Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (2747) > Seite 26 nach 46
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFF333 | International Rectifier |
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
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IRFF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEDrain to Source Voltage (Vdss): 80 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Power Dissipation (Max): 25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk |
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| IRFF9210 | International Rectifier |
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Транзистори |
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IRFF9211 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL |
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IRFF9213 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF |
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IRFF9221 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFF9231 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AFDrain to Source Voltage (Vdss): 150 V Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Power Dissipation (Max): 25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole |
auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFF9233 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELDrain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Power Dissipation (Max): 25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH3702TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH3702TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори |
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| IRFH3707TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори |
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IRFH4210DTRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) |
auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5006TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори |
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| IRFH5006TRPBF | International Rectifier |
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори |
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| IRFH5015TRPBF | International Rectifier |
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори |
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| IRFH5025TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори |
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| IRFH5110TR2PBF | International Rectifier |
Транзистори |
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IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори |
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IRFH5255TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5300TRPBF | International Rectifier |
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори |
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| IRFH5301TR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори |
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| IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори |
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| IRFH5302TR2PBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори |
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IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH7191TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори |
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IRFH7194TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V |
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IRFH7914TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL POInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7921TR2PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори |
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IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFH7934TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7936TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7936 - N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | International Rectifier |
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFNPackaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM4234TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори |
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| IRFHM831TR2PBF | International Rectifier |
Транзистори |
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IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
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| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DLPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
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| IRFHM9331TRPBF | International Rectifier |
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори |
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| IRFI1010N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI1010NPBF | International Rectifier |
Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI1310N | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310nAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI3205 | International Rectifier |
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI3205PBF | International Rectifier |
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Транзистори |
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| IRFI3205PBF | International Rectifier |
Транзистори |
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| IRFI3306GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNELInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFI4019H-117P | International Rectifier |
TO-220 Full-Pak 5 PIN Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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IRFI4020H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117pAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| IRFI4212H-117P | International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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|
IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227Anzahl je Verpackung: 38 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| IRFF333 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9133 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9210 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Транзистори
(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9211 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRFF9213 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFF9221 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 194+ | 3.47 EUR |
| IRFF9231 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 3214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 7.24 EUR |
| IRFF9233 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 185+ | 2.6 EUR |
| IRFH3702TR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.79 EUR |
| IRFH3702TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH3707TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH4210DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 170+ | 2.65 EUR |
| IRFH4257DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 209+ | 2.17 EUR |
| IRFH5006TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5006TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори
MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5025TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5110TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 247+ | 1.82 EUR |
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5255TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 1.09 EUR |
| IRFH5300TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5301TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори
HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5302DTR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH5302TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7085TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.44 EUR |
| IRFH7191TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7194TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7914TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1126+ | 0.45 EUR |
| IRFH7921TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFH7921TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
auf Bestellung 7666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.8 EUR |
| IRFH7932TR |
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Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.43 EUR |
| IRFH7934TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 318+ | 1.42 EUR |
| IRFH7936TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 567+ | 0.79 EUR |
| IRFH8316TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 590+ | 0.77 EUR |
| IRFH8321TR |
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Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.11 EUR |
| IRFH9310TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 4.24 EUR |
| IRFHE4250DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 3.32 EUR |
| IRFHM4234TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 525+ | 0.86 EUR |
| IRFHM830TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM831TR2PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM8337TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM8342TRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFHM9331TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори
Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1010N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.62 EUR |
| IRFI1010NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1010NPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI1310N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.12 EUR |
| IRFI3205 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.44 EUR |
| IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Транзистори
TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI3306GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 151+ | 3 EUR |
| IRFI4019H-117P |
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Hersteller: International Rectifier
TO-220 Full-Pak 5 PIN Транзистори
TO-220 Full-Pak 5 PIN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI4020H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 8.97 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.61 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.61 EUR |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI4212H-117P |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Транзистори
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFI4227 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.82 EUR |
| IRFI4227 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 3.82 EUR |











