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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.85 EUR
48+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 549 Stücke:
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87+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.2 EUR
65+2.2 EUR
100+1.94 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.25 EUR
100+2.63 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.02 EUR
74+1.96 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.18 EUR
83+1.74 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.35 EUR
40+3.63 EUR
100+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Power dissipation: 40W
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
38+1.92 EUR
50+1.8 EUR
100+1.73 EUR
500+1.63 EUR
750+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.85 EUR
48+3 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.91 EUR
100+1.88 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.72 EUR
60+2.43 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.85 EUR
50+3.51 EUR
100+3.19 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9640GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.1 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 5.3A
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+3.04 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.33 EUR
445+0.32 EUR
449+0.31 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
10+2.25 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z14GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.31 EUR
435+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -34A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z24GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.5 EUR
100+2.17 EUR
250+1.88 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 8.5A
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.76 EUR
100+2.16 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GSiliconixP-MOSFET 60V 12A 42W IRFI9Z34G Vishay TIRFI9z34g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34G(Transistor)
Produktcode: 55856
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
50+2.05 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.86 EUR
111+1.28 EUR
115+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
100+1.14 EUR
250+1.06 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.77 EUR
60+2.42 EUR
250+2.07 EUR
500+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFI9Z34GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z34GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFI9Z34GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 12A
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.11 EUR
10+2.59 EUR
100+2.36 EUR
500+2.2 EUR
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IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
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IRFI9Z34GPBF
Produktcode: 42009
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 60
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Gebr.: Ізольований корпус
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.55 EUR
10+0.49 EUR
100+0.43 EUR
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IRFI9Z34NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFIB41N15DInternational RectifierN-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIB41N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFIB41N15DPBF - IRFIB4115 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC
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IRFIB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIB5N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220-3
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IRFIB5N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFIB5N65A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB5N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIB5N65ATO-220 Транзистори
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IRFIB5N65A(94-3185)
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB5N65A-38IR2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB5N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.95 EUR
253+0.56 EUR
255+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFIB5N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET
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IRFIB5N65APBFIR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.58 EUR
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRFIB6N60IR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB6N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIB6N60APBF
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIB6N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFIB6N60AVishayN-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFIB6N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.16 EUR
24+3 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
50+4.24 EUR
100+3.86 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFIB6N60APBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.37 EUR
46+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.37 EUR
46+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.19 EUR
100+3.64 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50AVishayN-MOSFET 500V 6.6A 60W IRFIB7N50A Vishay TIRFIB7n50a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50AТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.86 EUR
100+2.71 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBF
Produktcode: 47154
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.74 EUR
50+4.02 EUR
100+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.23 EUR
67+2.18 EUR
100+2 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIB7N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
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IRFIB7N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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