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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMFS4709NT3G
auf Bestellung 13516 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4741N
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4744NT1GON05+
auf Bestellung 587 Stücke:
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NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 153685 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1031 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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NTMFS4744NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
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NTMFS4744NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
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NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 902 Stücke
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NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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NTMFS4821NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 58.8A 6.95
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NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
869+0.2 EUR
1019+0.17 EUR
1029+0.15 EUR
1099+0.13 EUR
1166+0.12 EUR
1243+0.11 EUR
1329+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1040+0.17 EUR
1099+0.15 EUR
1166+0.14 EUR
1243+0.13 EUR
1329+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 716 Stücke:
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NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N
auf Bestellung 17 Stücke:
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NTMFS4821NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 256 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1099+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1099 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4823NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
184+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET1GonsemiMOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 16335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SO-8FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NST1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SO-8FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 8943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
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NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
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NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
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NTMFS4833NT3G
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NTMFS4833NT3GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
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NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
141+1.19 EUR
143+1.14 EUR
150+1.04 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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NTMFS4834NT1GON
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NTMFS4834NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
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NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4834NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
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NTMFS4835NT
auf Bestellung 240 Stücke:
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 7374 Stücke:
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435+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 520360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
100000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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NTMFS4835NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1024741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NTMFS4835NT1GONN
auf Bestellung 1215 Stücke:
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NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 794741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
348+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
100000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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NTMFS4835NT1G
Produktcode: 133508
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Transistoren > MOSFET N-CH
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTMFS4835NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm
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NTMFS4835NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 223000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
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NTMFS4835NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
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NTMFS4836Nonsemionsemi
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NTMFS4836NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
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NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 115775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
761+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 761 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4836NT1G
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4836NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4836NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1G
Produktcode: 179189
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
auf Bestellung 17115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
734+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 734 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GON Semiconductor
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4837NHT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 47.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NT1G
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 16A 5MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 47.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 12 V
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