Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R1K0C3 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO247-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R1K0C3 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW90R1 - 900V COOLMOS N-CHANNEL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R340C3 | Infineon | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 Produktcode: 191424
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 12960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R500C3 | Infineon technologies | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R500C3 Produktcode: 152093
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R500C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R500C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW90R500C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW90R500C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW90R800C3 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IPW90R800C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW95R060PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW95R130PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R130PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW95R130PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW95R310PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW95R310PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPWS65R035CFD7A | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPWS65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPWSHRRFM16 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM16 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M16, 25mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M16 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 25mm Produktpalette: - | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPWSHRRFM20 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM20 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M20, 30.5mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M20 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 30.5mm Produktpalette: - | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPWSHRRFM25 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM25 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M25, 38mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M25 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 38mm Produktpalette: - | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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