Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (2745) > Seite 24 nach 46
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRF9540NSTRLPBF | International Rectifier |
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9910TR | International Rectifier |
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9952QPBF | International Rectifier |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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| IRF9952TRPBF | International Rectifier |
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9953PBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9953TR | International Rectifier |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9953TRPBF | International Rectifier |
HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9956PBF | International Rectifier |
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9956TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9956TRPBF | International Rectifier |
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z24N | International Rectifier |
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z24NS | International Rectifier |
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24nsAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24PBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z30PBF | International Rectifier |
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z34NSPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z34NSTRLPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRF9Z34SPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFAC30 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAC50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAE32 | International Rectifier |
Description: RF MOSFETPackaging: Bulk |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF40 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFAF42 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF52 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAG20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAUIRF3805S | International Rectifier |
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
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IRFAUIRF4905 | International Rectifier |
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
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IRFAUIRF540Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB17N20DPBF | International Rectifier | TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB23N15DPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB23N20DPBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB260NPBF | International Rectifier |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB3004GPBF | International Rectifier |
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB3004PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3077PBF | International Rectifier |
TO-200AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB3206PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFB3207Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3207ZGPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IRFB3256PBF | International Rectifier |
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3306PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFB3307ZPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFB33N15DPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFB3607PBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFB3806 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFB4020 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | International Rectifier |
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4110 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4110PBF | International Rectifier |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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IRFB4115PBF | International Rectifier |
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4127PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9540NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9910TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 2.53 EUR |
| IRF9952QPBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9952TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9953PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9953TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.06 EUR |
| IRF9953TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9956PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9956TR |
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Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.75 EUR |
| IRF9956TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z24N | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.02 EUR |
| IRF9Z24N | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z24NS |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.63 EUR |
| IRF9Z24PBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z30PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z34N | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.06 EUR |
| IRF9Z34N | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.06 EUR |
| IRF9Z34N | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.06 EUR |
| IRF9Z34NSPBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z34NSTRLPBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRF9Z34SPBF |
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Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRFAC30 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 8.82 EUR |
| IRFAC50 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 13.06 EUR |
| IRFAE32 |
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auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 9.79 EUR |
| IRFAF20 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 85+ | 5.96 EUR |
| IRFAF40 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 10.72 EUR |
| IRFAF42 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 60+ | 10.55 EUR |
| IRFAF50 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 12.41 EUR |
| IRFAF52 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 12.46 EUR |
| IRFAG20 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 6.03 EUR |
| IRFAUIRF3805S |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFAUIRF4905 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFAUIRF540Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 145+ | 3.11 EUR |
| IRFB17N20DPBF |
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB23N15DPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB23N20DPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB260N |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 9.85 EUR |
| IRFB260NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3004GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3004PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3077 |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.27 EUR |
| IRFB3077PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-200AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-200AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3206PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3207Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.41 EUR |
| IRFB3207ZGPBF |
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Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
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| IRFB3256PBF |
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Hersteller: International Rectifier
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 202+ | 2.24 EUR |
| IRFB3306PBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRFB3307ZPBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRFB33N15DPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFB3607PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFB3806 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.72 EUR |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFB4020 |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.86 EUR |
| IRFB4020PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.05 EUR |
| IRFB4110 |
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Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 3.19 EUR |
| IRFB4110PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFB4115PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Група товару: Транзистори Од. вим: шт
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFB4127 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 8.5 EUR |
| IRFB4127PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH













