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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSVMSB92T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2868+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2868 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD1819A-RT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.7 EUR
404+0.57 EUR
681+0.31 EUR
1042+0.2 EUR
2273+0.094 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD1819A-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V
auf Bestellung 11311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD1819A-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD1819A-RT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.7 EUR
404+0.57 EUR
681+0.31 EUR
1042+0.2 EUR
2273+0.094 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD42WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 450 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD42WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 450 mW
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
28+0.76 EUR
100+0.48 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD42WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 HV XSTR NPN 300V
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD601-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC59 GP XSTR NPN PB FR
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2112T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2132T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 14770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
10+0.37 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2212T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
auf Bestellung 13856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
57+0.37 EUR
108+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN2233T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 7kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8791+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XTSR NPN 50V
auf Bestellung 8254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2236T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2237T1GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN2237T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5111DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 79900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
106+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5111DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.089 EUR
20000+0.081 EUR
30000+0.077 EUR
50000+0.073 EUR
70000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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NSVMUN5111DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 7784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5113DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5113DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5116T1G-M02ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5116T1G-M02 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9160+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9160 Stücke
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NSVMUN5131T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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NSVMUN5131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 14499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.71 EUR
10+0.58 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5132T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5132T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5160 Stücke
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NSVMUN5132T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 28862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 5164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5133DW1T1GonsemiDigital Transistors SMALL SIGNAL BIAS RE
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5134T1GonsemiDigital Transistors SS SC70 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 8792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.42 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.099 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
105+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
663+0.35 EUR
953+0.23 EUR
1255+0.17 EUR
1346+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5135DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
663+0.35 EUR
953+0.23 EUR
1255+0.17 EUR
1346+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5136T1GonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
110+0.19 EUR
178+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5136T1GonsemiDigital Transistors Bias Resistor Transistor
auf Bestellung 16950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
15+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.061 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5136T1GonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5137DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5137DW1T1GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 6060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.5 EUR
100+0.39 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2G-NConsemiDescription: SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2G-NConsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2G-NConsemiDescription: SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5211DW1T3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.82 EUR
375+0.62 EUR
725+0.3 EUR
863+0.25 EUR
1064+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5211DW1T3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.82 EUR
375+0.62 EUR
725+0.3 EUR
863+0.25 EUR
1064+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3G-NConsemiDescription: SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3G-NConsemiDescription: SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T3G-NConsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSVMUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NSVMUN5212DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 60...100
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NSVMUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.31 EUR
107+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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NSVMUN5213DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 19700 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NSVMUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.31 EUR
108+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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NSVMUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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NSVMUN5214DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.31 EUR
108+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5214DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
10000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NSVMUN5214DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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NSVMUN5214DW1T3G-NConsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5215DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 160...350
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
32+0.65 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5215DW1T1GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
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NSVMUN5216T1GonsemiDescription: NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5216T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMUN5216T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5216T1GonsemiDigital Transistors SS SC70 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.42 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5216T1GonsemiDescription: NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.064 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.057 EUR
30000+0.054 EUR
75000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5233DW1T3GON SemiconductorNPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8334+0.08 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5233DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
68+0.31 EUR
108+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5233DW1T3GON SemiconductorNPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5233DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH