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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBTA56LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 32184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
618+0.14 EUR
966+0.088 EUR
1180+0.073 EUR
1502+0.057 EUR
1767+0.048 EUR
2033+0.042 EUR
2184+0.039 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3746+0.067 EUR
9000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3746 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9037+0.073 EUR
10136+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9037 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2778+0.063 EUR
3892+0.044 EUR
4406+0.038 EUR
4927+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
15000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 2778 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON-SemiconductorPNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1176+0.2 EUR
1898+0.11 EUR
2598+0.082 EUR
3022+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 630000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4066+0.043 EUR
9000+0.04 EUR
27000+0.038 EUR
51000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4066 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 90061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.18 EUR
1662+0.1 EUR
1681+0.098 EUR
2748+0.057 EUR
2778+0.055 EUR
3892+0.037 EUR
4406+0.031 EUR
4927+0.029 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 998 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G
Produktcode: 177590
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9037+0.073 EUR
10136+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9037 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G /3G
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4609+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
992+0.18 EUR
1653+0.1 EUR
2660+0.062 EUR
3691+0.043 EUR
4902+0.031 EUR
4951+0.03 EUR
5587+0.025 EUR
10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 992 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5883+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.069 EUR
30000+0.068 EUR
50000+0.065 EUR
100000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
1318+0.18 EUR
1737+0.12 EUR
2874+0.075 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
166+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
2000+0.071 EUR
5000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1011+0.18 EUR
1684+0.1 EUR
2711+0.061 EUR
3760+0.042 EUR
4976+0.03 EUR
5026+0.029 EUR
5682+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1011 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 7532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
556+0.15 EUR
799+0.11 EUR
939+0.09 EUR
1359+0.063 EUR
1593+0.054 EUR
2500+0.044 EUR
5000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.42 EUR
1318+0.18 EUR
1704+0.13 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
15000+0.083 EUR
30000+0.08 EUR
60000+0.075 EUR
120000+0.067 EUR
300000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56QYangjie Electronic TechnologyMMBTA56Q
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1onsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3049+0.057 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.11 EUR
2151+0.081 EUR
2458+0.069 EUR
3195+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.11 EUR
2151+0.079 EUR
2458+0.067 EUR
3195+0.049 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
481+0.18 EUR
545+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_D87ZonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 5065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
112+0.19 EUR
180+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDarlington Transistors PNP Transistor Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA63 - MMBTA63, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63MOT
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 1117725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1099765 Stücke:
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9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
100000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
893+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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MMBTA63-7-F
auf Bestellung 830 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MMBTA63-7-FDiodes ZetexTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA63-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
893+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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MMBTA63-7-FDIVSOT-23 Транзистори
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MMBTA63-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Current gain: 5000...10000
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
404+0.21 EUR
468+0.18 EUR
536+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes ZetexTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2984 Stücke
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MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDarlington Transistors -30V 300mW
auf Bestellung 21058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F-WDiodes Incorporated General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-HFComchip TechnologyDarlington Transistors TRANS PNP 0.5A 30V SOT-23
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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