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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH3004LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH3004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH31M7LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH32M5LPSQ.pdf DMTH32M5LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004LK3.pdf DMTH4004LK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004LK3Q.pdf DMTH4004LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004LPS.pdf DMTH4004LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004LPSQ.pdf DMTH4004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4004SCTBQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4004SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004SPS.pdf DMTH4004SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4004SPSQ.pdf DMTH4004SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH4005SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH4005SK3Q.pdf DMTH4005SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH4005SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4005SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 49.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Case: PowerDI5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4005SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4005SPSQ.pdf DMTH4005SPSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 44A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007LK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.9A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007LPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007SPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007SPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFW-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4008LFDFWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH4008LFDFWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMTH4008LPDW-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4008LPDWQ.pdf DMTH4008LPDWQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4008LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.2A; Idm: 110A; 2.99W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.2A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4008LPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.2A; Idm: 110A; 2.99W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.2A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13 DIODES INCORPORATED DMTH4011SPD.pdf DMTH4011SPD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4011SPDQ.pdf DMTH4011SPDQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-13 DIODES INCORPORATED DMTH4014LDVW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4014LDVWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4014LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH4014LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13 DIODES INCORPORATED DMTH4014LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH4014LPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH41M8SPS.pdf DMTH41M8SPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH41M8SPSQ.pdf DMTH41M8SPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LFGQ.pdf DMTH43M8LFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LFGQ.pdf DMTH43M8LFGQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LK3.pdf DMTH43M8LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LK3Q.pdf DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPSQ.pdf DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5LPDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPDWQ.pdf DMTH45M5LPDWQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPSWQ.pdf DMTH45M5LPSWQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5SPDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5SPDWQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH47M2LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH47M2LFVWQ.pdf DMTH47M2LFVWQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH47M2LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMTH47M2LPSW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 51A; Idm: 292A; 3.8W
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 292A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 51A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH48M3SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH48M3SFVWQ.pdf DMTH48M3SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH48M3SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH48M3SFVWQ.pdf DMTH48M3SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6002LPS.pdf DMTH6002LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6002LPSWQ.pdf DMTH6002LPSWQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004LPS.pdf DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6004LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004LPSQ.pdf DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6004SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6004SCTBQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
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DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CAA0E62B1A38BF&compId=DMTH6004SK3Q.pdf?ci_sign=44945004b091d05cf2809c979a26c92b13976565 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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DMTH3004LPSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH3004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH31M7LPSQ-13
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4004SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH4004SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH4005SK3Q-13 DMTH4005SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4005SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH4005SPS-13 DMTH4005SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 49.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Case: PowerDI5060-8
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DMTH4005SPSQ-13 DMTH4005SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4005SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH4007LK3-13 DMTH4007LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 44A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
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DMTH4007LK3Q-13 DMTH4007LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.9A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
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DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
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DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
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DMTH4008LFDFW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMTH4008LPDW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPDW-13 Multi channel transistors
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DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPDWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.2A; Idm: 110A; 2.99W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.2A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.2A; Idm: 110A; 2.99W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.2A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13 DMTH4011SPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4011SPD-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4011SPDQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-13 DMTH4014LDVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13 DMTH4014LDVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13 DMTH4014LFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7 DMTH4014LFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13 DMTH4014LPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13 DMTH4014LPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH41M8SPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH41M8SPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LFGQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LK3-13 DMTH43M8LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5LPDWQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5LPSWQ-13 DMTH45M5LPSWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH45M5SPDWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5SPDWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH47M2LFVWQ-13 DMTH47M2LFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LFVWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH47M2LPSW-13 DMTH47M2LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 51A; Idm: 292A; 3.8W
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 292A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 51A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH47M2LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH48M3SFVWQ-13 DMTH48M3SFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH48M3SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH48M3SFVWQ-7 DMTH48M3SFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH48M3SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6002LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6002LPSWQ-13 DMTH6002LPSWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6002LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004LPS-13 DMTH6004LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004LPSQ-13 DMTH6004LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004SCTB-13 DMTH6004SCTB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SCTBQ-13 DMTH6004SCTBQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004SK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004SK3Q-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CAA0E62B1A38BF&compId=DMTH6004SK3Q.pdf?ci_sign=44945004b091d05cf2809c979a26c92b13976565
DMTH6004SK3Q-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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