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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STF5N65M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.15 Ohm typ 4 A MDmesh M6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N65M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N65M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3935 Stücke:
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183+0.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
50+2.46 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.09 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.47 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+2.39 EUR
100+2.12 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.44 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
50+2.88 EUR
100+2.37 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMTO-220 (изол) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
50+5.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4 EUR
1000+3.74 EUR
2000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
45+5.25 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.38 EUR
100+3.27 EUR
500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTN-MOSFET 3.5A 1000V 30W 3.7Ω STF5NK100Z TSTF5NK100z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.15 EUR
10+4.21 EUR
100+3.88 EUR
500+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.47 EUR
51+3.32 EUR
100+3.17 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK52ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK65ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK90Z
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF60100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6045AVST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOT 80V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF60H150CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 60A; ITO220AB; Ufmax: 0.85V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 60A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 260A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6A60
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6A80
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.9 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.04 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
111+1.51 EUR
117+1.38 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2
Produktcode: 155644
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 232/8
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.04 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
111+1.55 EUR
117+1.44 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
102+2.27 EUR
117+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
117+1.48 EUR
123+1.37 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3
Produktcode: 67233
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
117+1.44 EUR
123+1.32 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.61 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.39 EUR
100+2.45 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.12 EUR
64+3.64 EUR
100+2.49 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
134+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3
Produktcode: 198720
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.12 EUR
59+1.45 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
84+2.78 EUR
135+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.5 EUR
100+1.32 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N68K3STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.49 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.8 EUR
5000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N68K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 680V TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+2.67 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
50+2.71 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.4 EUR
100+2.03 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5
Produktcode: 49735
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 950 В
Drain-Strom Idd, A: 9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,25 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/13
Montage: THT
auf Bestellung: 104 St.
  • 104 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.52 EUR
100+2.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
119+1.96 EUR
124+1.74 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.71 EUR
26+3.28 EUR
33+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6NK50Z
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STF6NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET
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STF6NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP
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STF6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
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STF6NM60N
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STF6NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 1.08 Ohm, 5 A MDmesh(TM) Power MO, POWER MOSFET
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STF701ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
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STF701
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STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
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STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
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STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
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STF701.TCSMH07+;
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STF701.TC/LSEMTECH2000
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STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100mW SC70-5
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