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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
623+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 623 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.69 EUR
340+0.49 EUR
344+0.46 EUR
349+0.44 EUR
585+0.25 EUR
616+0.23 EUR
634+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
30+0.73 EUR
100+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1A 180 to 450hFE 50V
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.74 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
10000+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V 1A SOT89 BJT NPN
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+0.31 EUR
565+0.3 EUR
628+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 5544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
869+0.2 EUR
942+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+0.24 EUR
787+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
196+1.19 EUR
301+0.71 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.67 EUR
270+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
auf Bestellung 4563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.65 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
196+1.19 EUR
301+0.71 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
462+0.37 EUR
573+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 462 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 36289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.74 EUR
364+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A
auf Bestellung 4433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
250+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 4730 Stücke:
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15+1.4 EUR
24+0.88 EUR
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500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
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2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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482+0.36 EUR
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2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
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235+0.74 EUR
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2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
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2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
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833+0.2 EUR
947+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SCR514PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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186+0.93 EUR
250+0.88 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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504+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 504 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.27 EUR
673+0.25 EUR
785+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
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273+0.63 EUR
432+0.39 EUR
576+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
29+0.73 EUR
100+0.44 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 0.7A 120 to 390hFE 80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
184+1.26 EUR
283+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.9 EUR
292+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
184+1.26 EUR
283+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 700mA Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.92 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
534+0.32 EUR
635+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
452+0.38 EUR
455+0.37 EUR
560+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
166+1.4 EUR
253+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
166+1.4 EUR
253+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 80V .7A MID-PWR TRANS
auf Bestellung 4901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.45 EUR
10+1.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
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500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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432+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
auf Bestellung 816 Stücke:
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3+1.46 EUR
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500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1360 Stücke:
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159+1.57 EUR
258+0.9 EUR
397+0.54 EUR
521+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 10123 Stücke:
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635+0.27 EUR
640+0.26 EUR
755+0.21 EUR
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3000+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC96
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC96
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
258+0.9 EUR
397+0.54 EUR
521+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 356 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416FL, 20V 200mA, General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 6919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.058 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.049 EUR
3522+0.048 EUR
4099+0.04 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
101+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.2A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 400MHz
Case: SOT723
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 120...560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
1141+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
1141+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-723, 20V 200mA, General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 5338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
8000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 10985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4927+0.035 EUR
8000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4927 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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