Produkte > BC5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BC549CBU | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CBU | Fairchild Semiconductor | BC549CBU | auf Bestellung 9750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 9750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC549CG | ON | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC549CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CG | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CG | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 500mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 300MHz Power: 0.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CG | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 173901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC549CG | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC549CG - BC549CG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 138809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CSL | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BC549CTA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC549CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 1926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CTA | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Formed Current gain: 420...800 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CTA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC549CTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 9752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 100mA | auf Bestellung 259544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC549CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 1926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC549CTF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549CTFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549C_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549C_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549TF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC549_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 1A 3HUSON Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 1A 3HUSON Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PA-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC54PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PAS-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | auf Bestellung 20400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5635 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 3310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 1A DFN2020D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 24251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC54PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC54PASX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PASX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 15601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC54PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 1A DFN2020D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55 | L-Com | Test Leads ADAPTOR BNC F/TINNED LEADS (2) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55 | L-COM | Description: L-COM - BC55 - BNC-Breakout, BNC-Buchse, Freies Ende, 9 ", 229 mm, Schwarz tariffCode: 85444290 productTraceability: No Teststecker B: Freies Ende rohsCompliant: YES Nennstrom: - Nennspannung: - euEccn: NLR BNC-Steckverbinder: BNC-Buchse hazardous: false Anschlusslänge - imperial: 9" rohsPhthalatesCompliant: YES Anschlusslänge - metrisch: 229mm Isolatorfarbe: Schwarz usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55 | L-Com | BC55 | auf Bestellung 1681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10140 Produktcode: 161891
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| BC55-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-10PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63 DC-Stromverstärkung hFE: 63 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.65 Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC55-10PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-10PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC55-10PA-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-10PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC55-10PA-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55PA-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PAS-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: POWER BJTS IN DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-10PAS-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: POWER BJTS IN DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 60V 1A NPN MEDPWR BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 420 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-10PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63 DC-Stromverstärkung hFE: 63 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 420 Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BC55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | auf Bestellung 89348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-16PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC55-16PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC55-16PA-Q/SOT1061/HUSON3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC55-16PA-Q/SOT1061/HUSON3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-16PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 60V 1A NPN MEDPWR BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC55-16PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC55-16PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC55-16PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
