Produkte > 2N5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5209RLRE | NXP | Description: NXP - 2N5209RLRE - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5209RLRE | Motorola | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N520A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N521 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2n5210 Produktcode: 144830
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5210 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 5311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT N/50V/50MA/200-600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 12552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 | auf Bestellung 50450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5210 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210 - 2N5210, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 24201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-92 Ammo/T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 2802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 50mA; 0.35W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Current gain: 200...600 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz | auf Bestellung 4422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 250mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210BU | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210BU - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 29750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 1033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210BU Produktcode: 100007
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5210NMBU | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210RLRA - 2N5210RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | MOTO | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5210RLRA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.05A 310mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 38506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 6950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210TA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TA - 2N5210TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 15307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 8307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 71333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 57333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 35333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TFR - 2N5210TFR, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 22450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210_J05Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5210_S00Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5211 | MOT | CAN | auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N521A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N522 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5223 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5223 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5224 | ON Semiconductor | Description: NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5225 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5225 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 100mA 20pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5226 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 8pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5227 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 3.0Vebo 10mA 10pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5227 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 3.0Vebo 10mA 10pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5229 | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5229A | MOTOROLA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N522A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N523 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5230 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5231 | MOTOROLA | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5231A | MOTOROLA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5232A | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 30nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A LEAD FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 30nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 | auf Bestellung 15024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 3545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5232A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 50Vcbo 5.0Vebo 100mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5232A TRF PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |