Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (1309) > Seite 13 nach 22
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFH7194TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFH7914TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFH7934TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7936TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7936 - N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFNPackaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM4234TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DLPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFI1010N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFI1310N | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310nAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI3205 | International Rectifier |
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI3306GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFI4020H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117pAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 Anzahl je Verpackung: 38 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI4228PBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFI4229 | International Rectifier |
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4321 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI520N | International Rectifier |
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520NAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI520NPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFI530N | International Rectifier |
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI720G | International Rectifier |
N-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 isoAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI7440GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFI7536GPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFI9630G | International Rectifier |
P-MOSFET 200V 4.3A 35W IRFI9630G VISHAY TIRFI9630gAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFIB41N15D | International Rectifier |
N-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFIRL60B216 | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFIZ24N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFIZ24N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFIZ34N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 21A 37W IRFIZ34N Infineon TIRFIZ34n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFIZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 31A 45W IRFIZ44N Infineon TIRFIZ44nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFIZ46N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46nAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL014NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL024NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024nAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL4105TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4105 TIRFL4105Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL4310TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFL4310TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL4315 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFM150 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFM250 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFM9240 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFMG50 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP048N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP048NPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP054N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP1405 | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 95A 5.3mΩ 310W IRFP1405 International Recifer TIRFP1405Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP140N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 140W 0.052Ω IRFP140N IRFP140N TIRFP140nAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP150M | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRFP150M TIRFP150m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH7194TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7914TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1126+ | 0.45 EUR |
| IRFH7921TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
auf Bestellung 7666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.8 EUR |
| IRFH7932TR |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.42 EUR |
| IRFH7934TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 318+ | 1.42 EUR |
| IRFH7936TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.8 EUR |
| IRFH8316TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 590+ | 0.77 EUR |
| IRFH8321TR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.09 EUR |
| IRFHE4250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 3.32 EUR |
| IRFHM4234TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 525+ | 0.86 EUR |
| IRFHM8337TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM8342TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1010N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.59 EUR |
| IRFI1010NPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFI1310N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.09 EUR |
| IRFI3205 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.37 EUR |
| IRFI3306GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 151+ | 3 EUR |
| IRFI4020H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 8.86 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.55 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.55 EUR |
| IRFI4227 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.77 EUR |
| IRFI4227 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 3.77 EUR |
| IRFI4228PBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 189+ | 2.4 EUR |
| IRFI4229 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 6.63 EUR |
| IRFI4321 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 8.49 EUR |
| IRFI520N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.35 EUR |
| IRFI520NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFI530N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.2 EUR |
| IRFI540N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.8 EUR |
| IRFI540N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.8 EUR |
| IRFI720G |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.36 EUR |
| IRFI7440GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V
Description: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| IRFI7536GPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI9630G |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 200V 4.3A 35W IRFI9630G VISHAY TIRFI9630g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 200V 4.3A 35W IRFI9630G VISHAY TIRFI9630g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.9 EUR |
| IRFIB41N15D |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.32 EUR |
| IRFIRL60B216 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFIZ24N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.26 EUR |
| IRFIZ24N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.72 EUR |
| IRFIZ34N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 21A 37W IRFIZ34N Infineon TIRFIZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 21A 37W IRFIZ34N Infineon TIRFIZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.46 EUR |
| IRFIZ44N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 31A 45W IRFIZ44N Infineon TIRFIZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 55V 31A 45W IRFIZ44N Infineon TIRFIZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.95 EUR |
| IRFIZ46N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.67 EUR |
| IRFL014NTR |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.85 EUR |
| IRFL024NTR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.85 EUR |
| IRFL4105TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4105 TIRFL4105
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4105 TIRFL4105
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.12 EUR |
| IRFL4310TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFL4310TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.03 EUR |
| IRFL4315 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.68 EUR |
| IRFM150 |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 236.02 EUR |
| IRFM250 |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 232.68 EUR |
| 10+ | 222.73 EUR |
| 25+ | 211.15 EUR |
| 50+ | 200.93 EUR |
| 100+ | 189.93 EUR |
| 1000+ | 180.91 EUR |
| IRFM9240 |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 272.1 EUR |
| 10+ | 260.45 EUR |
| 25+ | 246.91 EUR |
| 50+ | 234.97 EUR |
| IRFMG50 |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Trans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 247.35 EUR |
| IRFP048N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.44 EUR |
| IRFP048NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 281+ | 1.61 EUR |
| IRFP054N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.29 EUR |
| IRFP064N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.61 EUR |
| IRFP064N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.61 EUR |
| IRFP064N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.61 EUR |
| IRFP1405 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 95A 5.3mΩ 310W IRFP1405 International Recifer TIRFP1405
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 55V 95A 5.3mΩ 310W IRFP1405 International Recifer TIRFP1405
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 5.96 EUR |
| IRFP140N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 140W 0.052Ω IRFP140N IRFP140N TIRFP140n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 140W 0.052Ω IRFP140N IRFP140N TIRFP140n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.91 EUR |
| IRFP150M |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRFP150M TIRFP150m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRFP150M TIRFP150m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.12 EUR |













