Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| AUIRF8739L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm | auf Bestellung 4642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): 40V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA | auf Bestellung 12443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive 9-Pin Direct-FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF8739L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9540N | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF9540N - AUIRF9540 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9540N | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9540N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9540N | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 117mOhms | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF9540N | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AUIRF9540N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF9952Q Produktcode: 117606
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRF9952Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9952QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9952QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 100mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF9Z34N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF9Z34N | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AUIRF9Z34N-INF | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB3004 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3006 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3206 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3207 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3207 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3306 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3607 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3806 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB3806-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4227 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4310Z | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4410 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4410 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFB4410 - AUIRFB4410 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4410-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4610 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB4610 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFB8405 - AUIRFB8405 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | International Rectifier | Description: AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A | auf Bestellung 1366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8405-071 | International Rectifier | Description: AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 14950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8405XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8407 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 230W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 180A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 1.4mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8407XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8409 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) | auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFB8409 Produktcode: 61521
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFB8409XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFBA1405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFBA1405 | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55 nC Qg, Super | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFBA1405P | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFC8407TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFC8407TR - AUIRFC8407 30V-250V N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 292426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFC8407TR | International Rectifier | Description: AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL Packaging: Bulk Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 294276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFC8408TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH SMD D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFI3205 | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 64A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFI4905 | International Rectifier | Description: AUIRFI4HEXFPOWMOSFET Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFI4905 | Infineon / IR | MOSFET Automotive 55V 64.00a TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFIZ34N | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 21A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFIZ34N | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55m, 23nC Qg | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFIZ44N | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 31A TO-2220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFIZ44N | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55m, 43nC Qg | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL014N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL014NTR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFL014NTR - AUIRFL014 - 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 88 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL014NTR | Infineon Technologies | MOSFET Automotive MOSFET 55V, 1.9A, 160 mOhm | auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL014NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL014NTR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFL024N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL024NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFL024NTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55V, 2.8A, 75 mOhm | auf Bestellung 2567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN7107TR | Infineon Technologies | Description: AUIRFN7107 - 75V-100V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN7107TR | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 4405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN7107TR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN7107TR-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 14A/75A TDSON0 Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN7110TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFN7110TR - AUIRFN7110 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 75 / 80 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN8401TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 84A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN8401TR | Infineon / IR | MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRFN8403TR | Infineon Technologies | MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET | auf Bestellung 2456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |