Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BC856B-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 26689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 219000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 555000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 219000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC856B-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 26689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 231000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | auf Bestellung 1129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/3B | Infineon | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BC856B/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B2235 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B2235 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B2235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B3,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B3,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B3,235 | NXP Semiconductors | BC856B/DG/B3,235 | auf Bestellung 230000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B3235 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B3235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 230000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B3235 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B4215 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC856B - SMALL SIGN Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 21900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B4R | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856B/DG/B4VL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANSISTOR GEN PURP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/T1 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856B/Y | auf Bestellung 7370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC856BC | auf Bestellung 15037 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC856BDW | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 5V 475@2MA,5V 100MA 200MW SOT-36 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 5V 475@2MA,5V 100MA 200MW SOT-36 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 380mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | On Semiconductor | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 23915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 1921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | On Semiconductor | Сдвоен. PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.25Вт, 100МГц, SOT-363 (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 23915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | auf Bestellung 37836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 16693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T3 - BC856BDW1T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 5051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | auf Bestellung 19954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 720798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BE-6327 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC856BE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856BE6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 11960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BE6327 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC856BE6433 | INFINEON | 03+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BFHWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1110A-3/SWP T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC856BFHWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFHWQ-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFHWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFHWQ-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | auf Bestellung 2866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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