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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SB1197KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 31955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1382+0.13 EUR
1815+0.095 EUR
2041+0.083 EUR
2080+0.08 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.076 EUR
12000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 1382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.35 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.39 EUR
491+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146R
Produktcode: 175155
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197KT146RROHM10+ROHS SOT-23
auf Bestellung 42344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197QROHM09+
auf Bestellung 12038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197RROHM09+
auf Bestellung 500018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197T146RSOT23-GASTN2907SFROHM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198ROHM03/04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-QROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RYangjie Electronic Technology2SB1198-R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.094 EUR
15000+0.09 EUR
30000+0.083 EUR
60000+0.08 EUR
120000+0.071 EUR
300000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.094 EUR
120000+0.086 EUR
300000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RQYangjie Electronic Technology2SB1198-RQ
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198/AKQROHM
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198HE3-R-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198HE3-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198HE3-R-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KROHM09+
auf Bestellung 66056 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K FRAT146QROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K HR8T146QROHMSOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K T146QROHMSOT23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K T146RROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K-QROHM08+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K-RROHMSOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K/AKQROHM02+ SOT-23
auf Bestellung 26785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K/AKRROHM02+ SOT-23
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198K/RROHMSOT-23
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KFRAT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KFRAT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
196+1.19 EUR
355+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KHRAT146Q
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146ROHM SemiconductorArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
326+0.71 EUR
508+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QROHM09+
auf Bestellung 94198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
326+0.71 EUR
508+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.56 EUR
599+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146RROHM
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 5199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.56 EUR
599+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SB1198KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
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2SB1198K\ADQROHMSOT-23
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2SB1198T146R
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2SB119AHIT98+ TO-3
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2SB12NECCAN
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2SB120NECCAN
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2SB1201onsemi BIP PNP 2A 50V
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2SB1201
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2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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563+0.94 EUR
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2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2SB1201S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
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2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.64 EUR
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2SB1201S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
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782+0.84 EUR
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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688+0.96 EUR
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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688+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 688 Stücke
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2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1286 Stücke:
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108+2.32 EUR
176+1.32 EUR
214+1 EUR
500+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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2SB1201S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 18640 Stücke:
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8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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2SB1201S-TL-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
79+1.08 EUR
88+0.98 EUR
115+0.75 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
176+1.32 EUR
214+1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.7 EUR
1400+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.84 EUR
1400+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SB1201STL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB1201T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SB1201T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
700+0.69 EUR
1400+0.63 EUR
2100+0.58 EUR
4900+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SB1201T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1619+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
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2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1201T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SB1202onsemionsemi BIP PNP 3A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SB1202SAYNOSOT252
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB1202RTL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB1202SSANYO09+
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 32595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
968+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 968 Stücke
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2SB1202S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 32698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2SB1202S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
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2SB1202S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
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2SB1202S-TL-ESANYOSOT-252
auf Bestellung 22929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
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2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2SB1202S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 2716 Stücke:
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