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DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
305+0.24 EUR
515+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
685+ 0.1 EUR
725+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 305
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN53D0LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
325+0.22 EUR
770+ 0.093 EUR
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DMN6140LQ-7
+1
 		DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN6140LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
305+0.24 EUR
435+ 0.17 EUR
495+ 0.15 EUR
600+ 0.12 EUR
635+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 305
DMP3098LQ-7 DMP3098LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3098LQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3130LQ-7 DMP3130LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3130LQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.4A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
323+ 0.22 EUR
373+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
ILQ74 VISHAY ild74.pdf ILQ74 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 620 Stücke:
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17+4.29 EUR
64+ 1.13 EUR
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ILQ74X ISOCOM ILQ74X Optocouplers - analog output
auf Bestellung 95 Stücke:
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56+1.29 EUR
93+ 0.78 EUR
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CLQ71-04R SUMIDA 2006
auf Bestellung 8000 Stücke:
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CLQ72-002
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CLQ72-204
auf Bestellung 3000 Stücke:
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CLQ72-207V(76070-T207)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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CLQ72-24B(G5DYA0000023) SUMIDA
auf Bestellung 2984 Stücke:
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CLQ72-320
auf Bestellung 3000 Stücke:
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CLQ72-34Y(G5DYA0000025) SUMIDA
auf Bestellung 2990 Stücke:
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CLQ72B-085
auf Bestellung 544 Stücke:
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CLQ72B-087
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CLQ7D27 SUMIDA
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CLQ7D27-426T
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CLQ7D37 SUMIDA
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ILQ-74
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ILQ74-X001 VishaySemico ild74.pdf
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ILQ74-X009 INFINEON ild74.pdf 09+
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ILQ74-X009 VishaySemico ild74.pdf
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X009T VishaySemico ild74.pdf
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X019 VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X019T VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ISPLSI1048ELQ70 LATTICE
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ISPLSI1048LQ70 LATTICE
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ISPLSI1048LQ70 LATTICE 03+ QFP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
K6X0808C1D-LQ70
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
K6X0808C1DLQ70 SAMSUNG
auf Bestellung 1000 Stücke:
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K6X4008T1F-LQ70 SAMSUNG 06+ TSOP32
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mlq75q7csaox
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CNY74-4H Vishay 83526.pdf Quad-Channel CTR 50-600% Uout 70V Uiso 5kV ->PC849, ILQ1, ILQ74 CNY74-4H OOCNY744h
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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25+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
ILQ74 Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP
Produktcode: 42057 		IC > Optokoppler (Optrone)
Produkt ist nicht verfügbar
APTGLQ75H120T3G MICROCHIP (MICROSEMI) 125282-aptglq75h120t3g-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Technology: Field Stop; Trench
Case: SP3F
Application: motors
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DFLS120LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS120LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Capacitance: 75pF
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward voltage: 0.36V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DFLS130LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS130LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Capacitance: 76pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.36V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DFLS140LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS140LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 10mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 0.88V
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.67W
Max. off-state voltage: 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 90pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DFLS230LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS230LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 2A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.42V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 33A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DFLS240LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS240LQ.pdf DFLS240LQ-7 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 8.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10.9nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN3404LQ-7 DMN3404LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
DMN4035LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN4035LQ.pdf DMN4035LQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2123LQ-7 DMP2123LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP2123LQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2225LQ-7 DMP2225LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP2225L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3099LQ-7 DMP3099LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3099LQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3160LQ-7 DMP3160LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3160L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ-7 DIODES INCORPORATED DMP610DLQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 560pC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S120LQ-7 DIODES INCORPORATED PD3S120LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Max. load current: 1A
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S130LQ-7 DIODES INCORPORATED PD3S130LQ.pdf PD3S130LQ-7 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S220LQ-7 DIODES INCORPORATED PD3S220LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 0.49V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7.pdf
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
305+0.24 EUR
515+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
685+ 0.1 EUR
725+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 305
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ.pdf
DMN53D0LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
325+0.22 EUR
770+ 0.093 EUR
840+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 325
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-7
+1
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
305+0.24 EUR
435+ 0.17 EUR
495+ 0.15 EUR
600+ 0.12 EUR
635+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 305
DMP3098LQ-7 DMP3098LQ.pdf
DMP3098LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3130LQ-7 DMP3130LQ.pdf
DMP3130LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.4A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
173+0.41 EUR
323+ 0.22 EUR
373+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
ILQ74 ild74.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ74 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.29 EUR
64+ 1.13 EUR
67+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17
ILQ74X
Hersteller: ISOCOM
ILQ74X Optocouplers - analog output
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+1.29 EUR
93+ 0.78 EUR
95+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 56
CLQ71-04R
Hersteller: SUMIDA
2006
auf Bestellung 8000 Stücke:
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CLQ72-002
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CLQ72-204
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CLQ72-207V(76070-T207)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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CLQ72-24B(G5DYA0000023)
Hersteller: SUMIDA
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CLQ72-320
auf Bestellung 3000 Stücke:
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CLQ72-34Y(G5DYA0000025)
Hersteller: SUMIDA
auf Bestellung 2990 Stücke:
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CLQ72B-085
auf Bestellung 544 Stücke:
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CLQ72B-087
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CLQ7D27
Hersteller: SUMIDA
auf Bestellung 12000 Stücke:
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CLQ7D27-426T
auf Bestellung 7800 Stücke:
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CLQ7D37
Hersteller: SUMIDA
auf Bestellung 4000 Stücke:
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ILQ-74
auf Bestellung 1080 Stücke:
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ILQ74-X001 ild74.pdf
Hersteller: VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X009 ild74.pdf
Hersteller: INFINEON
09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
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ILQ74-X009 ild74.pdf
Hersteller: VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X009T ild74.pdf
Hersteller: VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X019
Hersteller: VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ILQ74-X019T
Hersteller: VishaySemico
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ISPLSI1048ELQ70
Hersteller: LATTICE
auf Bestellung 222 Stücke:
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ISPLSI1048LQ70
Hersteller: LATTICE
auf Bestellung 667 Stücke:
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ISPLSI1048LQ70
Hersteller: LATTICE
03+ QFP
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K6X0808C1D-LQ70
auf Bestellung 1080 Stücke:
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K6X0808C1DLQ70
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 1000 Stücke:
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K6X4008T1F-LQ70
Hersteller: SAMSUNG
06+ TSOP32
auf Bestellung 5000 Stücke:
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mlq75q7csaox
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CNY74-4H 83526.pdf
Hersteller: Vishay
Quad-Channel CTR 50-600% Uout 70V Uiso 5kV ->PC849, ILQ1, ILQ74 CNY74-4H OOCNY744h
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+2.1 EUR
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ILQ74 Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP
Produktcode: 42057
IC > Optokoppler (Optrone)
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APTGLQ75H120T3G 125282-aptglq75h120t3g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Technology: Field Stop; Trench
Case: SP3F
Application: motors
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DFLS120LQ-7 DFLS120LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Capacitance: 75pF
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward voltage: 0.36V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DFLS130LQ-7 DFLS130LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Capacitance: 76pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.36V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DFLS140LQ-7 DFLS140LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 10mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 0.88V
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.67W
Max. off-state voltage: 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Capacitance: 90pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DFLS230LQ-7 DFLS230LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 2A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.42V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 33A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DFLS240LQ-7 DFLS240LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DFLS240LQ-7 SMD Schottky diodes
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DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
DMG2307LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 8.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3028LQ-7 DMN3028LQ.pdf
DMN3028LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10.9nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3404LQ-7 DMN3404L.pdf
DMN3404LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
DMN4035LQ-7 DMN4035LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN4035LQ-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMP2123LQ-7 DMP2123LQ.pdf
DMP2123LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2225LQ-7 DMP2225L.pdf
DMP2225LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3099LQ-7 DMP3099LQ.pdf
DMP3099LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP3160LQ-7 DMP3160L.pdf
DMP3160LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ.pdf
DMP610DLQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 560pC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S120LQ-7 PD3S120LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Max. load current: 1A
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S130LQ-7 PD3S130LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
PD3S130LQ-7 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
PD3S220LQ-7 PD3S220LQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 0.49V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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