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BFP 720 H6327 BFP 720 H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP720_DS_v02_00_EN-1840489.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 720ESD H6327 BFP 720ESD H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP720ESD_DS_v02_00_EN-2309290.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP 720FESD H6327 BFP 720FESD H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP720FESD_DS_v02_00_EN-2309272.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP 740 E6327 BFP 740 E6327 Infineon Technologies infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP 740 H6327 BFP 740 H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP740_DS_v02_00_EN-1840546.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740ESD H6327 BFP 740ESD H6327 Infineon Technologies Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN-1518967.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP 740F E6327 BFP 740F E6327 Infineon Technologies infineon-bfp740f-ds-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
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BFP 740F H6327 BFP 740F H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP740F_DS_v03_00_EN-1840504.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740FESD H6327 BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP740FESD_DS_v02_00_EN-1890293.pdf RF Bipolar Transistors RF BI
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BFP 740FESD H6327 BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP720ESD.pdf Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 30.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP720FESDH6327XTSA1 BFP720FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP720FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896771a4ea1 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 29dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP720FESDH6327XTSA1 BFP720FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720fesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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385+ 0.37 EUR
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BFP720FESDH6327XTSA1 BFP720FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720fesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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33+ 0.54 EUR
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1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720f-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 102000 Stücke:
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3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720f-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1921 Stücke:
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411+0.37 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 411
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP720_DS_v02_00_EN-1840489.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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5+0.64 EUR
10+ 0.51 EUR
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500+ 0.34 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 2312 Stücke:
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32+0.56 EUR
46+ 0.39 EUR
52+ 0.34 EUR
100+ 0.29 EUR
250+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 5187 Stücke:
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595+0.25 EUR
607+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 595
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON 2354688.pdf Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 434 Stücke:
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BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON 2354688.pdf Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 434 Stücke:
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BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
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548+0.28 EUR
1000+ 0.26 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 548
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 5187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 607
BFP740 Infineon Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.74 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 3.1 EUR
BFP740E6327 BFP740E6327 Infineon Technologies INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
auf Bestellung 31830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
904+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 904
BFP740E6327 ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP740E6327 - BFP740 ULTRA LOW-NOISE SIGEC TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 8412 Stücke:
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22+0.81 EUR
33+ 0.54 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.41 EUR
250+ 0.37 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.49 EUR
357+ 0.41 EUR
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586+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 310
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 693 Stücke:
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 INFINEON 1836009.pdf Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 INFINEON 1836009.pdf Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5424 Stücke:
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564+0.27 EUR
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BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
34+ 0.53 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.4 EUR
250+ 0.36 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
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BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP740FESD_DS_v02_00_EN-1890293.pdf RF Bipolar Transistors RF BI
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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500+ 0.47 EUR
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BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 INFINEON 1932478.pdf Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
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BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.97 EUR
196+ 0.75 EUR
245+ 0.57 EUR
246+ 0.55 EUR
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1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 157
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 INFINEON 1932478.pdf Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
35+ 0.52 EUR
39+ 0.45 EUR
100+ 0.39 EUR
250+ 0.35 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740f-ds-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.71 EUR
284+ 0.51 EUR
285+ 0.49 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 213
BFP740FH6327XTSA1 Infineon Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+4.86 EUR
10+ 3.6 EUR
100+ 3.28 EUR
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP740F_DS_v03_00_EN-1840504.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 80-84 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+ 0.73 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
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9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
222+ 0.32 EUR
235+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
222+ 0.32 EUR
235+ 0.3 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389680a24ea4 Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389680a24ea4 Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 10918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
48+ 0.37 EUR
54+ 0.33 EUR
100+ 0.28 EUR
250+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP740_DS_v02_00_EN-1840546.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
584+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 584
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 358
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 9001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.45 EUR
337+ 0.43 EUR
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1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.35 EUR
6000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 334
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.42 EUR
411+ 0.36 EUR
494+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 358
BFP 720 H6327 Infineon_BFP720_DS_v02_00_EN-1840489.pdf
BFP 720 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.98 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.39 EUR
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9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BFP 720ESD H6327 Infineon_BFP720ESD_DS_v02_00_EN-2309290.pdf
BFP 720ESD H6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.39 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BFP 720F H6327 Infineon-BFP720F-DS-v02_00-EN-1518753.pdf
BFP 720F H6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.64 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BFP 720FESD H6327 Infineon_BFP720FESD_DS_v02_00_EN-2309272.pdf
BFP 720FESD H6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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BFP 740 E6327 infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf
BFP 740 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP 740 H6327
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740ESD H6327
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP 740F E6327
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Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
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BFP 740F H6327
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740FESD H6327
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BFP 740FESD H6327 infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf
BFP 740FESD H6327
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Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP720ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 30.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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BFP720ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP720ESDH6327XTSA1 infineon-bfp720esd-ds-v02_00-en.pdf
BFP720ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP720FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 29dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP720FESDH6327XTSA1 infineon-bfp720fesd-ds-v02_00-en.pdf
BFP720FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP720FESDH6327XTSA1 infineon-bfp720fesd-ds-v02_00-en.pdf
BFP720FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP720FH6327XTSA1 INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP720FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BFP720FH6327XTSA1 INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP720FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 6365 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
23+0.79 EUR
33+ 0.54 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.4 EUR
250+ 0.37 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFP720FH6327XTSA1 infineon-bfp720f-ds-v02_00-en.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 102000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.32 EUR
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BFP720FH6327XTSA1 infineon-bfp720f-ds-v02_00-en.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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411+0.37 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.28 EUR
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BFP720H6327XTSA1 Infineon_BFP720_DS_v02_00_EN-1840489.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 498 Stücke:
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5+0.64 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BFP720H6327XTSA1 Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+0.56 EUR
46+ 0.39 EUR
52+ 0.34 EUR
100+ 0.29 EUR
250+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BFP720H6327XTSA1 infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 5187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
595+0.25 EUR
607+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 595
BFP720H6327XTSA1 2354688.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP720H6327XTSA1 2354688.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP720H6327XTSA1 infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
548+0.28 EUR
1000+ 0.26 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 548
BFP720H6327XTSA1 infineon-bfp720-ds-v02_00-en.pdf
BFP720H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 5187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
607+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 607
BFP740
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.74 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 3.1 EUR
BFP740E6327 INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP740E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
auf Bestellung 31830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
904+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 904
BFP740E6327 INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP740E6327 - BFP740 ULTRA LOW-NOISE SIGEC TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 8412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+0.81 EUR
33+ 0.54 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.41 EUR
250+ 0.37 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BFP740ESDH6327XTSA1 infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
310+0.49 EUR
357+ 0.41 EUR
386+ 0.36 EUR
446+ 0.3 EUR
463+ 0.28 EUR
586+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 310
BFP740ESDH6327XTSA1 infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
586+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 586
BFP740ESDH6327XTSA1 1836009.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 1836009.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740ESDH6327XTSA1 infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
564+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 564
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+0.79 EUR
34+ 0.53 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.4 EUR
250+ 0.36 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon_BFP740FESD_DS_v02_00_EN-1890293.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BI
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.92 EUR
10+ 0.8 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BFP740FESDH6327XTSA1 1932478.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FESDH6327XTSA1 infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740FESDH6327XTSA1 infineon-bfp740fesd-ds-v02_00-en.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 8810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
157+0.97 EUR
196+ 0.75 EUR
245+ 0.57 EUR
246+ 0.55 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 157
BFP740FESDH6327XTSA1 1932478.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa
BFP740FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
35+ 0.52 EUR
39+ 0.45 EUR
100+ 0.39 EUR
250+ 0.35 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BFP740FH6327XTSA1 infineon-bfp740f-ds-v03_00-en.pdf
BFP740FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
213+0.71 EUR
284+ 0.51 EUR
285+ 0.49 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 213
BFP740FH6327XTSA1 Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.86 EUR
10+ 3.6 EUR
100+ 3.28 EUR
BFP740FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFP740FH6327XTSA1 Infineon_BFP740F_DS_v03_00_EN-1840504.pdf
BFP740FH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 80-84 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.9 EUR
10+ 0.73 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
222+ 0.32 EUR
235+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
222+ 0.32 EUR
235+ 0.3 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BFP740H6327XTSA1 Infineon-BFP740-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389680a24ea4
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFP740H6327XTSA1 Infineon-BFP740-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389680a24ea4
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 10918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+0.55 EUR
48+ 0.37 EUR
54+ 0.33 EUR
100+ 0.28 EUR
250+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BFP740H6327XTSA1 Infineon_BFP740_DS_v02_00_EN-1840546.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.64 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BFP740H6327XTSA1 infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
584+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 584
BFP740H6327XTSA1 infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
358+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 358
BFP740H6327XTSA1 infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 9001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
334+0.45 EUR
337+ 0.43 EUR
341+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.35 EUR
6000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 334
BFP740H6327XTSA1 infineon-bfp740-ds-v02_00-en.pdf
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
358+0.42 EUR
411+ 0.36 EUR
494+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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