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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD11DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
74+3.15 EUR
100+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 59A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GInfineon technologies
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
91+2.55 EUR
122+1.76 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.31 EUR
46+1.89 EUR
54+1.58 EUR
60+1.43 EUR
66+1.3 EUR
74+1.15 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 17462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.14 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
122+1.76 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1 Transistor
Produktcode: 219511
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD125DKSamtec
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.56 EUR
100+2.01 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
279+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 67A DPAK-2 OptiMOS 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
101+2.31 EUR
108+1.99 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.48 EUR
100+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
auf Bestellung 7137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.46 EUR
100+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
101+2.31 EUR
108+1.99 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
37+2.34 EUR
46+1.87 EUR
52+1.67 EUR
60+1.43 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CNE8Ninfineon07+
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12N03LINF07+;
auf Bestellung 37500 Stücke:
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IPD12N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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IPD12N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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IPD12N03LBGInfineon
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IPD12NLBGinfineon07+ to-252/d-pak
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IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPD130N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; 71W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 2026 Stücke:
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1+3.72 EUR
10+2.34 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.08 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.95 EUR
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IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD135N03infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD135N03L G
Produktcode: 128409
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPD135N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
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IPD135N03LGinfineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD135N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPD135N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD135N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
123+0.69 EUR
157+0.55 EUR
171+0.5 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD135N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
322+0.73 EUR
335+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 28599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
25+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD135N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
322+0.73 EUR
335+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
auf Bestellung 17033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.92 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD135N03LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGXTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+1.37 EUR
185+1.26 EUR
212+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.37 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
7500+0.74 EUR
12500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
5000+0.8 EUR
7500+0.77 EUR
12500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+1.37 EUR
185+1.26 EUR
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IPD135N08N3GATMA1
Produktcode: 164353
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
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IPD13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPD13N03LAInfineon0504+
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IPD13N03LA GINFINEON09+
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IPD13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPD13N03LA G
Produktcode: 46550
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IPD13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 30A DPAK-2
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IPD13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IPD13N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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IPD13N03LAGBUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IPD13N03LAP
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IPD144N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPD144N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IPD14N03Linfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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IPD14N05infineon04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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