transistors
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DMN601DWKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601DWKQ.pdf DMN601DWKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN601K-7 DIODES INCORPORATED DMN601K.pdf DMN601K-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
475+0.16 EUR
675+0.11 EUR
1875+0.039 EUR
12000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 475
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DMN601TK-7 DIODES INCORPORATED ds30654.pdf DMN601TK-7 SMD N channel transistors
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DMN601VK-7 DIODES INCORPORATED DMN601VK-7 SMD N channel transistors
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DMN601VKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601VKQ.pdf DMN601VKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN601WK-7 DIODES INCORPORATED ds30653.pdf DMN601WK-7 SMD N channel transistors
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DMN601WKQ-13 DIODES INCORPORATED DMN601WKQ.pdf DMN601WKQ-13 SMD N channel transistors
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DMN601WKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601WKQ.pdf DMN601WKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN6022SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN6022SSD.pdf DMN6022SSD-13 SMD N channel transistors
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DMN6040SE-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 30A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.66W
Case: U-DFN2020-6 Type E
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SFDEQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.1A; Idm: 30A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
171+0.42 EUR
205+0.35 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA282298BF8748&compId=DMN6040SSD.pdf?ci_sign=cf649a4e662276bf99a4f263dde1ed28a03c3d0d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
149+0.48 EUR
264+0.27 EUR
278+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13 DMN6040SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 1.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ13 DMN6040SSDQ13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED914734BAC0A18&compId=DMN6040SSS.pdf?ci_sign=64e05d3a711f59694d9cd684613cd3f64c25471c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.4A; 1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
243+0.29 EUR
268+0.27 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVT-7 DMN6040SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVTQ-13 DMN6040SVTQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN6066SSD.pdf DMN6066SSD-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6066SSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN6066SSS.pdf DMN6066SSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN6068LK3.pdf DMN6068LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068SE-13 DIODES INCORPORATED ds32033.pdf DMN6068SE-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
302+0.24 EUR
319+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068SEQ-13 DIODES INCORPORATED ds32033.pdf DMN6068SEQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SE-13 DIODES INCORPORATED DMN6069SE.pdf DMN6069SE-13 SMD N channel transistors
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DMN6069SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN6069SFG.pdf DMN6069SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN6069SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN6069SFG.pdf DMN6069SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN6069SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6069SFGQ.pdf DMN6069SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMN6069SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN6069SFGQ.pdf DMN6069SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMN6070SFCL-7 DIODES INCORPORATED DMN6070SFCL.pdf DMN6070SFCL-7 SMD N channel transistors
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9F1723411F8BF&compId=DMN6070SSD.pdf?ci_sign=d8d7c343cd3b8702d0188bb6fa73324ace296c69 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
244+0.29 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6070SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6070SSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6070SY-13 DIODES INCORPORATED DMN6070SY.pdf DMN6070SY-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DIODES INCORPORATED DMN6075S.pdf DMN6075S-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-7 DIODES INCORPORATED DMN6075S.pdf DMN6075S-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
158+0.45 EUR
793+0.09 EUR
839+0.085 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6075SQ.pdf DMN6075SQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN60H080DS-13 DIODES INCORPORATED DMN60H080DS.pdf DMN60H080DS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN60H080DS-7 DIODES INCORPORATED DMN60H080DS.pdf DMN60H080DS-7 SMD N channel transistors
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DMN6140L-13 DMN6140L-13 DIODES INCORPORATED DMN6140L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
407+0.18 EUR
575+0.12 EUR
665+0.11 EUR
849+0.084 EUR
884+0.081 EUR
898+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6140L-7 DMN6140L-7 DIODES INCORPORATED DMN6140L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
254+0.28 EUR
385+0.19 EUR
463+0.15 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6140LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
317+0.23 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6140LQ-7
+1
 		DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN6140LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
177+0.41 EUR
205+0.35 EUR
336+0.21 EUR
414+0.17 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8L-13 DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf DMN61D8L-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf DMN61D8L-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN61D8LQ.pdf DMN61D8LQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN61D8L-LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Power dissipation: 1.09W
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-13 DIODES INCORPORATED DMN61D8LVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN61D8LVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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DMN61D9UDW-7 DIODES INCORPORATED DMN61D9UDW.pdf DMN61D9UDW-7 Multi channel transistors
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DMN61D9UDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN61D9UDWQ.pdf DMN61D9UDWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN61D9UWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf DMN61D9UWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN61D9UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf DMN61D9UWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN62D0LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN62D0LFB.pdf DMN62D0LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN6017SK3-13 DMN6017SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6017SK3-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601DMK-7 SMD N channel transistors
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DMN601DWK-7 DMN601DWK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601DWK-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601DWKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN601K-7 DMN601K.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601K-7 SMD N channel transistors
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DMN601TK-7 ds30654.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601TK-7 SMD N channel transistors
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DMN601VK-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601VK-7 SMD N channel transistors
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DMN601VKQ-7 DMN601VKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601VKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN601WK-7 ds30653.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601WK-7 SMD N channel transistors
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DMN601WKQ-13 DMN601WKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601WKQ-13 SMD N channel transistors
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DMN601WKQ-7 DMN601WKQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN601WKQ-7 SMD N channel transistors
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DMN6022SSD-13 DMN6022SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6022SSD-13 SMD N channel transistors
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DMN6040SE-13 DMN6040SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 30A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7 DMN6040SFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.66W
Case: U-DFN2020-6 Type E
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN6040SFDEQ-7 DMN6040SFDEQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.1A; Idm: 30A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN6040SK3-13 DMN6040SK3.pdf
DMN6040SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13 DMN6040SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA282298BF8748&compId=DMN6040SSD.pdf?ci_sign=cf649a4e662276bf99a4f263dde1ed28a03c3d0d
DMN6040SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
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278+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13 DMN6040SSDQ.pdf
DMN6040SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 1.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ13
DMN6040SSDQ13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSS-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED914734BAC0A18&compId=DMN6040SSS.pdf?ci_sign=64e05d3a711f59694d9cd684613cd3f64c25471c
DMN6040SSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.4A; 1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
243+0.29 EUR
268+0.27 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVT-7 DMN6040SVT.pdf
DMN6040SVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVTQ-13 DMN6040SVTQ.pdf
DMN6040SVTQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ.pdf
DMN6040SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6066SSD-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6066SSDQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6066SSS-13 DMN6066SSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6066SSS-13 SMD N channel transistors
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6068LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068SE-13 ds32033.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6068SE-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
302+0.24 EUR
319+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6068SEQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SE-13 DMN6069SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6069SE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SFG-13 DMN6069SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6069SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SFG-7 DMN6069SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6069SFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SFGQ-13 DMN6069SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6069SFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6069SFGQ-7 DMN6069SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6069SFGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6070SFCL-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6070SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9F1723411F8BF&compId=DMN6070SSD.pdf?ci_sign=d8d7c343cd3b8702d0188bb6fa73324ace296c69
DMN6070SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
244+0.29 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN6070SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6070SSDQ-13 Multi channel transistors
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DMN6070SY-13 DMN6070SY.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6070SY-13 SMD N channel transistors
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DMN6075S-13 DMN6075S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6075S-13 SMD N channel transistors
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DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6075S-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
158+0.45 EUR
793+0.09 EUR
839+0.085 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6075SQ-13 SMD N channel transistors
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DMN60H080DS-13 DMN60H080DS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN60H080DS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN60H080DS-7 DMN60H080DS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN60H080DS-7 SMD N channel transistors
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DMN6140L-13 DMN6140L.pdf
DMN6140L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
407+0.18 EUR
575+0.12 EUR
665+0.11 EUR
849+0.084 EUR
884+0.081 EUR
898+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6140L-7 DMN6140L.pdf
DMN6140L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
254+0.28 EUR
385+0.19 EUR
463+0.15 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
317+0.23 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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DMN6140LQ-7
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
177+0.41 EUR
205+0.35 EUR
336+0.21 EUR
414+0.17 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
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DMN61D8LVT-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN61D8LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Power dissipation: 1.09W
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN61D8LVTQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN61D8LVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN61D9UDW-7 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN61D9UDWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN61D9UWQ-13 SMD N channel transistors
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