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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFH32N50QТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH32N50Q
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH32N50QIXYSMOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH340N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 340 A, 3200 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+14.01 EUR
120+13.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.19 EUR
10+19.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.36 EUR
11+15.73 EUR
30+11.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 695W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.18Ω
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.28 EUR
10+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2AIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2AIXYSMOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.15 EUR
10+11 EUR
120+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
30+12.17 EUR
60+11.17 EUR
120+10.34 EUR
510+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 540W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.19 EUR
12+20.23 EUR
14+15.74 EUR
50+12.83 EUR
100+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.45 EUR
11+7.83 EUR
30+7.32 EUR
120+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2WIXYSDescription: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.91 EUR
30+11.15 EUR
60+10.23 EUR
120+9.45 EUR
510+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2WIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 64nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2WIXYSMOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.54 EUR
10+11 EUR
120+9.29 EUR
1020+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3IXYSMOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.28 EUR
10+10.91 EUR
120+9.32 EUR
510+9.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH35N30IXYSMOSFETs 300V 35A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH35N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH35N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.84 EUR
30+14.99 EUR
60+13.82 EUR
120+12.84 EUR
510+11.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50PIXYSMOSFETs 500V 36A
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.92 EUR
10+17.7 EUR
120+15.12 EUR
510+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N55QIXYSMOSFETs 36 Amps 550V 0.16 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N55Q2IXYSMOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.28 EUR
10+13.46 EUR
15+12.85 EUR
30+11.86 EUR
60+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.44 EUR
30+15.43 EUR
120+13.24 EUR
510+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 650W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PIXYSMOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
10+19.5 EUR
120+16.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.13 EUR
11+16.67 EUR
30+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3IXYSMOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+9.28 EUR
120+8.48 EUR
510+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
30+9.17 EUR
120+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH36N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.04 EUR
17+13.88 EUR
22+10.13 EUR
50+9.32 EUR
100+8.01 EUR
250+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH39N60
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 400A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 400A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.99 EUR
30+18.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH400N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 400A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 400
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.86 EUR
10+19.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.51 EUR
30+41.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH40N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30IXYSMOSFETs 300V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30
Produktcode: 128335
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30IXYS
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30Q
Produktcode: 118075
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30QIXYS09+
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30QIXYSMOSFETs 300V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N30SIXYS9842
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50QIXYSMOSFETs 500V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50QIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q2
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.93 EUR
30+21.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N20IXYSMOSFETs 42 Amps 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.56 EUR
10+19.12 EUR
30+16.26 EUR
120+15.37 EUR
510+13.39 EUR
1020+12.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.37 EUR
30+14.66 EUR
120+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.4 EUR
11+20.59 EUR
50+12.45 EUR
100+11.54 EUR
250+10.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3IXYSMOSFETs 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.97 EUR
6+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFH44N50PMOSFET N-CH 500V 44A TO-247 Транзистори
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IXFH44N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH44N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH44N50PIXYSMOSFETs 500V 44A
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IXFH44N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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7+26.29 EUR
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IXFH44N50P
Produktcode: 98569
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFH44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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30+17.85 EUR
60+16.51 EUR
120+15.37 EUR
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IXFH44N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
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1+38.08 EUR
30+24.04 EUR
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IXFH44N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH44N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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1+34.01 EUR
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IXFH46N30TIXYSMOSFETs TO247 300V 46A N-CH TRENCH
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IXFH46N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
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2+15.54 EUR
30+9.09 EUR
120+7.68 EUR
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IXFH46N60X2AIXYSMOSFETs Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
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IXFH46N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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