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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC606P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.32 EUR
544+0.31 EUR
553+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 13259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
317+0.68 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZonsemi / FairchildMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 156932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.48 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
510+0.33 EUR
518+0.32 EUR
527+0.31 EUR
535+0.29 EUR
544+0.27 EUR
553+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 13259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
317+0.68 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.33 EUR
562+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 145851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+0.79 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON-SemiconductorP-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
28+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1557+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
136+0.63 EUR
154+0.56 EUR
205+0.42 EUR
229+0.37 EUR
258+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ-F171ON SemiconductorFDC608PZ-F171
auf Bestellung 681149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
100000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ-F171onsemiDescription: FDC608PZ - P-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 681149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ-F171ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ-F171 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 510149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.49 EUR
410+0.4 EUR
451+0.36 EUR
515+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 6639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
203+1.14 EUR
314+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
142+0.6 EUR
199+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1718+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1718 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZonsemiMOSFETs -30V P-CHANNEL
auf Bestellung 89924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+0.73 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1362+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ-GonsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
auf Bestellung 320053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1362+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1362+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1362 Stücke
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FDC610PZ-PGonsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ-PGONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ-PG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ_PGON SemiconductorFDC610PZ-PG
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1722+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1722 Stücke
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FDC6301FAIRCHILD
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 0.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
163+0.52 EUR
228+0.37 EUR
265+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.37 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 21772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.51 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N-NL
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
321+0.73 EUR
459+0.46 EUR
603+0.36 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
321+0.73 EUR
459+0.46 EUR
603+0.36 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N/301FAIRCHLD09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N_GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N_NL
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 19026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
auf Bestellung 3276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 89137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
744+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 744 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 43845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.57 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302P_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 15273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
30000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.49 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 117163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.7 EUR
236+0.99 EUR
365+0.58 EUR
524+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 28176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 157625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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26+0.82 EUR
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FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.71 EUR
160+0.54 EUR
209+0.4 EUR
232+0.37 EUR
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1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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147+1.7 EUR
236+0.99 EUR
365+0.58 EUR
524+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FDC6303N-NL
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FDC6303N/303FAIR
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDC6303N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
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