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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688 - MOSFET, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 20529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688AS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 19180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
501+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
auf Bestellung 19180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688NLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
auf Bestellung 288922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 288922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
501+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 282138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
10000+1.31 EUR
100000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688S-NLFDS0615+ SOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6688_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6689S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6689SON SemiconductorFDS6689S
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.64 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690onsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ON SemiconductorFDS6690
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.84 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
275+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
50+1.18 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A
Produktcode: 52356
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.3 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A-NBNP006 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006Fairchild SemiconductorDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
743+0.8 EUR
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FDS6690A-NL
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FDS6690AFDS6690AS
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FDS6690ANLFAIRCHILD
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FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
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FDS6690ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690AS
Produktcode: 169096
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS6690ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
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FDS6690AS-NBNU001onsemiMOSFET
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FDS6690AS-NL
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FDS6690ASNLFAIRCHILD
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FDS6690AS_NBNU001onsemi / FairchildMOSFET 30V,NCH,SO8,POWER TRENCH SYNCFET
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FDS6690AS_TNBNU001onsemi / Fairchildonsemi
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FDS6690A_NBBM015AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
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FDS6690A_NBNP006onsemi / FairchildArray
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FDS6690A_NLFAIRCHILD09+
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FDS6690A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
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FDS6690NLFAIRCHILD
auf Bestellung 80000 Stücke:
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FDS6690SFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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246+2.71 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
100000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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FDS6690SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 15 V
auf Bestellung 427120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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FDS6690SFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.71 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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FDS6690SFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 124950 Stücke:
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246+2.71 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
100000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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FDS6690SFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 87634 Stücke:
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246+2.71 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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FDS6690SFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.71 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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FDS6690S_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6692Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
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FDS6692onsemiMOSFETs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6692-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6692AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
582+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
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FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
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FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDS6692AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
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FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6694Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 15 V
auf Bestellung 28954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694
Produktcode: 52710
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694NLFAIRCHILD
auf Bestellung 44500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694SFSC09+
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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