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BSS606N H6327 BSS606N H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
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BSS606N-P 603N. TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFET N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.16 EUR
275+ 0.55 EUR
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302+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.31 EUR
4000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 135
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 38431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.39 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
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22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
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500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSS63 ONSEMI PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63 BSS63 Fairchild Semiconductor PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.2A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8876+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 8876
BSS63 BSS63 onsemi DS_488_BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
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BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA BSS63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.19 EUR
785+ 0.092 EUR
870+ 0.082 EUR
1095+ 0.065 EUR
1160+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 380
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA BSS63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
380+0.19 EUR
785+ 0.092 EUR
870+ 0.082 EUR
1095+ 0.065 EUR
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Mindestbestellmenge: 380
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3185+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3185
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
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1446+0.11 EUR
2067+ 0.073 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1446
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3485+0.045 EUR
6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.035 EUR
18000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA 22bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia BSS63-2937517.pdf Bipolar Transistors - BJT BSS63/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 8922 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
122+ 0.43 EUR
290+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.4 EUR
627+ 0.24 EUR
1446+ 0.1 EUR
2067+ 0.068 EUR
3000+ 0.045 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 386
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 21000
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
59+ 0.44 EUR
121+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63-QR BSS63-QR Nexperia USA Inc. BSS63-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63-QR BSS63-QR Nexperia USA Inc. BSS63-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
56+ 0.47 EUR
115+ 0.23 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Bss630 HBE Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
86+ 0.61 EUR
197+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2889 Stücke:
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29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSS63AT116 BSS63AT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BSS63A is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier.
auf Bestellung 8312 Stücke:
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64+0.82 EUR
84+ 0.62 EUR
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1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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581+0.27 EUR
602+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 581
BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2327 Stücke:
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32+0.83 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1900+ 0.038 EUR
2000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1900+ 0.038 EUR
2000+ 0.036 EUR
12000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3825 Stücke:
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BSS63LT1G ONS bss63lt1-d.pdf Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
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1+1.47 EUR
10+ 1.3 EUR
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
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BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3825 Stücke:
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BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi BSS63LT1_D-2310634.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 35583 Stücke:
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103+0.51 EUR
163+ 0.32 EUR
345+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.075 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 103
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10376 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
75+ 0.35 EUR
138+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+ 0.081 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64 BSS64 onsemi DS_488_BSS64.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 7225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7225+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7225
BSS64,215 NXP BSS64.pdf NPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.16 EUR
1032+ 0.15 EUR
1065+ 0.14 EUR
1537+ 0.091 EUR
3000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 971
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.53 EUR
455+ 0.33 EUR
520+ 0.28 EUR
971+ 0.14 EUR
1032+ 0.13 EUR
1065+ 0.12 EUR
1537+ 0.08 EUR
3000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 294
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.085 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.085 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia BSS64-2937734.pdf Bipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
99+ 0.53 EUR
213+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606N H6327 Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf
BSS606N H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
auf Bestellung 7817 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.23 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
10000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 43
BSS606N-P 603N.
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSS606NH6327XTSA1 Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 55566 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.23 EUR
51+ 1.03 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.43 EUR
2000+ 0.38 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 43
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 38431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 bss606n_2.2.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
135+1.16 EUR
275+ 0.55 EUR
301+ 0.48 EUR
302+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.31 EUR
4000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 135
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 38431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.39 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 23431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSS63 PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63 PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS63
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: 0.2A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8876+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 8876
BSS63 DS_488_BSS63.pdf
BSS63
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
380+0.19 EUR
785+ 0.092 EUR
870+ 0.082 EUR
1095+ 0.065 EUR
1160+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 380
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
380+0.19 EUR
785+ 0.092 EUR
870+ 0.082 EUR
1095+ 0.065 EUR
1160+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 380
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3185+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3185
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1446+0.11 EUR
2067+ 0.073 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1446
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3485+0.045 EUR
6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.035 EUR
18000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
BSS63,215 NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 22bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63-2937517.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSS63/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 8922 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
80+0.65 EUR
122+ 0.43 EUR
290+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
386+0.4 EUR
627+ 0.24 EUR
1446+ 0.1 EUR
2067+ 0.068 EUR
3000+ 0.045 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 386
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 21000
BSS63,215 NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.65 EUR
59+ 0.44 EUR
121+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
9000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63-QR BSS63-Q.pdf
BSS63-QR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63-QR BSS63-Q.pdf
BSS63-QR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+0.68 EUR
56+ 0.47 EUR
115+ 0.23 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Bss630
Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+0.92 EUR
86+ 0.61 EUR
197+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSS63AT116 datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BSS63A is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier.
auf Bestellung 8312 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+0.82 EUR
84+ 0.62 EUR
148+ 0.35 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BSS63AT116 bss63at116-e.pdf
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AT116 bss63at116-e.pdf
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
581+0.27 EUR
602+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 581
BSS63AT116 datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+0.83 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1900+ 0.038 EUR
2000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1900+ 0.038 EUR
2000+ 0.036 EUR
12000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3534+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
BSS63LT1G 2160727.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+1.47 EUR
10+ 1.3 EUR
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
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BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G BSS63LT1_D-2310634.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 35583 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
103+0.51 EUR
163+ 0.32 EUR
345+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.075 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 103
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3922+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10376 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.49 EUR
75+ 0.35 EUR
138+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.086 EUR
6000+ 0.081 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64 DS_488_BSS64.pdf
BSS64
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 7225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7225+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7225
BSS64,215 BSS64.pdf
Hersteller: NXP
NPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
971+0.16 EUR
1032+ 0.15 EUR
1065+ 0.14 EUR
1537+ 0.091 EUR
3000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 971
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
294+0.53 EUR
455+ 0.33 EUR
520+ 0.28 EUR
971+ 0.14 EUR
1032+ 0.13 EUR
1065+ 0.12 EUR
1537+ 0.08 EUR
3000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 294
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.085 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.085 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 BSS64-2937734.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
99+ 0.53 EUR
213+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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