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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6680Sonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 25135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.33 EUR
549+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680S-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680S/R407+
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680S_NLFSC09+
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Zonsemi / FairchildMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 38464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZonsemiMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.08 EUR
27+3.27 EUR
30+2.88 EUR
50+2.14 EUR
100+1.9 EUR
250+1.67 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.76 EUR
68+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.88 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681ZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z_NL
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
764+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
759+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 759 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
759+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 759 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
759+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 759 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682-NLFDS
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6682SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6683ZFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.64 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.64 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685onsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.64 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
auf Bestellung 19131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.64 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6685 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 19131 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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FDS6685-NBCM003Aonsemionsemi P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20mO
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FDS6685-NBCM003AON SemiconductorFDS6685-NBCM003A
auf Bestellung 1393 Stücke:
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248+2.67 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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FDS6685-NBCM003AonsemiDescription: P-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENC
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FDS6685_NBCM003Aonsemi / Fairchildonsemi
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FDS6685_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, LOGIC LEVEL, PCH, 30V
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FDS6685_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 5194 Stücke:
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FDS6685_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
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FDS6687FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
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239+2.77 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.23 EUR
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FDS6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6688FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.77 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.77 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 24404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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FDS6688ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688 - MOSFET, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 20529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.77 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.23 EUR
10000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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FDS6688-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6688ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688AS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 19180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 501 Stücke
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FDS6688ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
auf Bestellung 19180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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FDS6688NLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
auf Bestellung 288922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 282138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
100000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 288922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688S-NLFDS0615+ SOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6689S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SON SemiconductorFDS6689S
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ON SemiconductorFDS6690
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.82 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
275+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 102500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
249+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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