Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (2745) > Seite 26 nach 46
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFF333 | International Rectifier |
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
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IRFF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
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| IRFF9210 | International Rectifier |
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFF9211 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL |
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IRFF9213 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF |
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IRFF9221 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFF9231 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AFPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFF9233 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH3702TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH3702TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH3707TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFH4210DTRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) |
auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5006TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5006TRPBF | International Rectifier |
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5015TRPBF | International Rectifier |
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5025TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5110TR2PBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFH5255TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5300TRPBF | International Rectifier |
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5301TR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH5302TR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH7191TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFH7194TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V |
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IRFH7914TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7921TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFH7934TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7936TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7936 - N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | International Rectifier |
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFNPackaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM4234TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFHM831TR2PBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
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| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DLPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
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| IRFHM9331TRPBF | International Rectifier |
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFI1010N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI1010NPBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| IRFI1310N | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310nAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI3205 | International Rectifier |
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI3205PBF | International Rectifier |
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFI3205PBF | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFI3306GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFI4019H-117P | International Rectifier |
TO-220 Full-Pak 5 PIN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFI4020H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117pAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFI4212H-117P | International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 Anzahl je Verpackung: 38 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| IRFF333 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFF9133 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9210 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRFF9211 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9213 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFF9221 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 194+ | 3.47 EUR |
| IRFF9231 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 3214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 7.24 EUR |
| IRFF9233 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 185+ | 2.6 EUR |
| IRFH3702TR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.78 EUR |
| IRFH3702TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| IRFH3707TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFH4210DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 170+ | 2.65 EUR |
| IRFH4257DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 209+ | 2.17 EUR |
| IRFH5006TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFH5006TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5025TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5110TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 247+ | 1.82 EUR |
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5255TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 1.09 EUR |
| IRFH5300TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5301TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5302DTR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5302TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7085TR |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.4 EUR |
| IRFH7191TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7194TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7914TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1126+ | 0.45 EUR |
| IRFH7921TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7921TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
auf Bestellung 7666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.8 EUR |
| IRFH7932TR |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.42 EUR |
| IRFH7934TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 318+ | 1.42 EUR |
| IRFH7936TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.79 EUR |
| IRFH8316TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 590+ | 0.77 EUR |
| IRFH8321TR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.09 EUR |
| IRFH9310TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 4.15 EUR |
| IRFHE4250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 3.32 EUR |
| IRFHM4234TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 525+ | 0.86 EUR |
| IRFHM830TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM831TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM8337TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM8342TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM9331TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1010N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.59 EUR |
| IRFI1010NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1010NPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1310N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.09 EUR |
| IRFI3205 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.37 EUR |
| IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI3306GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 151+ | 3 EUR |
| IRFI4019H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-220 Full-Pak 5 PIN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220 Full-Pak 5 PIN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI4020H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 8.86 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.55 EUR |
| IRFI4024H-117P |
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Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.55 EUR |
| IRFI4024H-117P |
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Hersteller: International Rectifier
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFI4212H-117P |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| IRFI4227 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 3.77 EUR |
| IRFI4227 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.77 EUR |










