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MOSFET N-Ch 55V 17A DPAK-2 OptiMOS

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IPD14N06S2-80

Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD14N06S280ATMA1

Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD14N06S280ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1788 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	0.64 EUR
283+	0.6 EUR
303+	0.54 EUR
306+	0.51 EUR
322+	0.46 EUR
329+	0.44 EUR
500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IPD14N06S280ATMA2

Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	1 EUR
254+	0.92 EUR
264+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 252 Stücke

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IPD14N06S280ATMA2
Produktcode: 154372

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD14N06S280ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD14N06S280ATMA2

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 2829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.67 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD14N06S280ATMA2

Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

329+	0.76 EUR
334+	0.69 EUR
336+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 329 Stücke

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IPD14N06S280ATMA2

Транзистори

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IPD14N06S280ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.53 EUR
14+	1.59 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N03L

04+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD15N06S2L-64

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD15N06S2L-64

MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS

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IPD15N06S2L64

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA1

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD15N06S2L64ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPD15N06S2L64ATMA2

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD15N06S2L64ATMA2

Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm

auf Bestellung 15885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.9 EUR
159+	1.46 EUR
228+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.05 EUR
21+	1.04 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPD15N06S2L64ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA2
Produktcode: 122996

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA2

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 3147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD15N06S2L64ATMA2

Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm

auf Bestellung 15885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.9 EUR
159+	1.46 EUR
228+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD160N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD160N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD16CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD16CN10NG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD16CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD16CNE8NG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD170N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

auf Bestellung 5283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.27 EUR
11+	2.07 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD180N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25 Stücke:

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IPD180N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD180N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.89 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD180N10N3GATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

auf Bestellung 6762 Stücke:

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1+	3.69 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.07 EUR
2500+	0.99 EUR
10000+	0.82 EUR

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IPD180N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 266 Stücke

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IPD180N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD180N10N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD180N10N3GBTMA1
Produktcode: 144724

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IPD180N10N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD180N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V

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IPD18DP10LMATMA1

Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.42 EUR
114+	1.89 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD18DP10LMATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 792 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.37 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	0.96 EUR
5000+	0.94 EUR

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IPD18DP10LMATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD18DP10LMATMA1

Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.98 EUR
97+	2.42 EUR
114+	1.89 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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IPD18DP10LMATMA1

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD1928497938-EF01

TE Connectivity

Description: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	4.82 EUR
403+	4.44 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IPD1928497939-EF01

TE Connectivity

Description: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 3
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	35.31 EUR
45+	32.52 EUR
300+	31.25 EUR
800+	29.98 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD1928497941-EF01

TE Connectivity

Description: DT PLUG 3WAY EF01-SEAL MARKING 2
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	5.57 EUR
324+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPD19DP10NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD19DP10NMATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Description: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1479ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.74 EUR
116+	1.86 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Description: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.88 EUR
85+	2.74 EUR
116+	1.86 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 4454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.06 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	0.96 EUR
10000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 2448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD19DP10NMATMA1

Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.93 EUR
98+	1.76 EUR
116+	1.45 EUR
200+	1.34 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.15 EUR
2000+	1.06 EUR
2500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3 G

auf Bestellung 2322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.86 EUR
50+	3.65 EUR
100+	3.45 EUR
250+	3.27 EUR
500+	3.14 EUR
1000+	3.01 EUR
2500+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

auf Bestellung 28916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.93 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.84 EUR
5000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5 EUR
42+	4.02 EUR
45+	3.64 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.63 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.81 EUR
5000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD200N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 21052 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.3 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD200N15N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 200A

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IPD200N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5 EUR
42+	4.12 EUR
45+	3.78 EUR
100+	3.08 EUR
250+	2.84 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPD200N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.26 EUR
50+	4.63 EUR
100+	4.15 EUR
200+	4.01 EUR
500+	3.52 EUR
1000+	3.18 EUR
2000+	2.83 EUR
2500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IPD200N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 33705 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	6.3 EUR
65+	3.57 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IPD200N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.84 EUR
5000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD200N15N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 6859 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.37 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.24 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	2.01 EUR
2500+	1.75 EUR

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IPD200N15N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD200N15N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

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IPD2012-760

Desktop AC Adapters The factory is currently not accepting orders for this product.

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IPD2012-760

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 1.6A
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 12V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
Power (Watts): 19 W

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.95 EUR
5+	27.54 EUR
20+	25.62 EUR
40+	24.72 EUR
60+	24.19 EUR
100+	23.56 EUR

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IPD2012-760S

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35.27 EUR

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IPD2024-760

Plug-In Adapter Single-OUT 24V 0.8A 20W

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Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD2024-760

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.21 EUR
5+	29.62 EUR
20+	27.55 EUR
40+	26.57 EUR
60+	26.03 EUR

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IPD2024-760S

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.64 EUR

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IPD20N03L

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD20N03L

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD20N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD20N03LG

INF

07+;

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD20N03LP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD20N06

OSRAM Opto Semiconductors

04+

auf Bestellung 35270 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD2131-25

AlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	180.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD2131-27

OSRAM Opto Semiconductors

AlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	173.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD220N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 22350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD220N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

auf Bestellung 5532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.45 EUR
14+	1.52 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD220N06L3GATMA1