Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (1333) > Seite 9 nach 23
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF3703 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3703PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3708 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3709PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3709SPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF3709ZPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710S | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710STRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF3710STRRPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF3710Z IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3711STRL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3805 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3805 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF40DM229 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MF Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4104S | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF430 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF431 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF432 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
auf Bestellung 1192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF433 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF441 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF443 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF448 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210 | International Rectifier |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210HR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF5210STRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540Z | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF60B217 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF60DM206 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 51208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6215SHR | International Rectifier | Hexfet Power Mosfet |
auf Bestellung 9438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6216 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6216PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF6217TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF6218PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NS | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630S | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF634 | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NS | International Rectifier |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF640NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF640NSTRRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF6603TR1 | International Rectifier |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF6608 | International Rectifier |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF6613TR1 | International Rectifier |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6613TR1 | International Rectifier |
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auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF6613TRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3703 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.94 EUR |
IRF3703PBF |
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Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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176+ | 2.65 EUR |
IRF3708 |
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Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 2.19 EUR |
IRF3709PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
426+ | 1.16 EUR |
IRF3709SPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET SMPS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Description: HEXFET SMPS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3709ZPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.87 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.97 EUR |
IRF3710HR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710S |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710STRLHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710STRRPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710Z IRF3710Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.89 EUR |
IRF3711STRL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.78 EUR |
IRF3805 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 6.47 EUR |
IRF3805 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 6.47 EUR |
IRF40DM229 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
205+ | 2.27 EUR |
IRF4104S |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.82 EUR |
IRF430 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 6351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
210+ | 2.23 EUR |
IRF431 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
198+ | 2.35 EUR |
IRF432 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
188+ | 2.48 EUR |
IRF441 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF443 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Description: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF448 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF4905L |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 6.27 EUR |
IRF5210 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.84 EUR |
IRF5210HR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210STRLHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5305 |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.79 EUR |
IRF530NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.52 EUR |
IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.82 EUR |
IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.71 EUR |
IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.71 EUR |
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.32 EUR |
IRF540Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.80 EUR |
IRF60B217 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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396+ | 1.23 EUR |
IRF60DM206 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
auf Bestellung 51208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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217+ | 2.24 EUR |
IRF6215SHR |
Hersteller: International Rectifier
Hexfet Power Mosfet
Hexfet Power Mosfet
auf Bestellung 9438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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77+ | 1.92 EUR |
122+ | 1.17 EUR |
162+ | 0.85 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
2500+ | 0.55 EUR |
5000+ | 0.51 EUR |
IRF6216 |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 3.68 EUR |
45+ | 3.19 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
IRF6216PBF-IR |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF6217TR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 0.70 EUR |
IRF6218PBF-IR |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF630N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF630N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.59 EUR |
IRF630NS | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.70 EUR |
IRF630S |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.50 EUR |
IRF634 |
![]() ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.47 EUR |
IRF640NHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.80 EUR |
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.23 EUR |
IRF640NSHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRLHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRRHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF6603TR1 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF6608 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF6613TR1 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.11 EUR |
1001+ | 1.03 EUR |
3001+ | 0.96 EUR |
IRF6613TR1 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF6613TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
286+ | 1.70 EUR |