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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
110+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 4A TO225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
177+1.31 EUR
199+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G
Produktcode: 178450
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192RCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
381+0.61 EUR
424+0.5 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...100
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.23 EUR
420+0.2 EUR
475+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
672+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...120
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.23 EUR
420+0.2 EUR
470+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194onsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194Central Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+1.78 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195
Produktcode: 62231
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
381+0.61 EUR
424+0.5 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 7...80
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.26 EUR
360+0.24 EUR
410+0.21 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195ST09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195 (Замена КТ818Г)STMTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195..MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 4A TO225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
407+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.92 EUR
100+0.86 EUR
108+0.79 EUR
118+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.36 EUR
119+1.43 EUR
301+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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119+1.49 EUR
301+0.58 EUR
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2N5195G
Produktcode: 154610
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5195GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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137+1.82 EUR
192+1.21 EUR
232+0.93 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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1500+0.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5196Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
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2N5196SILICONIX
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2N5196InterFETJFET JFET N-Channel Dual
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2N5196-1Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5196-2Vishay / SiliconixJFET
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2N5196-E3Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5197Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5197SILICONI
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2N5197InterFETJFET JFET N-Channel Dual
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5198Vishay / SiliconixJFETs 50V 15pA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5198InterFETJFETs JFET N-Channel Dual
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5198MOT
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2N5199MOT
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2N519AMOTOROLA
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2N52CAN
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2N520MOTOROLA
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2N5200MOTOROLA
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2N5201MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
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2N5202MSC/MOT
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2N5202Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
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2N5202 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
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2N5202 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
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2N5202AMSC/MOT
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2N5203MOTCAN
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2N5204IR
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2N5204Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
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10+20.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N5204NIR
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2N5205IR
auf Bestellung 200 Stücke:
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2N5205Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+20.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N5206Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
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10+20.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N5206IR
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2N5206Vishay SemiconductorsSCRs 1000 Volt 35 Amp
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2N5207IR
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2N5207Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-48
Current - Off State (Max): 1.7 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.3 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Packaging: Box
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+20.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N5209Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5209 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5209 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5209 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
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2N5209 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N5209 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2N5209 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5209RLREMotorola2N5209RLRE
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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