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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
IRF8010HR International Rectifier Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.78 EUR
224+ 0.67 EUR
391+ 0.37 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
2500+ 0.22 EUR
5000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 202
IRF8113PBF International Rectifier IRSDS10297-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
263+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 263
IRF8707TR International Rectifier Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF8736 International Rectifier N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF8910TR International Rectifier N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRF8915PBF International Rectifier IRSDS09563-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9130CECC International Rectifier Description: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9133 IRF9133 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
55+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF9143 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
80+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80
IRF9230 IRF9230 International Rectifier IRSDS03550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 10305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
61+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF9231 IRF9231 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9232 International Rectifier Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9233 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
139+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
IRF9240 IRF9240 International Rectifier IRSDS04520-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 11092 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
54+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRF9317TR International Rectifier P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF9321TR International Rectifier P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9358 International Rectifier Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9393TR International Rectifier P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9393TR International Rectifier P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9410 International Rectifier irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9 N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF9410 International Rectifier irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9 N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF9520N International Rectifier P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9520NS International Rectifier irf9520ns.pdf P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF9530NS International Rectifier Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9530NSTRLHR International Rectifier Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9540NHR International Rectifier Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9540NL International Rectifier irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF9540NSHR IRF9540NSHR International Rectifier irf9540nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF9910TR International Rectifier irf9910.pdf 2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9952QPBF IRF9952QPBF International Rectifier IRSD-S-A0000108828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9953TR International Rectifier irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7 Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF9Z24N International Rectifier description P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9Z24NS International Rectifier irf9z24ns.pdf P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9Z34N International Rectifier description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFAC30 IRFAC30 International Rectifier IRSDS04496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
59+12.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRFAC50 IRFAC50 International Rectifier IRSDD005-282.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
41+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRFAF20 IRFAF20 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
85+8.8 EUR
Mindestbestellmenge: 85
IRFAF40 IRFAF40 International Rectifier IRSDS04491-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
50+15.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFAF42 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
60+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRFAF50 IRFAF50 International Rectifier IRSDS04486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
43+18.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFAF52 IRFAF52 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
43+18.41 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFAG20 IRFAG20 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 84
IRFAUIRF3805S IRFAUIRF3805S International Rectifier IRSDS11131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
IRFAUIRF4905 IRFAUIRF4905 International Rectifier IRSDS11393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
IRFAUIRF540Z IRFAUIRF540Z International Rectifier IRSDS11133-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB260N International Rectifier N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3006 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3077 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3207Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF International Rectifier IRSDS09979-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB3256PBF IRFB3256PBF International Rectifier IRSDS13224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
240+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IRFB3306 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB3306 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB3806 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4020 International Rectifier N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4127 International Rectifier N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4228 International Rectifier N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
irfb4310 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB4321 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRF8010HR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
202+0.78 EUR
224+ 0.67 EUR
391+ 0.37 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
2500+ 0.22 EUR
5000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 202
IRF8113PBF description IRSDS10297-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
263+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 263
IRF8707TR
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF8736
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF8910TR
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRF8915PBF IRSDS09563-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9130CECC
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9133 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9133
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF9143 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
80+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80
IRF9230 IRSDS03550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9230
Hersteller: International Rectifier
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 10305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF9231 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9231
Hersteller: International Rectifier
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9232
Hersteller: International Rectifier
Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9233 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
139+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
IRF9240 IRSDS04520-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9240
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 11092 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
54+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRF9317TR
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF9321TR
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9358
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9393TR
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9393TR
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9410 irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF9410 irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
95+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF9520N
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9520NS irf9520ns.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9530NSTRLHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9540NHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9540NL irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF9540NSHR irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF9910TR irf9910.pdf
Hersteller: International Rectifier
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9952QPBF description IRSD-S-A0000108828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9952QPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9953TR irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF9Z24N description
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF9Z24NS irf9z24ns.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF9Z34N description
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFAC30 IRSDS04496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAC30
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+12.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRFAC50 IRSDD005-282.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAC50
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRFAF20 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAF20
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
85+8.8 EUR
Mindestbestellmenge: 85
IRFAF40 IRSDS04491-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAF40
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+15.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFAF42 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRFAF50 IRSDS04486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAF50
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+18.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFAF52 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAF52
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+18.41 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFAG20 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAG20
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 84
IRFAUIRF3805S IRSDS11131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAUIRF3805S
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
IRFAUIRF4905 IRSDS11393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAUIRF4905
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
IRFAUIRF540Z IRSDS11133-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFAUIRF540Z
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB260N
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3006
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3077
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3207Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3207ZGPBF IRSDS09979-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFB3207ZGPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB3256PBF IRSDS13224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFB3256PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IRFB3306
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB3306
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB3806
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4020
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4127
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4228
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
irfb4310
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB4321
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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