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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT47M2LDVQ-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2LDVQ.pdf DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT47M2SFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVW.pdf DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors
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DMT47M2SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVWQ.pdf DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMT47M2SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMT47M2SFVWQ.pdf DMT47M2SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMT5015LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT5015LFDF-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT5015LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6002LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6004LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6004SCT DMT6004SCT DIODES INCORPORATED DMT6004SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6004SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6004SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6005LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6005LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8D3B828DD8BF&compId=DMT6007LFG.pdf?ci_sign=7389a1298bec0416047b0c9549696870fff63a3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LCT DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010SCT DIODES INCORPORATED DMT6010SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6011LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf DMT6012LFV-13 SMD N channel transistors
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DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6012LFV.pdf DMT6012LFV-7 SMD N channel transistors
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DMT6012LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 10.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT6013LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT6013LFDF.pdf DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT6015LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6015LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT6016LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf DMT6016LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT6017LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6017LFDF.pdf DMT6017LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT6017LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT6017LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 29A; Idm: 140A; 2.12W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 29A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT6017LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6017LSS.pdf DMT6017LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT6018LDR-13 DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf DMT6018LDR-13 SMD N channel transistors
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DMT6018LDR-7 DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf DMT6018LDR-7 SMD N channel transistors
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DMT6030LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT6030LFDF.pdf DMT6030LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT616MLSS-13 DIODES INCORPORATED DMT616MLSS.pdf DMT616MLSS-13 SMD N channel transistors
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DMT64M2LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT64M2LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16.6A; Idm: 400A; 2.8W
Mounting: SMD
Gate charge: 46.7nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.4mΩ
Drain current: 16.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT64M8LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT64M8LCG-13 SMD N channel transistors
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DMT47M2LDVQ-7 DMT47M2LDVQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors
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DMT47M2SFVW-7 DMT47M2SFVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors
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DMT47M2SFVWQ-13 DMT47M2SFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMT47M2SFVWQ-7 DMT47M2SFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT47M2SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMT5015LFDF-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT5015LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT5015LFDF-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT6002LPS-13 DMT6002LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMT6004SPS-13 DMT6004SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LFG-13 DMT6005LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LFG-7 DMT6005LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.7A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LSS-13 DMT6005LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LK3-13 DMT6006LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS.pdf
DMT6006LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8D3B828DD8BF&compId=DMT6007LFG.pdf?ci_sign=7389a1298bec0416047b0c9549696870fff63a3a
DMT6007LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-13 DMT6007LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-13 DMT6008LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6008LFG-7 DMT6008LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LCT DMT6009LCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29.8A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LFG-7 DMT6010LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LPS-13 DMT6010LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS.pdf
DMT6010LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6010SCT DMT6010SCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS.pdf
DMT6011LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-13 DMT6012LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-13 DMT6012LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6012LFV-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LFV-7 DMT6012LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6012LFV-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LPSW-13 DMT6012LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 10.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.84W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6013LFDF-7 DMT6013LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6013LFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6013LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LFV-7 DMT6015LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LFVW-7 DMT6015LFVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6015LFVW-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6015LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6015LSS-13 DMT6015LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6015LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LFDF-13 DMT6016LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6016LFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LFDF-7 DMT6016LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6016LFDF-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LPS-13 DMT6016LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6016LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6016LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6017LFDF-13 DMT6017LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6017LFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 29A; Idm: 140A; 2.12W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 29A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6017LSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DMT6018LDR.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6018LDR-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-7 DMT6018LDR.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6018LDR-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6030LFDF-13 DMT6030LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT6030LFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT616MLSS-13 DMT616MLSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT616MLSS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT64M2LPSW-13 DMT64M2LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16.6A; Idm: 400A; 2.8W
Mounting: SMD
Gate charge: 46.7nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.4mΩ
Drain current: 16.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT64M8LCG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT64M8LCG-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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