Produkte > MMD

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMDT5401HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 150V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 150V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 320mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
auf Bestellung 20990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
45+0.46 EUR
52+0.4 EUR
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 76705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3831+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
auf Bestellung 17001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451.
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451HE3-TPMicro Commercial CoDescription: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 4743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedDescription: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 47955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
38+0.56 EUR
100+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedDescription: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
30000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5451Q-7Diodes ZetexNPN / PNP Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 200MW 200MA NPN+NPN SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551GOODWORKDescription: 600mA 150V 300mW SOT-363
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 200MW 200MA NPN+NPN SOT-363
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
109+0.19 EUR
177+0.12 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551LITEON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551 JSMICROJSMSEMITransistor 2xNPN; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551-JSM(K4N) TMMDT5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551 MERRYMERRYTransistor 2xNPN; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551 TMMDT5551 MER
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551 SLKORSLKORTransistor 2xNPN; 300; 200mW; 180V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551 TMMDT5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 104274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.88 EUR
532+0.44 EUR
794+0.27 EUR
1129+0.19 EUR
1227+0.18 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDiodes Inc./ZetexSOT-363 BIPOLAR TRANSISTOR DUAL NPN ROHS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160V 200mW
auf Bestellung 209492 Stücke:
Lieferzeit 346-350 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.5 EUR
100+0.35 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 97529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
463+0.5 EUR
730+0.3 EUR
1060+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-AU_R1_007A1PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
auf Bestellung 20607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; SOT363; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 80...300
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 200mA 160V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial CoDescription: DUAL NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial CoDescription: DUAL NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551_R1_00701PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551_R1_00701Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551_R1_00701Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
254+0.92 EUR
333+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1280mW 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 163MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
31+0.69 EUR
50+0.61 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
auf Bestellung 4836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.61 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
254+0.92 EUR
333+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 163MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT, SOT-363, PNP, 10K, 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT, SOT-363, PNP, 10K, 1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DW-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Biased BJT, SOT-363, PNP, 10k?, 10k?, 60V, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DW-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1450+0.12 EUR
1713+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 300V 500MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-26
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
42+0.51 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA42-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 300 V, 500 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 50MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 300V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 13509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
381+0.61 EUR
519+0.42 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 300V 500MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 300V; 0.5A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 25...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
auf Bestellung 13908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.44 EUR
100+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA42-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 300 V, 500 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 50MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 300V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 13509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
381+0.61 EUR
519+0.42 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.03A; 150mW; SOT523; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-523, 50V, 30mA, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT SOT-523 NPN 22000OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
4000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQ-SCDiotec Semiconductor SOT-523, NPN, 22k, 22k, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC143HPDiotec SemiconductorDigital Transistors DFN1006-3, NPN, 4k7, 47k, 50V, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC907DW-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-363, NPN, 10k, 47k, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC907DW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDTC907DW-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.7 EUR
459+0.51 EUR
1073+0.2 EUR
1361+0.15 EUR
1598+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC907DW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDZ5221B-71206-2.4V-C1DIODES
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH