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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7160DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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SI7160DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 6250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
10+5.14 EUR
100+3.61 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3
Produktcode: 164214
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI7170VISHAY08+
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7170DP
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7170DP-T1-E3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7170DP-T1-GE3VISHAYQFN
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7170DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7170DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V
auf Bestellung 4356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7172-A20
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
auf Bestellung 14212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.01 EUR
100+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.09 EUR
100+1.71 EUR
102+1.62 EUR
129+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.25 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+4.36 EUR
100+3.46 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7174DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7178DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7178DP-T1-GE3
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7178DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
auf Bestellung 6127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.8 EUR
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500+2.74 EUR
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SI7178DP-T1-GE3Vishay BC ComponentsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=60A@T=25C, P=104W).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
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SI7178DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
auf Bestellung 2463 Stücke:
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1+5.62 EUR
10+4.66 EUR
100+3.72 EUR
500+3.17 EUR
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SI7186DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.14 EUR
100+1.86 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.42 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+3.2 EUR
100+2.53 EUR
250+2.34 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.82 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
auf Bestellung 6123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+3.14 EUR
100+2.5 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DPVISHAY2008
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.21 EUR
40+4.27 EUR
41+4.07 EUR
100+3.13 EUR
250+2.89 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+3.44 EUR
100+3.17 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.84 EUR
3000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 60A 83W 2.0mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196VISHAY07+
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7200ESANKEN
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7200GC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7200J
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7200M
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FV - Hall-Effekt-Schalter, Allpoliger Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Allpoliger Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Push-Pull
Produktpalette: Si720x Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.83 EUR
25+1.61 EUR
100+1.46 EUR
300+1.27 EUR
600+1.06 EUR
4200+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FV - Hall-Effekt-Schalter, Allpoliger Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Allpoliger Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Push-Pull
Produktpalette: Si720x Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Strip
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVRSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.42 EUR
138+1.23 EUR
145+1.13 EUR
154+1.02 EUR
162+0.94 EUR
169+0.86 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7201-B-00-FVRSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.02 EUR
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SI7201-B-00-FVRSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
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SI7201-B-00-FVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FVR - HALL EFFECT MAGNETIC SENSOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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SI7201-B-00-FVRSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
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