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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMPH6050SPD-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SPD.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SPDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E1F857752698BF&compId=DMPH6050SSD.pdf?ci_sign=5162d59bb05289f32adacef9f0c09f5fca24f3e7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; 1.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.7A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250S-13 DMPH6250S-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250S-7 DMPH6250S-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2085LSD-13 DIODES INCORPORATED DMS2085LSD.pdf DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2120LFWB-7 DIODES INCORPORATED ds31667.pdf DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2220LFDB-7 DIODES INCORPORATED ds31546.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFG-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFG.pdf DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LCG.pdf DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LFG.pdf DMT10H009LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LH3 DIODES INCORPORATED DMT10H009LH3.pdf DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LK3.pdf DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LSS.pdf DMT10H009LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SK3.pdf DMT10H009SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SPS.pdf DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LCT DIODES INCORPORATED DMT10H010LCT.pdf DMT10H010LCT THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LK3.pdf DMT10H010LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LPS.pdf DMT10H010LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LSS.pdf DMT10H010LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010SPS.pdf DMT10H010SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H014LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H014LSS.pdf DMT10H014LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf DMT10H015LFG-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf DMT10H015LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LK3.pdf DMT10H015LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LPS.pdf DMT10H015LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015SK3.pdf DMT10H015SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015SPS.pdf DMT10H015SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H017LPD-13 DIODES INCORPORATED DMT10H017LPD.pdf DMT10H017LPD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H025LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LK3.pdf DMT10H025LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LSS.pdf DMT10H025LSS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H025SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025SK3.pdf DMT10H025SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025SSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025SSS.pdf DMT10H025SSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H032LDV-13 DIODES INCORPORATED DMT10H032LDV.pdf DMT10H032LDV-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H032LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT10H032LFDF.pdf DMT10H032LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT10H032LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT10H032LFVW.pdf DMT10H032LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFDF.pdf DMT10H072LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFDFQ-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFDFQ.pdf DMT10H072LFDFQ-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFV.pdf DMT10H072LFV-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H072LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFV.pdf DMT10H072LFV-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H4M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H4M5LPS.pdf DMT10H4M5LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H007LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT12H007LPS.pdf DMT12H007LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H007SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT12H007SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H060LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT12H060LFDF.pdf DMT12H060LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H065LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H065LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT12H090LFDF4-7 DIODES INCORPORATED DMT12H090LFDF4.pdf DMT12H090LFDF4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT15H017LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017LPS.pdf DMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT15H017LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017LPSW.pdf DMT15H017LPSW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT15H017SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017SK3.pdf DMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT2004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13 DMPH6050SPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E1F857752698BF&compId=DMPH6050SSD.pdf?ci_sign=5162d59bb05289f32adacef9f0c09f5fca24f3e7
DMPH6050SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; 1.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ.pdf
DMPH6050SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.7A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250S-13 DMPH6250S.pdf
DMPH6250S-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250S-7 DMPH6250S.pdf
DMPH6250S-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LFG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LCT THT N channel transistors
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DMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF.pdf
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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