Suchergebnisse für "2SA11" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
2SA1104
Produktcode: 160967 		Sanken 2sa1104-savantic.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1123
Produktcode: 153274 		Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1145-Y
Produktcode: 112786 		2sa1145-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1156-Y
Produktcode: 112789 		NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1160 2SA1160
Produktcode: 184995 		2sa1160.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1122CCTL-E 2SA1122CCTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1122CCTR-E 2SA1122CCTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1122CDTL-E 2SA1122CDTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SA1122CDTR-E 2SA1122CDTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1152-A 2SA1152-A Renesas Electronics Corporation RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 28887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
854+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 854
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 85904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
15000+ 0.037 EUR
21000+ 0.035 EUR
30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 49226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 6577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3258+0.046 EUR
3356+ 0.043 EUR
5000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3258
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.079 EUR
1920+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.094 EUR
15000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 13290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
56+ 0.32 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 17748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
77+ 0.23 EUR
122+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
15000+ 0.037 EUR
21000+ 0.035 EUR
30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 11219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3718+0.041 EUR
5000+ 0.038 EUR
10000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3718
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.079 EUR
1920+ 0.076 EUR
2233+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
56+ 0.32 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162GT1 2SA1162GT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SA1162GT1 ONSEMI ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162YT1 2SA1162YT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SA1162YT1 ONSEMI ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 35880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
73+ 0.24 EUR
117+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 128819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
12+ 0.25 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.076 EUR
9000+ 0.062 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+ 0.073 EUR
9000+ 0.069 EUR
15000+ 0.064 EUR
21000+ 0.061 EUR
30000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2050+0.074 EUR
2179+ 0.067 EUR
2228+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 2050
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 50031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
77+ 0.23 EUR
124+ 0.14 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.064 EUR
15000+ 0.06 EUR
21000+ 0.057 EUR
30000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 30953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.09 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.058 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 19823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1278+0.12 EUR
1399+ 0.1 EUR
1637+ 0.086 EUR
2000+ 0.078 EUR
3000+ 0.062 EUR
6000+ 0.056 EUR
12000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1278
2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1104
Produktcode: 160967		 2sa1104-savantic.pdf
Hersteller: Sanken
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1123
Produktcode: 153274		 2sa1123-datasheet.pdf
Hersteller: Panasonic
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1145-Y
Produktcode: 112786		 2sa1145-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1156-Y
Produktcode: 112789		 datasheet2SA1156-Y.pdf
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1160
Produktcode: 184995		 2sa1160.pdf
2SA1160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTR-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTR-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2704+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1152-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 28887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
854+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 854
2SA1156
Hersteller: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2SA1156
Hersteller: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 85904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.048 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
15000+ 0.037 EUR
21000+ 0.035 EUR
30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 49226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 6577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3258+0.046 EUR
3356+ 0.043 EUR
5000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3258
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1909+0.079 EUR
1920+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.094 EUR
15000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 13290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.54 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+0.53 EUR
56+ 0.32 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 17748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+0.39 EUR
77+ 0.23 EUR
122+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+0.39 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.23 EUR
120+ 0.15 EUR
193+ 0.092 EUR
500+ 0.066 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.048 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.04 EUR
15000+ 0.037 EUR
21000+ 0.035 EUR
30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 11219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1162-Y,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3718+0.041 EUR
5000+ 0.038 EUR
10000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3718
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1909+0.079 EUR
1920+ 0.076 EUR
2233+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+0.53 EUR
56+ 0.32 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.54 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162GT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SA1162GT1 ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162YT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SA1162YT1 ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 35880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+0.39 EUR
73+ 0.24 EUR
117+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 128819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.41 EUR
12+ 0.25 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.076 EUR
9000+ 0.062 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.082 EUR
6000+ 0.073 EUR
9000+ 0.069 EUR
15000+ 0.064 EUR
21000+ 0.061 EUR
30000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1163-BL,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2050+0.074 EUR
2179+ 0.067 EUR
2228+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 2050
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 50031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+0.39 EUR
77+ 0.23 EUR
124+ 0.14 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.076 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.064 EUR
15000+ 0.06 EUR
21000+ 0.057 EUR
30000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 30953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+0.39 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.09 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.058 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SA1163-GR,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 19823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1278+0.12 EUR
1399+ 0.1 EUR
1637+ 0.086 EUR
2000+ 0.078 EUR
3000+ 0.062 EUR
6000+ 0.056 EUR
12000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1278
2SA1163-GR,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]