Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (1348) > Seite 12 nach 23
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9395MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MC Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC |
auf Bestellung 154381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9410 | International Rectifier |
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9520N | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9520NS | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520nsAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9530NS | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRF9530NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin |
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| IRF9540NHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| IRF9540NL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nlAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NSHR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9640 | International Rectifier |
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9910TR | International Rectifier |
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9952QPBF | International Rectifier |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9953TR | International Rectifier |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9956TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | International Rectifier |
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NS | International Rectifier |
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24nsAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFAC30 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAC50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAE32 | International Rectifier |
Description: RF MOSFETPackaging: Bulk |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF40 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFAF42 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAF52 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAG20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFAUIRF3805S | International Rectifier |
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IRFAUIRF4905 | International Rectifier |
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IRFAUIRF540Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3006 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3207Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3207ZGPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IRFB3256PBF | International Rectifier |
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3806 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4020 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4110 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4228 | International Rectifier |
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4332 | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410 | International Rectifier |
N-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4410ZGPBF | International Rectifier |
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4710 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB52N15D | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB5620 | International Rectifier |
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7430 | International Rectifier |
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7437 | International Rectifier |
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7446 | International Rectifier |
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB7446GPBF | International Rectifier |
Description: IRFB7446 - POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9395MTRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
auf Bestellung 154381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 270+ | 1.8 EUR |
| IRF9410 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 95+ | 1.04 EUR |
| IRF9520N |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.09 EUR |
| IRF9520NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 5.5 EUR |
| IRF9530NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9530NSTRLHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9540NHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.85 EUR |
| IRF9540NSHR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9540NSTRL |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.81 EUR |
| IRF9640 | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 2.44 EUR |
| IRF9910TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 2.47 EUR |
| IRF9952QPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9953TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.03 EUR |
| IRF9956TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.71 EUR |
| IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.99 EUR |
| IRF9Z24NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.57 EUR |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.08 EUR |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.08 EUR |
| IRF9Z34N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.08 EUR |
| IRFAC30 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 7.83 EUR |
| IRFAC50 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 13.06 EUR |
| IRFAE32 |
![]() |
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 8.45 EUR |
| IRFAF20 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 85+ | 5.96 EUR |
| IRFAF40 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 10.72 EUR |
| IRFAF42 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 60+ | 10.55 EUR |
| IRFAF50 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 12.41 EUR |
| IRFAF52 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 12.46 EUR |
| IRFAG20 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 6.03 EUR |
| IRFAUIRF3805S |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFAUIRF4905 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFAUIRF540Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 145+ | 3.14 EUR |
| IRFB260N |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 9.63 EUR |
| IRFB3006 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 7.74 EUR |
| IRFB3077 |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.11 EUR |
| IRFB3207Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.33 EUR |
| IRFB3207ZGPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB3256PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 202+ | 2.24 EUR |
| IRFB3306 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.58 EUR |
| IRFB3306 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.58 EUR |
| IRFB3806 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.75 EUR |
| IRFB4020 |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.77 EUR |
| IRFB4110 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 3.12 EUR |
| IRFB4127 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 8.31 EUR |
| IRFB4227 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.77 EUR |
| IRFB4228 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 7.64 EUR |
| irfb4310 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 6.86 EUR |
| IRFB4332 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 6.2 EUR |
| IRFB4410 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.59 EUR |
| IRFB4410Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 4.24 EUR |
| IRFB4410Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 4.24 EUR |
| IRFB4410Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 4.24 EUR |
| IRFB4410ZGPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 2.55 EUR |
| IRFB4710 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.91 EUR |
| IRFB52N15D |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.75 EUR |
| IRFB5620 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 13.09 EUR |
| IRFB7430 |
Hersteller: International Rectifier
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 10.02 EUR |
| IRFB7437 |
Hersteller: International Rectifier
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.9 EUR |
| IRFB7446 |
Hersteller: International Rectifier
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 3.46 EUR |
| IRFB7446GPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
auf Bestellung 1157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 310+ | 1.46 EUR |












