Produkte > RN4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RN4911,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT 4.7kOhm 4.7kOhm -50V -0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4911,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR= Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4911TE85L(VM) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN495DT146 | ROHM | 01+ | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4962FE | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4968 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4981 | TOSHIBA | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4981(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 7895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 7895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR= | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, 4.7kO, 4.7kO, 4.7kO, 4.7kO, 50V (SOT-363) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR= | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981FE | TOSHIBA | auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4981FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT563) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982 | TOSHIBA | auf Bestellung 258000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4982 | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982(T5L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4982(T5L,F,T) | TOSHIBA | 2007 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN4982,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 1477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 186 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 842 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982,LXHF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982-TL13 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4982FE | TOSHIBA | SOT-563 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE(T5LCANO,F) | TOSHIBA | SOT26 | auf Bestellung 7431 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983 | TOSHIBA | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4983 | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 22Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983,LF(CB | Toshiba | RN4983,LF(CB | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN4983,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN4983,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983FE | TOSHIBA | auf Bestellung 19700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4983FE(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4983FE/6C | TOSHIBA | auf Bestellung 10826 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4983FS | TOSHIBA | auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4983T5RSONY(6C) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4983TE85R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4984 | TOSHIBA | auf Bestellung 21900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984(T5L.T) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN4984(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN4984,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4984,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
