Produkte > INTERNATIONAL RECTIFIER > Alle Produkte des Herstellers INTERNATIONAL RECTIFIER (1333) > Seite 8 nach 23
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF1010N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1010NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1010ZPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1018E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1018ES-GURT | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1104 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF120CECC | International Rectifier |
Description: MOSFET 100V 9.2A Packaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF122 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF123 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1310N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1310NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) |
auf Bestellung 8701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1312 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312 Anzahl je Verpackung: 44 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1324 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1324S | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404PBF-EL | International Rectifier |
Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1405 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1407 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1407LPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1407PBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF141 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF142 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF143 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF220 | International Rectifier |
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF221 | International Rectifier |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF224 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF225 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF234 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A Power Dissipation (Max): 74W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF241 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF242 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF243 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF245 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF250P225 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF253 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF2804 | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2804SPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807STRL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807Z | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807ZHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3205 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF321 | International Rectifier |
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF322 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF323 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3315 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF332 | International Rectifier |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF341 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk |
auf Bestellung 2744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3415 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF343 | International Rectifier |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF3575DTRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 32-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc) Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF362 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 1.95 EUR |
IRF1010NS | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.18 EUR |
IRF1010ZPBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
350+ | 1.76 EUR |
IRF1018E |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.41 EUR |
IRF1018E |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.33 EUR |
IRF1018ES-GURT |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 5.63 EUR |
IRF1104 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.28 EUR |
IRF122 |
![]() |
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
341+ | 1.43 EUR |
IRF123 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
442+ | 1.12 EUR |
IRF1310N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.37 EUR |
IRF1310NSHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
auf Bestellung 8701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 2.19 EUR |
107+ | 1.34 EUR |
143+ | 0.96 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.68 EUR |
2500+ | 0.63 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IRF1312 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
Anzahl je Verpackung: 44 Stücke
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
Anzahl je Verpackung: 44 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 3.21 EUR |
IRF1324 |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 4.27 EUR |
IRF1324S |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.70 EUR |
IRF1404 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.06 EUR |
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.03 EUR |
IRF1404STR |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.03 EUR |
IRF1404Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.24 EUR |
IRF1404ZS |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.98 EUR |
IRF1405 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.75 EUR |
IRF1405ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
190+ | 2.44 EUR |
IRF1407 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.84 EUR |
IRF1407LPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
245+ | 1.90 EUR |
IRF141 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF142 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF143 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
203+ | 2.69 EUR |
IRF221 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF224 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF225 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 3.39 EUR |
IRF234 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
297+ | 1.66 EUR |
IRF241 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
181+ | 2.70 EUR |
IRF242 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF243 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF245 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF250P225 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.46 EUR |
IRF253 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2804 | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.32 EUR |
IRF2804SPBF-IR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2805 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.99 EUR |
IRF2807 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.18 EUR |
IRF2807STRL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.84 EUR |
IRF2807Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.36 EUR |
IRF2807ZHR |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3205 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.99 EUR |
IRF3205Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.75 EUR |
IRF3205Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.75 EUR |
IRF322 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF323 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
355+ | 1.32 EUR |
IRF3315 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.14 EUR |
IRF332 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO
Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF341 |
![]() |
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
204+ | 2.29 EUR |
IRF3415 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.70 EUR |
IRF343 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Description: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3575DTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 3.50 EUR |
IRF362 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 14.53 EUR |