Produkte > FQP

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF4N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60CFAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80ONS/FAIN-Channel, 800 V, 2.2 A, TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80ON SemiconductorFQPF4N80
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80Fairchild
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.05 EUR
100+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CONS/FAIMOSFET N-CH 900V 4A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90C (TO-220FP, ON)
Produktcode: 86951
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/17
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.43 EUR
10+2.18 EUR
100+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+1.89 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90CT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+1.89 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N90CTonsemi / FairchildMOSFETs 900V, 4A, NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4P25FAIRCHILD02+
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4P40onsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF50N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF50N06Fairchild
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF50N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF50N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34.2A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF55N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF58N08onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF58N08Tonsemi / FairchildMOSFET N-CH/80V/35A/0.024OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N15Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N20ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
550+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
972+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 972 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N30ON SemiconductorFQPF5N30
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
802+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.68 EUR
100+2.09 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
96+2.44 EUR
134+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50FAIRCHILDFQPF5N50
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50FAIRCHILDFQPF5N50
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFAIRCHILD
auf Bestellung 59112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CFTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
353+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CFTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CTTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 32951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+1.42 EUR
512+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUonsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.64 EUR
800+1.45 EUR
2400+1.38 EUR
5600+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 35036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N50CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60FSC
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 20650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60C
Produktcode: 131269
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
87+2.69 EUR
103+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CYDTUFAIRCHILDFQPF5N60CYDTU
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N60C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80ON SemiconductorFQPF5N80
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+2.13 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
360+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N80_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+5.59 EUR
25+5.3 EUR
100+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Nächste Seite >> ]