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IRF1407LPBF IRF1407LPBF International Rectifier IRSDS10478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
237+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 237
IRF141 International Rectifier IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF142 International Rectifier IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF143 IRF143 International Rectifier IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
203+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 203
IRF200S234 IRF200S234 International Rectifier INFN-S-A0003554947-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF220 International Rectifier Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF221 IRF221 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRF224 IRF224 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
129+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF225 IRF225 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
139+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
IRF234 IRF234 International Rectifier IRSDD005-282.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
297+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 297
IRF241 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
181+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 181
IRF242 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF243 IRF243 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF245 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF250 IRF250 INTERNATIONAL RECTIFIER jantx2n6766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power: 150W
Case: TO3
Produkt ist nicht verfügbar
IRF250P225 International Rectifier Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71 N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF253 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF2804 International Rectifier IRF2804.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2804 International Rectifier IRF2804.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2804SPBF-IR IRF2804SPBF-IR International Rectifier IRSDS11104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF2805 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2805PBF IRF2805PBF International Rectifier IRSDS11464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
243+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 243
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2807ZHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF321 International Rectifier Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF322 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF323 IRF323 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
433+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 433
IRF3315 International Rectifier irf3315pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df13d21915 Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF332 IRF332 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO
Produkt ist nicht verfügbar
IRF341 IRF341 International Rectifier HRISD017-4-236.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF341 - 10A, 350V, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
193+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 193
IRF343 IRF343 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3575DTRPBF International Rectifier IRSD-S-Z0000001522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
152+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRF362 IRF362 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+23.64 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRF3703 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3703PBF IRF3703PBF International Rectifier IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 25013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
167+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 167
IRF3708 International Rectifier irf3708pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df7cf5193c N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF3709PBF IRF3709PBF International Rectifier IRSDS10219-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
487+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 487
IRF3710HR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710S International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710STRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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10+3.1 EUR
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IRF3710STRLHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710STRRPBF-IR IRF3710STRRPBF-IR International Rectifier irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3711STRL International Rectifier irf3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfbc571954 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3717TRPBF IRF3717TRPBF International Rectifier Description: PFET, 20A I(D), 20V, 0.0044OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
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IRF3805 International Rectifier irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF40DM229 IRF40DM229 International Rectifier INFN-S-A0002272331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
249+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 249
IRF4104S International Rectifier irf4104.pdf N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF430 IRF430 International Rectifier IRSDS03527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
198+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 198
IRF431 IRF431 International Rectifier IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
242+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 242
IRF432 IRF432 International Rectifier IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
229+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 229
IRF433 International Rectifier HRISSA12-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
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IRF1407LPBF IRSDS10478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407LPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
237+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 237
IRF141 IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
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IRF142 IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF143 IRSDD015-31.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF143
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
203+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 203
IRF200S234 INFN-S-A0003554947-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF200S234
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF220
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF221 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF221
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRF224 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF224
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF225 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF225
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
139+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
IRF234 IRSDD005-282.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF234
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
297+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 297
IRF241 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
181+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 181
IRF242 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF243 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF243
Hersteller: International Rectifier
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF245 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF250 jantx2n6766.pdf
IRF250
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power: 150W
Case: TO3
Produkt ist nicht verfügbar
IRF250P225 Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF253 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF2804 description IRF2804.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2804 description IRF2804.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2804SPBF-IR IRSDS11104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF2804SPBF-IR
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF2805
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2805PBF description IRSDS11464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF2805PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
243+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 243
IRF2807 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF2807 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
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10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2807Z irf2807z.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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10+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF2807ZHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3205Z irf3205z.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF3205Z irf3205z.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF321
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
IRF322 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF323 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF323
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
433+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 433
IRF3315 irf3315pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df13d21915
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF332 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF332
Hersteller: International Rectifier
Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO
Produkt ist nicht verfügbar
IRF341 HRISD017-4-236.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF341
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF341 - 10A, 350V, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
193+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 193
IRF343 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF343
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3575DTRPBF IRSD-S-Z0000001522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRF362 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF362
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+23.64 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRF3703
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3703PBF IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3703PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 25013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 167
IRF3708 irf3708pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df7cf5193c
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF3709PBF IRSDS10219-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF3709PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
487+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 487
IRF3710HR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710S
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710STRL
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3710STRLHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710STRRPBF-IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRRPBF-IR
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF3711STRL irf3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfbc571954
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: PFET, 20A I(D), 20V, 0.0044OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3805 irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF40DM229 INFN-S-A0002272331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF40DM229
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
249+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 249
IRF4104S irf4104.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF430 IRSDS03527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF430
Hersteller: International Rectifier
Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
198+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 198
IRF431 IRSDD015-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF431
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
242+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 242
IRF432 IRSDD015-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF432
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
229+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 229
IRF433 HRISSA12-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
Description: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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