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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
auf Bestellung 3276 Stücke:
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FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2457 Stücke:
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FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 19026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
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1121+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 89137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
744+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 744 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 43845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1121+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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1121+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6302P_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 28176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 157625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 15673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.88 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 117373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
254+0.92 EUR
372+0.57 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
30000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 117373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
254+0.92 EUR
372+0.57 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N/303FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
auf Bestellung 11432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 76937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1523+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 75695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
889+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6304P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
187+1.25 EUR
288+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
92+0.93 EUR
106+0.81 EUR
148+0.57 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.14 EUR
148+1.09 EUR
149+1.05 EUR
250+1 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
206+0.82 EUR
297+0.55 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
740+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
187+1.25 EUR
288+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.84 EUR
297+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
149+1.15 EUR
250+1.13 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 24350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N/305FAIR
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 16489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
202+1.15 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
15000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 15459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
202+1.15 EUR
320+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6308P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 3906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6308P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC630C - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC630CON SemiconductorFDC630C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2738+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
193+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
20+1.08 EUR
100+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
414+0.42 EUR
419+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONS/FAI2 P-Channel (Dual), 20V, 2.2A, SSOT-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
12000+0.31 EUR
18000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310Ponsemi / FairchildMOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
auf Bestellung 4591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+0.89 EUR
100+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
193+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1349+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
269+0.62 EUR
390+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6310P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDC6310P_Qonsemi / FairchildMOSFET
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
auf Bestellung 13527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.52 EUR
334+0.51 EUR
360+0.46 EUR
364+0.45 EUR
500+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312POn SemiconductorMOSFET SSOT-6 P-CH DUAL Транзистори
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6312Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
auf Bestellung 7716 Stücke:
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2+1.89 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.58 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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