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IRF6218 International Rectifier irf6218pbf.pdf TO-220AB Транзистори
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IRF6218pbf International Rectifier irf6218pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7971b19e0 description MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
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IRF6218PBF-IR IRF6218PBF-IR International Rectifier Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF630N International Rectifier description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF630N IRF630N International Rectifier info-tirf630ns.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF630NPBF IRF630NPBF International Rectifier irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description TO-220AB Транзистори
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IRF630NS IRF630NS International Rectifier info-tirf630ns.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF630NSTRLPBF International Rectifier irf630npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
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IRF630S IRF630S International Rectifier TIRF630s_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF634 IRF634 International Rectifier info-tirf634.pdf N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF634S International Rectifier irf634spbf.pdf D2Pak (TO-263) Транзистори
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IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF640NHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
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 Mindestbestellmenge: 10495 Stücke
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IRF640NL IRF640NL International Rectifier info-tirf640nl.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF640NPBF International Rectifier irf640n.pdf TO-220AB Транзистори
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IRF640NS International Rectifier description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF640NS IRF640NS International Rectifier info-tirf640ns.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF640NSHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
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 Mindestbestellmenge: 7412 Stücke
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IRF640NSTRLHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF640NSTRLPBF International Rectifier irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
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IRF640NSTRRHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 9600 Stücke
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IRF6603 International Rectifier irf6603.pdf MFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
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IRF6603TR1 International Rectifier IRF6603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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 Mindestbestellmenge: 6800 Stücke
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IRF6608 International Rectifier IRF6608.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6613TR1 International Rectifier IRF6613.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
1001+1.18 EUR
3001+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6613TR1 International Rectifier IRF6613.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF6613TR1PBF International Rectifier irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF International Rectifier IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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IRF6617TR1 IRF6617TR1 International Rectifier irf6617.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
1001+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6617TR1 IRF6617TR1 International Rectifier irf6617.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF International Rectifier IRSDS09305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
360+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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IRF6635 International Rectifier irf6635.pdf MFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
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IRF6637TRPBF IRF6637TRPBF International Rectifier IRSDS10494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
auf Bestellung 26574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
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IRF6641TR1PBF International Rectifier irf6641pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec30311a49 Транзистори
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IRF6645TRPBF International Rectifier irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори
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IRF6655TRPBF International Rectifier IRF6655%28TR%29PbF.pdf MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF International Rectifier IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRF6665TR1PBF International Rectifier irf6665pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec8dcb1a62 N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
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IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF International Rectifier IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
auf Bestellung 40641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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IRF6710S2TR1PBF International Rectifier irf6710s2pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ece3db1a78 MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
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IRF6711STRPBF IRF6711STRPBF International Rectifier IRSDS10855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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IRF6713STRPBF IRF6713STRPBF International Rectifier IRLES00014-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF International Rectifier IRSDS10734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 56738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IRF6716MTRPBF IRF6716MTRPBF International Rectifier IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
auf Bestellung 86468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBF International Rectifier IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STR1PBF International Rectifier irf6721spbf.pdf MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
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IRF6721STRPBF IRF6721STRPBF International Rectifier IRSDS10739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
429+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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IRF6722MTRPBF IRF6722MTRPBF International Rectifier IRSDS09432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBF IRF6724MTRPBF International Rectifier IRSDS10740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
205+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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IRF6726MTRPBFTR IRF6726MTRPBFTR International Rectifier IRSDS09422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF International Rectifier IRSDS19125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
257+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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IRF6795MTR1PBF International Rectifier irf6795mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed99cd1aa6 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори
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IRF6795MTRPBF IRF6795MTRPBF International Rectifier IRSDS10769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
auf Bestellung 36656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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IRF6802SDTRPBF IRF6802SDTRPBF International Rectifier IRSDS18838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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IRF6810STRPBF IRF6810STRPBF International Rectifier irf6810spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0ab331ab4 Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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IRF6811STRPBF IRF6811STRPBF International Rectifier IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
auf Bestellung 35276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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IRF6892STRPBF IRF6892STRPBF International Rectifier IRSDS13119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
392+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF International Rectifier INFN-S-A0002837981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218 irf6218pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
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IRF6218pbf description irf6218pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7971b19e0
Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218PBF-IR
IRF6218PBF-IR
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description info-tirf630ns.pdf
IRF630N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS description info-tirf630ns.pdf
IRF630NS
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S TIRF630s_0001.pdf
IRF630S
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634 info-tirf634.pdf
IRF634
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634S irf634spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D2Pak (TO-263) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NL info-tirf640nl.pdf
IRF640NL
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640n.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS description
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS description info-tirf640ns.pdf
IRF640NS
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRHR
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6603 irf6603.pdf
Hersteller: International Rectifier
MFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6603TR1 IRF6603.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608 IRF6608.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1 IRF6613.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.27 EUR
1001+1.18 EUR
3001+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1 IRF6613.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TR1PBF irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6613TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6616TRPBF IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6616TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1 irf6617.pdf
IRF6617TR1
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.61 EUR
1001+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TR1 irf6617.pdf
IRF6617TR1
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBF IRSDS09305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6620TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635 irf6635.pdf
Hersteller: International Rectifier
MFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TRPBF IRSDS10494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6637TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
auf Bestellung 26574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TR1PBF irf6641pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec30311a49
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6655TRPBF IRF6655%28TR%29PbF.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBF IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6662TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TR1PBF irf6665pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec8dcb1a62
Hersteller: International Rectifier
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBF IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6668TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
auf Bestellung 40641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6710S2TR1PBF irf6710s2pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ece3db1a78
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6711STRPBF IRSDS10855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6711STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STRPBF IRLES00014-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6713STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBF IRSDS10734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6714MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 56738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBF IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6716MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
auf Bestellung 86468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBF IRSDS10736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STR1PBF irf6721spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBF IRSDS10739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6721STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
429+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTRPBF IRSDS09432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6722MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBF IRSDS10740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6724MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTRPBFTR IRSDS09422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6726MTRPBFTR
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBF IRSDS19125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6775MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTR1PBF irf6795mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed99cd1aa6
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBF IRSDS10769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6795MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
auf Bestellung 36656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
267+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6802SDTRPBF IRSDS18838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6802SDTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6810STRPBF irf6810spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0ab331ab4
IRF6810STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF6811STRPBF IRSDS11406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6811STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
auf Bestellung 35276 Stücke:
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430+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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IRF6892STRPBF IRSDS13119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6892STRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
auf Bestellung 3790 Stücke:
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392+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
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IRF6894MTRPBF INFN-S-A0002837981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6894MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
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