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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IS21ES04G-JCLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS21ES04G-JCLI - Flash-Speicher, eMMC, eMMC-NAND, 4 GB, Parallel, FBGA, 153 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: FBGA Flash-Speicher: eMMC-NAND MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Taktfrequenz: 200 Speicherkonfiguration Flash: - Anzahl der Pins: 153 Speichergröße: 4 Produktpalette: 3.3V MLC NAND Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS21ES08G-JCLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS21ES08G-JCLI - Flash-Speicher, eMMC, eMMC-NAND, 8 GB, Parallel, FBGA, 153 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: FBGA Flash-Speicher: eMMC-NAND MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Taktfrequenz: 200 Speicherkonfiguration Flash: - Anzahl der Pins: 153 Speichergröße: 8 Produktpalette: 3.3V MLC NAND Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25LP016B-JBLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP016B-JBLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: SOIC Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.3 Taktfrequenz: 104 Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 16 Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25LP016B-JNLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP016B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: SOIC Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.3 Taktfrequenz: 104 Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 16 Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25LP064A-JKLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP064A-JKLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: WSON Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.3 Taktfrequenz: 133 Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 64 Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25LQ010B-JNLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LQ010B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: SOIC Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.3 Taktfrequenz: 104 Speicherkonfiguration Flash: 128K x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 1 Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25LQ040B-JNLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LQ040B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: SOIC Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.3 Taktfrequenz: 104 Speicherkonfiguration Flash: 512K x 8 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	auf Bestellung 12595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS25WJ032F-JNLE	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25WJ032F-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 32Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS34ML04G084-TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS34ML04G084-TLI - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 25ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS41LV16100D-50TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16100D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44 tariffCode: 85423290 MSL: MSL 3 - 168 Stunden productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Anzahl der Pins: 44Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 16Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: IS41LV SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS41LV16105D-50TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16105D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44 tariffCode: 85423290 productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: -MHz Anzahl der Pins: 44Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 16Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: IS41LV SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16160G-7BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16160G-7BLI - DRAM, 16M x 16 Bit, 7ns, LVTTL-Schnittstelle, BGA-54 tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16320D-7TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16320D-7TLI - DRAM, 32M x 16 Bit, 7ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-54 tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16400J-7BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16400J-7BLI - SDRAM, 4M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16400J-7TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16400J-7TLI - SDRAM, 4M x 16 Bit, 7ns, TSOP-II-54 tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 64 IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 7 Versorgungsspannung, nom.: 3.3 IC-Schnittstelle: LVTTL Taktfrequenz, max.: 143 Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 143 euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54 Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 4M x 16 bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16800F-6BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16800F-7BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7BLI - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 143 MHz, BGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S16800F-7TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7TLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-54 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pins Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S32200L-7TLI-TR	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32200L-7TLI-TR - SDRAM, 2M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 86Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S32200L-7TLI-TR	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32200L-7TLI-TR - SDRAM, 2M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 86Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S32400F-7TLI-TR	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32400F-7TLI-TR - SDRAM, 4M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 86Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 1367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S32400F-7TLI-TR	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32400F-7TLI-TR - SDRAM, 4M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 86Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 1367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS42S32800J-7TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32800J-7TLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-86 tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 86Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43DR16128C-25DBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16128C-25DBLI - DRAM, 128M x 16 Bit, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 16 bit SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43DR16160B-37CBL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16160B-37CBL - DRAM, 16M x 16 Bit, 500ps, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 256 Zugriffszeit: 500 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 266 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43DR16640C-25DBL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBL - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43DR16640C-25DBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBLI - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43DR86400D-25DBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 512 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 400 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 60 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LD16128C-18BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LD16640C-25BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LD32640B-18BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LD32640B-25BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 2 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LQ16256B-062BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ16256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LQ32128A-062TBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ32128A-062TBLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43LQ32256B-062BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ32256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43R16160B-6TL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II hazardous: false DRAM-Dichte: 256 MSL: MSL 5 - 48 Stunden Zugriffszeit: 700 usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 2.5 Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 166 euEccn: NLR Seitengröße: 256 Anzahl der Pins: 66 Produktpalette: IS43R Betriebstemperatur, max.: 70 Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16128CL-125KBL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16128CL-125KBL - SDRAM, 128M x 16 Bit, 255ps, parallele Schnittstelle, BGA-96 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: IS43TR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16256AL-125KBL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBL - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96 DRAM-Ausführung: DDR3L Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 4 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.35 Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 800 Anzahl der Pins: 96 Produktpalette: IS43TR Betriebstemperatur, max.: 95 Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16256AL-125KBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBLI - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96 DRAM-Ausführung: DDR3L Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.35 Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 800 Anzahl der Pins: 96 Produktpalette: IS43TR Betriebstemperatur, max.: 95 Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16512AL-125KBL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBL - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96 DRAM-Ausführung: DDR3L Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 8 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 275 Versorgungsspannung, nom.: 1.35 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 800 Seitengröße: 2048 Anzahl der Pins: 96 Produktpalette: IS43TR Betriebstemperatur, max.: 95 Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16512AL-125KBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBLI - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96 DRAM-Ausführung: DDR3L Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 8 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 275 Versorgungsspannung, nom.: 1.35 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 800 Seitengröße: 2048 Anzahl der Pins: 96 Produktpalette: IS43TR Betriebstemperatur, max.: 95 Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR16640BL-107MBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16640BL-107MBLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, 195ps, parallele Schnittstelle, BGA-96 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: IS43TR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS43TR85120BL-125KBLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61C256AL-12JLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61C256AL-12JLI - IC, SRAM, 256KBIT, 12NS, SOJ-28 tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchronous SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61LV25616AL-10TL	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61LV25616AL-10TL - SRAM, 4MBIT, 10NS, TSOP-2-44 tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: 3A991.b.1.b.1 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchronous SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16bit directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61LV5128AL-10TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV102416DBLL-10BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV102416FBLL-10TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV51216BLL-10MLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV5128BLL-10TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS61WV5128FBLL-10TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS62C256AL-45ULI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62C256AL-45ULI - IC, SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, 4,5 V bis 5.5 V Versorgungsspannung, SOP-28 Bauform - Speicherbaustein: SOIC Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 45 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS62WV12816BLL-55BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV12816BLL-55BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA Speicherdichte: 2Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS62WV25616EBLL-45TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV25616EBLL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Kbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 256K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Speichergröße: 4Kbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS62WV51216EBLL-45TLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IS66WV51216EBLL-70BLI	INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)	Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS21ES04G-JCLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS21ES04G-JCLI - Flash-Speicher, eMMC, eMMC-NAND, 4 GB, Parallel, FBGA, 153 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
Flash-Speicher: eMMC-NAND
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: 200
Speicherkonfiguration Flash: -
Anzahl der Pins: 153
Speichergröße: 4
Produktpalette: 3.3V MLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS21ES08G-JCLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS21ES08G-JCLI - Flash-Speicher, eMMC, eMMC-NAND, 8 GB, Parallel, FBGA, 153 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
Flash-Speicher: eMMC-NAND
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: 200
Speicherkonfiguration Flash: -
Anzahl der Pins: 153
Speichergröße: 8
Produktpalette: 3.3V MLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25LP016B-JBLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP016B-JBLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Taktfrequenz: 104
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25LP016B-JNLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP016B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Taktfrequenz: 104
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25LP064A-JKLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP064A-JKLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WSON
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Taktfrequenz: 133
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25LQ010B-JNLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LQ010B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Taktfrequenz: 104
Speicherkonfiguration Flash: 128K x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25LQ040B-JNLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LQ040B-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Taktfrequenz: 104
Speicherkonfiguration Flash: 512K x 8 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 12595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS25WJ032F-JNLE

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25WJ032F-JNLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS34ML04G084-TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS34ML04G084-TLI - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 25ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS41LV16100D-50TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16100D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 16Mbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: IS41LV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS41LV16105D-50TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16105D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 16Mbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: IS41LV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16160G-7BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16160G-7BLI - DRAM, 16M x 16 Bit, 7ns, LVTTL-Schnittstelle, BGA-54
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16320D-7TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16320D-7TLI - DRAM, 32M x 16 Bit, 7ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-54
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16400J-7BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16400J-7BLI - SDRAM, 4M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16400J-7TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16400J-7TLI - SDRAM, 4M x 16 Bit, 7ns, TSOP-II-54
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 7
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Taktfrequenz, max.: 143
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 143
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 4M x 16 bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16800F-6BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16800F-7BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7BLI - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 143 MHz, BGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S16800F-7TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7TLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pins
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S32200L-7TLI-TR

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32200L-7TLI-TR - SDRAM, 2M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 86Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S32200L-7TLI-TR

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S32400F-7TLI-TR

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32400F-7TLI-TR - SDRAM, 4M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-86
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 86Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S32400F-7TLI-TR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S32800J-7TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32800J-7TLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-86
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 86Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 310 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43DR16128C-25DBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16128C-25DBLI - DRAM, 128M x 16 Bit, WBGA-84
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: WBGA
DRAM-Dichte: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 84
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 16 bit
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43DR16160B-37CBL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16160B-37CBL - DRAM, 16M x 16 Bit, 500ps, WBGA-84
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: WBGA
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 500
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 266
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 84
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43DR16640C-25DBL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBL - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: WBGA
DRAM-Dichte: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 400
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 84
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43DR16640C-25DBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBLI - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: WBGA
DRAM-Dichte: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 84
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43DR86400D-25DBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LD16128C-18BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LD16640C-25BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 1
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 134
Produktpalette: IS43LD
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LD32640B-18BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LD32640B-25BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 2
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 134
Produktpalette: IS43LD
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LQ16256B-062BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ16256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LQ32128A-062TBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ32128A-062TBLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43LQ32256B-062BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LQ32256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43R16160B-6TL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16128CL-125KBL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16128CL-125KBL - SDRAM, 128M x 16 Bit, 255ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: IS43TR
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16256AL-125KBL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBL - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 4
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 800
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16256AL-125KBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256AL-125KBLI - DRAM, 256M x 16 Bit, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 800
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 16bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16512AL-125KBL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBL - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 275
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 800
Seitengröße: 2048
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16512AL-125KBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBLI - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 275
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 800
Seitengröße: 2048
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR16640BL-107MBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16640BL-107MBLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, 195ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: IS43TR
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS43TR85120BL-125KBLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 513 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS61C256AL-12JLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61C256AL-12JLI - IC, SRAM, 256KBIT, 12NS, SOJ-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS61LV25616AL-10TL

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61LV25616AL-10TL - SRAM, 4MBIT, 10NS, TSOP-2-44
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS61LV5128AL-10TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS61WV102416DBLL-10BLI

ISSI-S-A0017755690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS61WV102416FBLL-10TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IS61WV51216BLL-10MLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IS61WV51216EDBLL-10TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IS61WV5128BLL-10TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IS61WV5128FBLL-10TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IS62C256AL-45ULI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62C256AL-45ULI - IC, SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, 4,5 V bis 5.5 V Versorgungsspannung, SOP-28
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 45
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 28
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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IS62WV12816BLL-55BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV12816BLL-55BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS62WV25616EBLL-45TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV25616EBLL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Kbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS62WV51216EBLL-45TLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS66WV51216EBLL-70BLI

Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH